Электроника. Экзаменационная работа. 5-й семестр.

Цена:
55 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon экзамен электроника.docx

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Экзаменационные вопросы по предмету: «Электроника».


1.Дифференциальные Y-параметры полевых транзисторов.

2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.

2.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электроника
Вид работы: Экзамен
Оценка:Отлично
Дата оценки: 01.10.2014
Рецензия:Уважаемый...Вы правильно ответили на вопросы

Игнатов Александр Николаевич
Экзаменационная работа по дисциплине: Электроника. (4-й семестр).
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Принцип действия полевого транзистора со структурой МДП. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передато
User ua9zct : 18 марта 2015
50 руб.
Экзаменационная работа по электронике. Билет № 12. (4-й семестр)
Вопрос №1: Полевые транзисторы. Устройство. Типы. Режимы работы. Задача №2: Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. Задача №3: Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом n-типа. Приведите передаточную и выхо
User Jack : 27 марта 2013
130 руб.
Экзаменационная работа. Электротехника и электроника. (3-й семестр). Билет №8
1. Спектр одиночного сигнала импульса. Интеграл Фурье. 2. Определить ic(0+).
User tusur : 20 февраля 2014
200 руб.
Экзаменационная работа. Электротехника и электроника. (3-й семестр). Билет №8
Электротехника, электроника и схемотехника (4-й семестр). Экзаменационная работа. Билет № 7
Билет 7 1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и
User Shamrock : 3 июля 2013
250 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: «Электротехника, электроника и схемотехника» (3-й семестр). Билет №10
1. Частотный метод анализа. 2. Нарисовать эквивалентную операторную схему. Записать выражение для изображения тока i1.
User selkup : 17 февраля 2014
150 руб.
Электроника. 3-й семестр. Экзамен
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,
User Ирина16 : 19 декабря 2017
120 руб.
Экзамен. Электроника. 3-й семестр.
1. Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ). 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные х
User CDT-1 : 17 марта 2015
120 руб.
Электроника. Экзамен. 3-й семестр
1.Эквивалентные схемы полевых транзисторов. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики
User Студенткааа : 19 февраля 2015
100 руб.
2 семестр ДО. «Математический анализ (часть 2)». Экзаменационная работа. В3 Билет 5
БИЛЕТ № 5 1. Вычисление тройного интеграла в декартовой и цилиндрической системе координат. 2. Найти градиент функции в точке 3. Изменить порядок интегрирования. Область интегрирования изобразить на чертеже. 4. Найти общее решение дифференциального уравнения 5. Найти частное решение уравнения 6. Разложить функцию в ряд Фурье: , при 7. Найти область сходимости степенного ряда:
User Мария60 : 1 февраля 2019
150 руб.
2 семестр ДО. «Математический анализ (часть 2)». Экзаменационная работа. В3 Билет 5
Теория электрических цепей. 4-й вариант
Исходные данные для расчета приведены в таблицах 1.1 и 1.2. Сопротивления генератора радиоимпульсов Rг и сопротивление нагрузки Rн пассивного фильтра одинаковы: Rг =Rн = R. Для вариантов 01 - 25 и 51 - 75 R = 600 Ом, для вариантов 26 - 50 и 76 - 99 R = 1000 Ом. Характеристика фильтра аппроксимируется полиномом Чебышева. Таблица 1.1 № варианта ТН, мкс tи, мкс Ти, мкс DA, дБ Апол, дБ 04 10 40 111 3 30 Таблица 1.2 Вариант Umн, В 04 10
User marmeladex : 4 ноября 2016
120 руб.
Панов Е.И. Создание универсального стана поперечно - винтовой прокатки и исследование технологических режимов его работы
- Москва, - ВИЛС, - 2002, – 209 стр. Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук. Специальность: 05.03.05 - Технологии и машины обработки давлением. (На правах рукописи). Научный руководитель: доктор технических наук, профессор Синицкий Владимир Михайлович. Содержание. Тенденции развития конструктивных особенностей станов поперечно-винтовой прокатки. Конструктивные и технологические особенности универсального стана поперечно-винтовой прокатки ПВП 20-60. Перспективы исполь
User elementpio : 19 октября 2011
2 руб.
Придаточные предложения относительные и посессивность в современных славянских языках
Местоимения относительные (МО), выполняющие в славянских языках по отношению к главному предложению функцию связующего средства и в рамках придаточного предложения выступающие на правах строевого компонента его структуры, не дифференцированы, как правило, в формальном отношении от местоимений вопросительных и неопределенных, т. е., например, местоимение кто в русском языке может выполнять функцию местоимения как вопросительного, так и неопределенного или же относительного. Различие в их функции
User GnobYTEL : 24 июля 2013
up Наверх