Материалы электронных средств МЭС

Вариант 15.
1.Определить падение напряжения в линии электропередач длиной L при температуре, если провод имеет сечение S и по нему течет ток I.
Материал-Al,Т=-50С,Т=+20С,Т=+50С,L=200км,S=5мм2,I=40 А.
2.Определить длину проволоки для намотки проволочного резистора с номиналом R, и допустимой мощностью рассеяния P.
3.Определить концентрацию электронов и дырок в собственном и примесном полупроводнике, содержащем N атомов примеси при комнатной температуре.
4.Образец полупроводникового материала легирован примесью (см. предыдущую задачу). Определить удельную проводимость собственного и примесного полупроводника при заданной температуре Т.
5.Определить диффузионную длину движения неравновесных носителей заря-да в полупроводниковом материале при заданной температуре То, если время их жизни t.
6.Конденсаторная керамика при 20*С имеет проводимость **=10-13 Сим/см. Какова проводимость *т при заданной температуре, если температурный коэффициент сопротивления *=0,8
7.Определить пробивное напряжение Uпр между электродами конденсатора на рабочей частоте f, если температура, до которой нагревается в электрическом поле диэлектрический материал толщиной h конденсатора, не превышает Токр.
8.Как изменится электрическая прочность воздушного конденсатора, если рас-стояние между электродами уменьшить от h1 до h2?
9.Один из магнитных сплавов с прямоугольной петлей гистерезиса ППГ имеет следующие параметры: поле старта Hо , коэрцитивную силу Hс, коэффициент переключения Sф. Найти время переключения *.
10.Магнитодиэлектрик выполнен из порошков никелево-цинкового феррита HН400 и полистирола с объемным содержанием магнитного материала *. Определить магнитную и диэлектрическую проницаемость материала * и *, если магнитная диэлектрическая проницаемость магнитного материала *а, *м имеет заданные значения. Диэлектрическая проницаемость полистирола *Д=2,5.













2.Определить длину проволоки для намотки проволочного резистора с номиналом R, и допустимой мощностью рассеяния P.
3.Определить концентрацию электронов и дырок в собственном и примесном полупроводнике, содержащем N атомов примеси при комнатной температуре.Полупроводник материал Si,примесь сурьма, N 1014 см-3.