Контрольная работа по дисциплине: Устройство оптоэлектроники. Вариант №11

204DFB1D-0FF4-4184-9D1B-13887F14DBA5.rar [116 KB]

Контрольная работа по устройству оптоэлектроники.docx [128 KB]

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:

Microsoft Word

Что делать, если файл не открывается

Описание

Задача No 1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
1 Фотодиод со структурой р-i-n
Задача No 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность, η Ширина запрещенной зоны ΔW, эВ
1 Si 0,7 1,12
Задача No3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности.
Задача No4. Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
No варианта Тип светодиода Напряжение питания Uпит, В Номинал ограничительного сопротивления, Ом
1 АЛ316А 9 680

Контрольная работа По дисциплине: «Устройство оптоэлектроники» Вариант 11

СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная

costafel : 15 сентября 2015

250 руб.

Устройство оптоэлектроники. Вариант №11

Задача № 1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Вариант Тип фотоприемника (ФП) 1 Фотодиод со структурой р-i-n Решение: Структура фотодиода Расширение частотного диапазона фотодиода без снижения его чувствительности возможно в p-i-n структурах (рис. 1). Фотодиоды p-i-n отличаются простотой конструкции, высокой надежностью, низкой

ДО СИБГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная

konst1992 : 31 января 2018

90 руб.

Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники

Задача №1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Фотодиод с гетероструктурой Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны. Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).

СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная

karimoverkin : 11 июня 2017

100 руб.

Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники”

Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант Тип фотоприемника (ФП) 0 Фотодиод на основе р-n перехода Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр. Исходные данные Таблица 2. Варианты и данные фотоприемн

СибГУТИ Электроника Работа Контрольная

Dctjnkbxyj789 : 11 февраля 2017

35 руб.

Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники

Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант Тип фотоприемника (ФП) 9 Фоторезистор Решение: Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра. В фоторезисторах используется явление изменения сопротивления вещества под действием инфракрасно

СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная

nvm1604 : 27 января 2016

50 руб.

Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники

Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Вариант 4. Тип фотоприемника (ФП): Лавинный фотодиод

СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная

lebed-e-va : 28 апреля 2015

150 руб.

Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники

Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Заданный тип - Лавинный фотодиод Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. Задача No3 Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикат

СибГУТИ Электроника Работа Контрольная

ART1800 : 8 мая 2013

150 руб.

Устройства оптоэлектроники кр, вариант 11

1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. 3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратор

ДО СИБГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная

cotikbant : 13 сентября 2017

50 руб.

Коллинеарная антенная решетка с последовательным возбуждением

В данной курсовой работе необходимо рассчитать коллинеарную антенную решетку с последовательным возбуждением, для этого мы будем использовать модель антенной решетки Маркони-Франклина. В качестве излучателей будем использовать полуволновые вибраторы, т.к. у них довольно высокий КПД. Вибраторные излучатели широко используются как элементы антенных решеток в метровом, дециметровом и сантиметровом диапазонах волн. Широкое применение вибраторных антенных решеток обусловлено рядом их достоинств: отн

Радиотехника и радиосвязь Работа Курсовая

alfFRED : 14 сентября 2013

10 руб.

Гидравлика АКАДЕМИЯ ГРАЖДАНСКОЙ ЗАЩИТЫ Задача 3 Вариант 94

Для заполнения пожарного водоема используется трубопровод длиной L. Определить необходимый напор насоса, если возвышение водоема над источником Z, гидравлический уклоy i, свободный напор в конце линии Нсв.

Задачи Гидравлика

Z24 : 9 марта 2026

150 руб.

Студенческие организации в Украине в 20-е годы

План 1 Введение 2 Концепция и модель образования в Украине в 20-е годы ХХ века 3 Сеть специального (профессионального) образования 4 Кадры в системе образования 4.1 Кадровый состав в специальных (профессиональных) учреждениях 4.2 Материальное обеспечение и социальный статус педагогов 5 Студенческие организации в Украине в 20-е годы 5.1 Комплектация коллективов студентов 6 Вывод 1 Введение Актуальность темы исследования. В обществе «развитого социализма» студенческие организации, выступ

Социология Работа

Qiwir : 9 февраля 2014

5 руб.

Начертательная гоеметрия Инженерная графика ПГУАС. Вариант 7

Контрольная работа ПГУАС. Три задания сделаны в компасе 21, дополнительно сохранены в пдф и джпг.

Начертательная геометрия и инженерная графика ПГУАС Работа Контрольная

Laguz : 19 февраля 2025

600 руб.