Устройства оптоэлектроники. Зачетная работа. 5-й семестр
-
Категории:
СибГУТИ, Устройство оптоэлектроники, Работа Зачетная
-
Добавлен:
17.11.2014
-
Размер:
113 KB
-
Покупок:
6
-
Добавил:
yana1988
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
зачет устр.оптоэлектроники.docx
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Вопросы к зачету «Устройства оптоэлектроники».
1.Спектры потерь в световоде.Раздел Физические основы оптоэлектроники
2.Назначение и типы линз используемых в излучателях. Раздел Излучатели.
3.Устройство и принцип действия фотодиодов на основе p-n перехода. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного усилителя.Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
1.Спектры потерь в световоде.Раздел Физические основы оптоэлектроники
2.Назначение и типы линз используемых в излучателях. Раздел Излучатели.
3.Устройство и принцип действия фотодиодов на основе p-n перехода. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного усилителя.Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Зачет
Оценка:Зачет
Дата оценки: 08.09.2014
Рецензия:Уважаемый.....Вы правильно ответили на вопросы
Игнатов Александр Николаевич
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Зачет
Оценка:Зачет
Дата оценки: 08.09.2014
Рецензия:Уважаемый.....Вы правильно ответили на вопросы
Игнатов Александр Николаевич
Похожие материалы
Зачетная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. 4-й семестр.
58197
: 10 октября 2013
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Спектры потерь в световоде.
Раздел Излучатели.
2.Назначение и типы линз используемых в излучателях.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фотодиодов на основе p-n перехода.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного усилителя.
58197
: 10 октября 2013
Зачетная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники .4-й семестр.
58197
: 8 октября 2013
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники.
1.Определение числовой апертуры.
Раздел Излучатели.
1.Процессы в излучателе на основе моно p-n перехода.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства».
1.Устройство и принцип действия фотодиодов с барьером Шоттки.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
1.Устройство и принцип действия оптоэлектронного аналогового ключа.
58197
: 8 октября 2013
35 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Билет №20. (4-й семестр)
dus121
: 14 мая 2013
Раздел: Физические основы оптоэлектроники.
Вопрос №1: Закон Бугера - Ламберта.
Раздел Излучатели.
Вопрос №2: Источники некогерентного включения.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства».
Вопрос №3: Устройство и принцип действия лавинного фотодиода.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
Вопрос №4: Устройство и принцип действия оптоэлектронного генератора с мостом Вина.
dus121
: 14 мая 2013
30 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Билет №20. (4-й семестр)
Jack
: 27 марта 2013
Раздел: Физические основы оптоэлектроники.
Вопрос №1: Закон Бугера - Ламберта.
Раздел Излучатели.
Вопрос №2: Источники некогерентного включения.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства».
Вопрос №3: Устройство и принцип действия лавинного фотодиода.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
Вопрос №4: Устройство и принцип действия оптоэлектронного генератора с мостом Вина.
Jack
: 27 марта 2013
150 руб.
Зачетная работа. Устройства оптоэлектроники
DEKABR1973
: 2 декабря 2017
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Энергетические параметры.
Раздел Излучатели.
2.Структурная схема лазера.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фототранзистора.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия жидкокристаллического индикатора на основе «Твист эффекта».
DEKABR1973
: 2 декабря 2017
80 руб.
Устройства оптоэлектроники, Зачетная работа
Александр92
: 16 декабря 2016
Зачетная работа, вопросы:
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Закон Ламберта.
Раздел Излучатели.
2.Параметры светоизлучающего диода как компоненты электронных устройств.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Принцип работы полупроводниковых фотоприемных устройств.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Применение оптоэлектронных приборов для измерения высоких напряжений и управления устройствами большой мощности.
Александр92
: 16 декабря 2016
495 руб.
Зачетная работа. Устройства оптоэлектроники
rambox360
: 12 января 2016
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Механизм генерации излучения в полупроводниках.
Раздел Излучатели.
2.Формирователь с активным низким уровнем.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Фотоприёмник со структурой МДП.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Электрическая модель оптрона.
rambox360
: 12 января 2016
100 руб.
Устройства оптоэлектроники. Зачетная работа
Алексей119
: 9 января 2016
«Устройства оптоэлектроники».
1.Диаграмма направленности излучателя.
2.Электрическая модель светоизлучающего диода
3.Характеристики и параметры фотоприемников.
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронных фильтров.
Алексей119
: 9 января 2016
70 руб.
Другие работы
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников, ЛР 6.8 , 7-й вариант, 2021г.
Voodoo322228
: 10 февраля 2022
1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ
...
3. ОПИСАНИЕ УСТАНОВКИ
...
4. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ
...
5. ВЫВОД
...
6.КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ
1. Объясните зонную структуру собственного полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости lnφ от 1/Т?
3. В чем особенности валентной зоны, зоны проводимости и з
Voodoo322228
: 10 февраля 2022
100 руб.
Шуанерия
Aronitue9
: 8 марта 2013
Шуанерия, крестьянская война прошедшая на Западе Франции между 1793 и 1804 родилась из бунта против военного призыва, казни короля Людовика XVI, налогообложение бумажных денег. Бесспорно, антирелигиозные меры (изменение календаря, отмена христианских праздников, арест непокорных священников), нарушившие традиционный сельский уклад, тоже сыграли одну из главных ролей в развязывании восстания. Шуанерия развивалась параллельно с аналогичными событиями в Вандее. Ее главными руководителями были Жан К
Aronitue9
: 8 марта 2013
19 руб.
Развитие воли и произвольности в детском возрасте
Slolka
: 12 октября 2013
Содержание
ВВЕДЕНИЕ
1. ПОНЯТИЕ ВОЛИ И ПРОИЗВОЛЬНОГО ПОВЕДЕНИЯ
1.1 Сущность понятия «воля» и «произвольное поведение»
1.2 Произвольное поведение, как компонент готовности ребенка к школе
1.3 Произвольность как функция мотивации
2. РАЗВИТИЕ ВОЛИ И ПРОИЗОВЛЬНОСТЬ ДЕТЕЙ
2.1 Развитие волевых качеств личности и произвольного поведения детей
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ
ВВЕДЕНИЕ
Воля и произвольность являются разными по своему содержанию психологическими образованиями. Развити
Slolka
: 12 октября 2013
Лабораторная работа №1. Схемотехника телекоммуникационных устройств. Вариант №1
rmn77
: 14 февраля 2019
Лабораторная работа 1. Схемотехника телекоммуникационных устройств. Вариант 1
«Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе»
Цель работы:
Исследовать влияние параметров элементов схемы каскада с эмиттерной стабилизацией на его показатели (коэффициент усиления, частотные и переходные характеристики).
Описание схемы исследуемого усилителя:
Исходные данные для предварительного расчета:
транзистор типа KT3102А с параметрами: h21э=185, Сбэ дин=1,8нФ, fh21э=1,
rmn77
: 14 февраля 2019
300 руб.
