Контрольная работа по дисциплине: Устройство оптоэлектроники. Вариант №11
-
Категории:
СибГУТИ, Устройство оптоэлектроники, Работа Контрольная
-
Добавлен:
31.01.2015
-
Размер:
116 KB
-
Покупок:
19
-
Добавил:
natin83
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Контрольная работа по устройству оптоэлектроники.docx
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача No 1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
1 Фотодиод со структурой р-i-n
Задача No 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность, η Ширина запрещенной зоны ΔW, эВ
1 Si 0,7 1,12
Задача No3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности.
Задача No4. Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
No варианта Тип светодиода Напряжение питания Uпит, В Номинал ограничительного сопротивления, Ом
1 АЛ316А 9 680
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
1 Фотодиод со структурой р-i-n
Задача No 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность, η Ширина запрещенной зоны ΔW, эВ
1 Si 0,7 1,12
Задача No3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности.
Задача No4. Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
No варианта Тип светодиода Напряжение питания Uпит, В Номинал ограничительного сопротивления, Ом
1 АЛ316А 9 680
Похожие материалы
Контрольная работа По дисциплине: «Устройство оптоэлектроники» Вариант 11
costafel
: 15 сентября 2015
Задача No 1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
1 Фотодиод со структурой р-i-n
Задача No 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность, η Ширина запрещенной зоны ΔW, эВ
1 Si 0,7 1,12
costafel
: 15 сентября 2015
250 руб.
Устройство оптоэлектроники. Вариант №11
konst1992
: 31 января 2018
Задача № 1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
1 Фотодиод со структурой р-i-n
Решение:
Структура фотодиода
Расширение частотного диапазона фотодиода без снижения его чувствительности возможно в p-i-n структурах (рис. 1). Фотодиоды p-i-n отличаются простотой конструкции, высокой надежностью, низкой
konst1992
: 31 января 2018
90 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
karimoverkin
: 11 июня 2017
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Фотодиод с гетероструктурой
Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны.
Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
karimoverkin
: 11 июня 2017
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники”
Dctjnkbxyj789
: 11 февраля 2017
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
0 Фотодиод на основе р-n перехода
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника.
Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр.
Исходные данные
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемн
Dctjnkbxyj789
: 11 февраля 2017
35 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
nvm1604
: 27 января 2016
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
9 Фоторезистор
Решение:
Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра.
В фоторезисторах используется явление изменения сопротивления вещества под действием инфракрасно
nvm1604
: 27 января 2016
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
lebed-e-va
: 28 апреля 2015
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант 4.
Тип фотоприемника (ФП): Лавинный фотодиод
lebed-e-va
: 28 апреля 2015
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
ART1800
: 8 мая 2013
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Заданный тип - Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикат
ART1800
: 8 мая 2013
150 руб.
Устройства оптоэлектроники кр, вариант 11
cotikbant
: 13 сентября 2017
1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратор
cotikbant
: 13 сентября 2017
50 руб.
Другие работы
Технология строительства магистральных трубопроводов - анкерное закрепление трубопроводов
Aronitue9
: 17 сентября 2012
Содержание.
Введение.
I. Конструкторская часть.
1. Технология строительства магистральных трубопроводов.
1.1. Общая технология.
1.2. Способы закрепления трубопроводов.
2. Особенности предлагаемого анкерного закрепления трубопровода.
2.1. Примерная технология производства работ при использовании анкерных стержней.
2.2. Предлагаемая конструкция устройства.
2.3. Подготовка погружателя к работе.
2.4. Порядок работы.
3. Расчет параметров оборудования погружателя.
3.1. Расчет переда
Aronitue9
: 17 сентября 2012
20 руб.
ДО СибГУТИ 14 вариант, ТЭЦ, Лабораторные работы №№1,2,3, курсовик одним файлом!!!
igoriceg
: 17 октября 2016
Лаба1
Исследование зависимости входного сопротивления реактивного двухполюсника от частоты.
Лаба2
Экспериментальное исследование свойств пассивных линейных четырехполюсников.
Лаба3
Исследование частотной характеристики ослабления пассивного однозвенного амплитудного корректора второго порядка и активного однозвенного корректора первого порядка.
Курсовой
Таблица 1.1
вариантов Тн,мкс tи,мкс Ти,мкс dА,дБ Апол,дБ
14 10 40 145 3 19
Таблица1.2
Вариант Umн, В
14
igoriceg
: 17 октября 2016
200 руб.
Архітектура та історія створення найстаріших університетів Європи
alfFRED
: 28 августа 2013
Вступ
Архітектура найстаріших університетів Європи
Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна
Університет Франції. Сорбонна
Болонській університет – найстаріший університет Італії
«Червоно корпусні» університети
Університети Оксфорду та Кембриджу
Висновки
Список використаної літератури
Додатки
Вступ
«Творчість в архітектурі дужче,
ніж в інших видах мистецтва,
пов’язана з життям»
О.В. Щусєв
Будівництво – один з найстаріших різновидів людської діяльності, або принаймі
alfFRED
: 28 августа 2013
10 руб.
Асфальторазогревательный ремонтёр для разогрева асфальтобетонных покрытий
donecarleone
: 3 марта 2016
Содержание:
1. Введение………………………………………………………… 7
2. Характеристика масс…………………………………………13
3. Расчет баланса мощности…………………………………..23
4. Расчет устойчивости полуприцепа…………………….....25
5. Расчет гидросистемы……………………..……………….…28
6. Исследовательская часть……………………………..…….32
7. Расчет газооборудования…………………………………...33
8. Расчет центральной щетки щеточного агрегата……….36
9.Расчет передней цилиндрической щетки 42
10. Технология ремонта…………………..…. 50
11.
donecarleone
: 3 марта 2016
150 руб.
