Контрольная работа по "Устройства оптоэлектроники" 11 вариант

Цена:
70 руб.

Состав работы

material.view.file_icon B5229F6F-3791-4721-A03C-C533E9907A35.rar [196 KB]
material.view.file_icon КР по устройству оптоэлектроники.doc [Office 2010, 10 стр., 345 KB]

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.

Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант

Тип фотоприемника (ФП)

Фотодиод на основе р-n перехода

Фотодиод со структурой р-i-n

Фотодиод с барьером Шоттки

Фотодиод с гетероструктурой

Лавинный фотодиод

Фотодиод- транзистор

Составной фототранзистор

Фототранзистор

Фототиристор

Фоторезистор

Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней l гр.

Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.

Таблица 2. Варианты и данные фотоприемников
Вариант
Тип ПП материала
Квантовая эффектив-ность, h
Ширина запрещен-ной зоны D W, эВ


Задача №3

Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности (таб.3).

Таблица 3. Входной двоичный код и состояния выходов дешифратора.

Входной код
Состояние выходов дешифратора
 
Задача № 4

Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные Вашего варианта указаны в табл. 4.

Таблица 4. Варианты и исходные данные задачи №4
№ варианта

Тип светодиода

Напряжение питания Uпит, В

Номинал ограничительного сопротивления, Ом

Похожие материалы

Контрольная работа По дисциплине: «Устройство оптоэлектроники» Вариант 11
Задача No 1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Вариант Тип фотоприемника (ФП) 1 Фотодиод со структурой р-i-n Задача No 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность, η Ширина запрещенной зоны ΔW, эВ 1 Si 0,7 1,12
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User costafel : 15 сентября 2015
250 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройство оптоэлектроники. Вариант №11
Задача No 1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Вариант Тип фотоприемника (ФП) 1 Фотодиод со структурой р-i-n Задача No 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность, η Ширина запрещенной зоны ΔW, эВ 1 Si 0,7 1,12 Задача
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User natin83 : 31 января 2015
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине «Устройства Оптоэлектроники». 11-й вариант. Сибгути
Задача No 1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Задача No 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ гр. Задача No3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User parus10810 : 13 апреля 2014
200 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант 11
Задача No 1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Фотодиод со структурой р-i-n Задача No 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. Тип ПП материала Si Квантовая эффективность, η 0,7 Ширина запрещенной зоны ΔW, эВ 1,12 Задача No3. Изобразить принципиальную схем
СибГУТИ Электроника Работа Контрольная
User Teuserer : 19 марта 2012
150 руб.

Другие работы

Правда есть истина в действии. В. М. Шукшин
Духовные устои народа — исток и основа всякой национальной культуры. Стихийное, субстанциальное бытие народной культуры видоизменилось, исказилось, утрачивается вместе с цивилизационными сдвигами в обществе. Надежды на цветение культуры, на сохранение самого народа сохраняются до тех пор, пока находятся такие носители народного духа, которые не просто индивидуально способны стать его хранителями, но преображают своим творчеством этот дух, увлекая своих современников узнаванием и уверенностью нац
Рефераты Литература
User evelin : 13 декабря 2012
Теплотехника РГАУ-МСХА 2018 Задача 8 Вариант 61
Определить поверхность нагрева стального рекуперативного газовоздушного теплообменника (толщина стенок δс=3 мм) при прямоточной и противоточной схемах движения теплоносителей (рис. 6.2 и 6.3), если объемный расход воздуха при нормальных условиях Vн, средний коэффициент теплоотдачи от воздуха к поверхности нагрева α1, от поверхности нагрева к воде α2=500 Вт/(м²·К), коэффициент теплопроводности материала стенки трубы (стали) λ=50 Вт/(м·К), теплоемкость топочных газов сг=1,15 кДж/(кг·К), плотность
Задачи Теплотехника
User Z24 : 27 января 2026
300 руб.
Теплотехника РГАУ-МСХА 2018 Задача 8 Вариант 61
Аномалії нирок і сечовивідних шляхів чоловічих статевих органів (крипторхізм, ектопія). Клініка, діагностика, лікування
Аномалії розвитку нирок порівняно з іншими вадами органів сечостатевої системи становлять 8...11%. Аномалії нирок можна поділити на аномалії кількості, величини, положення, взаємовідношення і будови. До аномалій кількості нирок належать однобічна і двобічна агенезія та аплазія, подвоєння нирки, додаткова нирка. Найчастіше (70%) спостерігається подвоєння ниркових мисок і сечоводів. Аплазія нирки — відсутність її як розвиненого органа, агенезія — відсутність навіть зачатків ниркової тканини. Кліні
Медицина и медицинская техника Работа
User DocentMark : 25 января 2013
Тепломассообмен ПГТУ 2000 Задача 4 Вариант 61
Определить плотность лучистого теплового потока между двумя параллельно расположенными плоскими стенками, имеющими температуру t1 и t2 и степени черноты ε1 и ε2. Как изменится интенсивность теплообмена при установке экрана со степенью черноты εэ. - Условия теплообмена считать стационарными. Теплопроводностью и конвективным теплообменом в зазоре между пластинами пренебречь. - В качестве экрана взять тонкий металлический лист.
Задачи Теплотехника
User Z24 : 28 июля 2026
180 руб.
Тепломассообмен ПГТУ 2000 Задача 4 Вариант 61
up Наверх