Электроника. Экзаменационная работа. 5-й семестр.

Категории: СибГУТИ, Электроника, Работа Экзаменационная
Добавлен: 17.11.2014
Размер: 129 KB
Покупок: 11
Добавил:
yana1988

Написать сообщение

Все работы пользователя

Цена:

55 руб.

Скачать

EC65CA8E-863A-45D0-A1BE-1A7A33406D6A.rar [129 KB]

экзамен электроника.docx [Office 2010, 11 стр., 145 KB]

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:

Microsoft Word

Что делать, если файл не открывается

Описание

Экзаменационные вопросы по предмету: «Электроника».

1.Дифференциальные Y-параметры полевых транзисторов.

2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.

2.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электроника
Вид работы: Экзамен
Оценка:Отлично
Дата оценки: 01.10.2014
Рецензия:Уважаемый...Вы правильно ответили на вопросы

Игнатов Александр Николаевич

Экзаменационная работа по дисциплине: Электроника. (4-й семестр).

Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Принцип действия полевого транзистора со структурой МДП. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передато

СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная

ua9zct : 18 марта 2015

50 руб.

Экзаменационная работа по электронике. Билет № 12. (4-й семестр)

Вопрос №1: Полевые транзисторы. Устройство. Типы. Режимы работы. Задача №2: Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. Задача №3: Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом n-типа. Приведите передаточную и выхо

СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная

Jack : 27 марта 2013

130 руб.

Экзаменационная работа. Электротехника и электроника. (3-й семестр). Билет №8

1. Спектр одиночного сигнала импульса. Интеграл Фурье. 2. Определить ic(0+).

Электротехника СибГУТИ Работа Экзаменационная

tusur : 20 февраля 2014

200 руб.

Электротехника, электроника и схемотехника (4-й семестр). Экзаменационная работа. Билет № 7

Билет 7 1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и

СибГУТИ Теоретические основы электротехники Работа Экзаменационная

Shamrock : 3 июля 2013

250 руб.

Экзаменационная работа по дисциплине: «Электротехника, электроника и схемотехника» (3-й семестр). Билет №10

1. Частотный метод анализа. 2. Нарисовать эквивалентную операторную схему. Записать выражение для изображения тока i1.

Электротехника СибГУТИ Работа Экзаменационная

selkup : 17 февраля 2014

150 руб.

Электроника. 3-й семестр. Экзамен

1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,

ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная

Ирина16 : 19 декабря 2017

120 руб.

Экзамен. Электроника. 3-й семестр.

1. Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ). 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные х

СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная

CDT-1 : 17 марта 2015

120 руб.

Электроника. Экзамен. 3-й семестр

1.Эквивалентные схемы полевых транзисторов. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики

СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная

Студенткааа : 19 февраля 2015

100 руб.

Контрольная по английскому языку

Контрольная работа по английскому языку 1 часть заочная форма обучения факультет ГМУ

Английский язык Работа СИБИТ

ZDA : 4 июня 2023

500 руб.

Лабораторная работа №3 по дисциплине: «Компьютерное моделирование» Универсальный квадратурный модулятор. Формирование QPSK, 8-PSK и KAM-16 сигналов. Вариант общий + отчет Mathcad (2023)

Цель работы: Программная реализация и исследование модуляторов QPSK, 8-PSK и KAM-16 в среде Mathcad. Порядок выполнения работы: Исходные данные: - Длительность единичного элемента τ=0.01; - Частота несущей fnes=100; - Частота дискретизации fd=1000; Сгенерировать массив со следующими параметрами: - Количество элементов массива L=40; - Вероятность появления «1» в массиве = 0.5; Задание 1 Схема общего универсального модулятора 1. Визуализировать сгенерированный массив на оси времени 2. Написать п

Компьютерное моделирование ДО СИБГУТИ Работа Лабораторная

LiVolk : 24 мая 2023

130 руб.

Проекционное черчение БГТУ.010114.004. Вариант 24

Проекционное черчение БГТУ.010114.004. Вариант 24 Сложный ломаный разрез Задача 4. Условие задание По двум заданным видам детали выполнить сложный ломаный разрез, при необходимости целесообразные местные разрезы, нанести размеры. Индивидуальные графические задания даны в табл. 4. Пример выполнения задания на формате А3. Чертеж и 3d модель (все на скриншотах показано и присутствует в архиве) выполнены в КОМПАС 3D. Также открывать и просматривать, печатать чертежи и 3D-модели, выполненные в К

БГУ Инженерная и компьютерная графика Работа Контрольная

coolns : 25 мая 2023

150 руб.