Электротехника, электроника и схемотехника (4-й сем.) Экзамен

Цена:
100 руб.

Состав работы

material.view.file_icon E30C6761-B406-4A31-922C-4D8C449B7B89.rar [ 466 KB ]
material.view.file_icon ЭиЭ.Экзамен с изменением.doc [ 903 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Вопрос 1. Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов.

Вопрос 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.

Вопрос 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электротехника, электроника и схемотехника (4 сем.)
Вид работы: Экзамен
Оценка:Хорошо
Дата оценки: 19.01.2015
Рецензия:Уважаемый

Игнатов Александр Николаевич

Похожие материалы

Электротехника, электроника и схемотехника (3-й сем.) Экзамен. Билет 11
1. Амплитудные корректоры. Назначение. Принцип построения схемы. 2. Определить переходную характеристику g(t). R=1000 Oм, C=1 мкФ
Электротехника СибГУТИ Работа Экзаменационная
User sun525 : 23 июля 2015
50 руб.
Экзамен по электротехнике, электронике и схемотехнике
ЭКЗАМЕНАЦИОННАЯ РАБОТА по дисциплине «Электротехника, электроника и схемотехника» Билет №15 1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе
Электротехника, электроника и схемотехника ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная
User Alex21589 : 15 апреля 2023
150 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Экзамен
№1 Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры. №2 Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. №3 Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характ
Электротехника и электроника ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная
User sibguter : 5 июня 2018
29 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Экзамен
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Аналоговые ключи на транзисторах. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим э
Электротехника ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная
User gnv1979 : 8 января 2017
30 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (4-й сем.) Контрольная работа. Вариант №4
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1. № вар Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0,В 04 КП 303Д 10 -8 Задача 2. Исполь
Электротехника СибГУТИ Работа
User s1nd : 10 февраля 2015
250 руб.
ЭКЗАМЕН Билет№4 Электротехника, электроника и схемотехника
ЭКЗАМЕН по дисциплине «Электротехника, электроника и схемотехника» БИЛЕТ №4 1.Фотоэлектрические приборы. Устройство. Принцип действия. Характеристики и параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада
Электротехника, электроника и схемотехника ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные
User SOKOLOV : 2 марта 2025
150 руб.
ЭКЗАМЕН Билет№4 Электротехника, электроника и схемотехника
Электротехника, Электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,
Электротехника, электроника и схемотехника ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные
User Алексей134 : 4 марта 2021
100 руб.
Экзамен. Электротехника, электроника и схемотехника. Билет № 4
Задание № 1. Сущность временного анализа цепей. Интеграл Дюамеля. Задание № 2. Рассчитать частоты нулей спектра заданного сигнала.
Электротехника ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные
User gnv1979 : 13 июня 2016
50 руб.

Другие работы

Основы теплотехники МИИТ 2012 Задача 2.1 Вариант 8
Стенка холодильника, состоящая из наружного слоя изоляционного кирпича толщиной δ1=250 мм и внутреннего слоя совелита толщиной δ2=200 мм, имеет температуру наружной поверхности tст1 и внутренней tст3. Коэффициенты теплопроводности материала слое соответственно равны λ1=0,24 Вт/(м·К) и λ2=0,09 Вт/(м·К). Определить плотность теплового потока через стенку и температурные градиенты в отдельных слоях. Представить график распределения температуры по толщине стенки.
Задачи Теплотехника
User Z24 : 4 марта 2026
150 руб.
Основы теплотехники МИИТ 2012 Задача 2.1 Вариант 8
Экзамен по информатике. Билет №16, курс 1-й, семестр 2-й
1. Этапы подготовки и решения задач на ЭВМ 2. Основы алгоритмического языка Си: Файлы данных, открытие файла, функции ввода/вывода. 3. Написать программу: Сформировать одномерный массив Х из элементов левого нижнего треугольника матрицы А[5,5], заполненной целыми случайными числами, и найти минимальный элемент массива Х.
СибГУТИ Информатика Работа Экзаменационная
User mitriy : 4 апреля 2013
100 руб.
Интернет-технологии
Введение 1. Основы работы в сети интернет 1.1 Подключение к сети Интернет 1.2 Основные службы Internet 1.3 Протоколы сети Internet 2. Интернет-браузеры и программы обмена сообщениями 2.1 Интернет-браузеры. 2.2 Работа с программой Outlook Express 2.3 Программы для электронного общения в режиме онлайн Выводы и предложения Список использованной литературы Введение Internet - глобальная компьютерная сеть, охватывающая весь мир. Сегодня Internet имеет около 15 миллионов абонентов в более
Интернет-технологии Работа
User Elfa254 : 3 октября 2013
10 руб.
Гидравлика УГЛТУ Задача 4 Вариант 6
Определить силу Р, при которой начнется движение штока гидроцилиндра диаметром d и поршня диаметром D. Давление жидкости в штоковой полости р1, давление за клапаном р2. Диаметр входного отверстия клапана dкл, сила пружины, прижимающей клапан к седлу Ркл. Силами трения в гидроцилиндре пренебречь.
Задачи Гидравлика
User Z24 : 8 декабря 2025
150 руб.
Гидравлика УГЛТУ Задача 4 Вариант 6
up Наверх