Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Билет №04.
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача No1.
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Лавинный фотодиод.
Задача No2.
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр.
Тип ПП материала: Ge;
Квантовая эффективность η=0,2;
Ширина запрещенной зоны ΔW=0,6 эВ;
Задача No3.
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры (4).
Задача No4.
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр. Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Тип светодиода: АЛ102В;
Напряжение питания: Uпит = 5 В;
Номинал ограниченного сопротивления: Rогр = 510 Ом.
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Лавинный фотодиод.
Задача No2.
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр.
Тип ПП материала: Ge;
Квантовая эффективность η=0,2;
Ширина запрещенной зоны ΔW=0,6 эВ;
Задача No3.
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры (4).
Задача No4.
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр. Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Тип светодиода: АЛ102В;
Напряжение питания: Uпит = 5 В;
Номинал ограниченного сопротивления: Rогр = 510 Ом.
Дополнительная информация
Зачет.
Год сдачи: 2014.
Год сдачи: 2014.
Похожие материалы
Устройство оптоэлектроники Контрольная работа
Галилео
: 15 марта 2018
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника фотодиод с гетероструктурой. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. и т.д.
40 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа
Сергейds
: 6 февраля 2014
Задача №1: Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника.
Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант №07 – Фототранзистор
Работа фотоприемников основана на использовании внутреннего фотоэффекта в твердых телах.
Поглощаемые полупроводником кванты освобождают носители заряда либо атомов решетки,
либо атомов примеси.
Поскольку для каждого из этих переходов требуется некоторая минимальная энергия, характерная для данного материала, ка
59 руб.
Контрольная работа по устройству оптоэлектроники
Богарт
: 2 июня 2011
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
5 Составной фототранзистор
199 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
karimoverkin
: 11 июня 2017
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Фотодиод с гетероструктурой
Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны.
Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники”
Dctjnkbxyj789
: 11 февраля 2017
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
0 Фотодиод на основе р-n перехода
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника.
Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр.
Исходные данные
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемн
35 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
nvm1604
: 27 января 2016
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
9 Фоторезистор
Решение:
Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра.
В фоторезисторах используется явление изменения сопротивления вещества под действием инфракрасно
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
lebed-e-va
: 28 апреля 2015
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант 4.
Тип фотоприемника (ФП): Лавинный фотодиод
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
ART1800
: 8 мая 2013
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Заданный тип - Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикат
150 руб.
Другие работы
Монтаж, демонтаж и транспортировка вышек, силового и бурового оборудования
nakonechnyy_lelya@mail.ru
: 23 марта 2020
Монтаж, демонтаж и транспортировка вышек, силового и бурового оборудования-Книги-Презентация-Литература-Нефтегазовая промышленность-Руководство по эксплуатации-Паспорт-Каталог-Инструкция-Формуляр-Чертежи-Техническая документация-Курсовая работа-Дипломный проект-Специальность-Буровое оборудование-Нефтегазопромысловое оборудование-Транспорт и хранение нефти и газа-Нефтегазопереработка-Нефть и газ-Добыча полезных ископаемых-Геологоразведка-Машины и оборудование нефтяных и газовых промыслов-Технолог
209 руб.
Проектирование и разработка Балочной площадки промышленного здания
OstVER
: 16 сентября 2011
Саратов: СГТУ, 2009г. -61с. ПГС, пояснительная записка и чертеж по проектированию балочной площадки.
СОДЕРЖАНИЕ
Введение
Исходные данные на проектирование стальной балочной клетки.
Конструктивная схема балочной клетки.
Расчёт настила.
Определение толщины листа настила.
Определение растягивающего усилия.
Расчет толщины углового шва.
Расчёт балок настила.
Определение погонной нагрузки.
Определение максимального изгибающего момента.
Определение требуемого момента сопротивления.
Проверка прочности.
40 руб.
Корпус в сборе - Задание 26
.Инженер.
: 3 марта 2023
ИНЖЕНЕРНАЯ ГРАФИКА. ПРАКТИКУМ ПО ЧЕРТЕЖАМ СБОРОЧНЫХ ЕДИНИЦ. Под редакцией П.В. Зеленого. Задание 26 - Корпус в сборе.
Сборочная единица "Корпус в сборе" содержит три детали. Корпус 3 устанавливается между крышкой 1 и фланцем 2 и зажимается четырьмя шпильками 6 (М8х105 ГОСТ 22032-76) с шайбами 5 (8 ГОСТ 11371-78) и гайками 4 (М8 ГОСТ 5915-70).
Состав работы:
-3D модели всех деталей
-3D сборка
-3D сборка с разносом компонентов
-Сборочный чертеж
-Спецификация
-Чертежи всех деталей (деталировка)
250 руб.
Синтез частотно-избирательного фильтра
Elfa254
: 27 сентября 2013
1. Представить данные на синтез частотно-избирательного фильтра в графической форме с использованием нормированной частоты .
2. Определить технические требования к нормированному ФНЧ прототипу: тип и порядок фильтра.
3. Найти координаты нулей и полюсов нормированной передаточной функции ФНЧ прототипа.
4. Найти лестничную структуру ФНЧ прототипа с нормированными элементами.
5. Определить координаты нулей и полюсов передаточной функции синтезируемого частотно-избирательного филь
5 руб.