Электротехника, электроника и схемотехника (4-й сем.) Экзамен
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Вопрос 1. Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов.
Вопрос 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
Вопрос 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
Вопрос 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
Вопрос 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электротехника, электроника и схемотехника (4 сем.)
Вид работы: Экзамен
Оценка:Хорошо
Дата оценки: 19.01.2015
Рецензия:Уважаемый
Игнатов Александр Николаевич
Оценена Ваша работа по предмету: Электротехника, электроника и схемотехника (4 сем.)
Вид работы: Экзамен
Оценка:Хорошо
Дата оценки: 19.01.2015
Рецензия:Уважаемый
Игнатов Александр Николаевич
Похожие материалы
Электротехника, электроника и схемотехника (3-й сем.) Экзамен. Билет 11
sun525
: 23 июля 2015
1. Амплитудные корректоры. Назначение. Принцип построения схемы.
2. Определить переходную характеристику g(t).
R=1000 Oм,
C=1 мкФ
50 руб.
Экзамен по электротехнике, электронике и схемотехнике
Alex21589
: 15 апреля 2023
ЭКЗАМЕНАЦИОННАЯ РАБОТА
по дисциплине
«Электротехника, электроника и схемотехника»
Билет №15
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе
150 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Экзамен
sibguter
: 5 июня 2018
№1 Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры.
№2 Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
№3 Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характ
29 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Экзамен
gnv1979
: 8 января 2017
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Аналоговые ключи на транзисторах.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной
характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните,
какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной
характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим э
30 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (4-й сем.) Контрольная работа. Вариант №4
s1nd
: 10 февраля 2015
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
№ вар Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0,В
04 КП 303Д 10 -8
Задача 2.
Исполь
250 руб.
ЭКЗАМЕН Билет№4 Электротехника, электроника и схемотехника
SOKOLOV
: 2 марта 2025
ЭКЗАМЕН по дисциплине «Электротехника, электроника и схемотехника»
БИЛЕТ №4
1.Фотоэлектрические приборы. Устройство. Принцип действия. Характеристики и параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада
150 руб.
Электротехника, Электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен
Алексей134
: 4 марта 2021
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной
характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,
100 руб.
Экзамен. Электротехника, электроника и схемотехника. Билет № 4
gnv1979
: 13 июня 2016
Задание № 1. Сущность временного анализа цепей. Интеграл Дюамеля.
Задание № 2. Рассчитать частоты нулей спектра заданного сигнала.
50 руб.
Другие работы
Инженерная графика, Вариант №6, 5 чертежей
Галина7
: 21 мая 2015
5 чертежей, в архиве форматы jpeg, cdw. Уже редактированные в соответствии с замечаниями (компас 3Д 13 версии)
200 руб.
Роль інформаційних систем в організації економічного аналізу та аудиту
Slolka
: 5 октября 2013
ПЛАН
1.Критерії процесу та вибір альтернативного рішення. 3
2. Методи організації інформаційних систем. 6
3.Складові інформаційних технологій. 9
4.Історія розвитку персональних компьютерів, компьютерних мереж та їх зв’язок з розвитком інформаційних систем управління економікою.. 11
5. Основні задачі аналізу та аудиту. 14
6. Отримання автоматичного аудиторського висновку про стан підприємства 17
7. СППР, їх основні характеристики і можливості 21
Список використаних джерел. 26
1.Критерії
10 руб.
Регрессионный анализ корелляции субъективного ВАШ и лабораторных признаков активности реактивного артрита
evelin
: 15 сентября 2013
Регрессионный анализ корелляции субъективного ВАШ и лабораторных признаков активности реактивного артрита
Заведующий кафедрой
доктор медицинских наук, профессор Шишкин В.И.
Научный руководитель
доктор медицинских наук, профессор Шишкин В.И.
Санкт-Петербург
2008
Содержание
Введение
1 Дисперсионный анализ по одному признаку для проверки равенства нескольких средних
2 Множественная линейная регрессия
3 Дисперсионный анализ
4 Линейная регрессия
Заключение
Введение
Артриты реактивные
5 руб.
Программное обеспечение инфокоммуникационных систем (часть 2-я)
Dirol340
: 26 октября 2021
ЛР1 Построение структурной модели телекоммуникационной системы с помощью пакета PragmaDev Studio
Задание
1. Создать проект в пакете PragmaDev Studio и выполнить пример из п.2.2 и 2.3 данных методических указаний. Сделанный проект сохранить для использования при выполнении заданий лабораторной работы 2 и3.
2. Выполнить индивидуальное задание (п.3), в котором по номеру варианта (по последней цифре пароля, если 0, то вариант 10) следует:
- создать в пакете PragmaDev Studio заданную структуру систем
1500 руб.