Контрольная работа по дисциплине: Устройство оптоэлектроники. Вариант №11
-
Категории:
СибГУТИ, Устройство оптоэлектроники, Работа Контрольная
-
Добавлен:
31.01.2015
-
Размер:
116 KB
-
Покупок:
19
-
Добавил:
natin83
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Контрольная работа по устройству оптоэлектроники.docx
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача No 1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
1 Фотодиод со структурой р-i-n
Задача No 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность, η Ширина запрещенной зоны ΔW, эВ
1 Si 0,7 1,12
Задача No3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности.
Задача No4. Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
No варианта Тип светодиода Напряжение питания Uпит, В Номинал ограничительного сопротивления, Ом
1 АЛ316А 9 680
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
1 Фотодиод со структурой р-i-n
Задача No 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность, η Ширина запрещенной зоны ΔW, эВ
1 Si 0,7 1,12
Задача No3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности.
Задача No4. Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
No варианта Тип светодиода Напряжение питания Uпит, В Номинал ограничительного сопротивления, Ом
1 АЛ316А 9 680
Похожие материалы
Контрольная работа По дисциплине: «Устройство оптоэлектроники» Вариант 11
costafel
: 15 сентября 2015
Задача No 1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
1 Фотодиод со структурой р-i-n
Задача No 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность, η Ширина запрещенной зоны ΔW, эВ
1 Si 0,7 1,12
costafel
: 15 сентября 2015
250 руб.
Устройство оптоэлектроники. Вариант №11
konst1992
: 31 января 2018
Задача № 1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
1 Фотодиод со структурой р-i-n
Решение:
Структура фотодиода
Расширение частотного диапазона фотодиода без снижения его чувствительности возможно в p-i-n структурах (рис. 1). Фотодиоды p-i-n отличаются простотой конструкции, высокой надежностью, низкой
konst1992
: 31 января 2018
90 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
karimoverkin
: 11 июня 2017
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Фотодиод с гетероструктурой
Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны.
Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
karimoverkin
: 11 июня 2017
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники”
Dctjnkbxyj789
: 11 февраля 2017
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
0 Фотодиод на основе р-n перехода
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника.
Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр.
Исходные данные
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемн
Dctjnkbxyj789
: 11 февраля 2017
35 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
nvm1604
: 27 января 2016
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
9 Фоторезистор
Решение:
Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра.
В фоторезисторах используется явление изменения сопротивления вещества под действием инфракрасно
nvm1604
: 27 января 2016
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
lebed-e-va
: 28 апреля 2015
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант 4.
Тип фотоприемника (ФП): Лавинный фотодиод
lebed-e-va
: 28 апреля 2015
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
ART1800
: 8 мая 2013
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Заданный тип - Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикат
ART1800
: 8 мая 2013
150 руб.
Устройства оптоэлектроники кр, вариант 11
cotikbant
: 13 сентября 2017
1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратор
cotikbant
: 13 сентября 2017
50 руб.
Другие работы
Виды зарубежных конституций по порядку изменения и отмены
Elfa254
: 10 сентября 2013
По способу изменения и внесения поправок конституции делятся на две группы: жесткие и гибкие.
Эти два понятия теснейшим образом связаны с классификацией конституций на писанные и неписанные. Деление конституций на писаные и неписаные достаточно условно, но оно сложилось традиционно.
Отмена конституции - это несколько иная процедура, чем ее изменение. Речь пойдет об жестких конституциях, ибо в случае гибких какой-либо проблемы не существует.
Выделяют два способа отмены конституции: обычный и ч
Elfa254
: 10 сентября 2013
Расчёт горизонтального шламового насоса 6Ш8-2-Комплекс оборудования для бурения скважин с модернизацией корпуса посадочной поверхности подшипников насоса 6Ш8-2. Оборудование для бурения нефтяных и газовых ск
nakonechnyy_lelya@mail.ru
: 22 мая 2020
Расчетная часть-Расчёт горизонтального шламового насоса 6Ш8-2-Комплекс оборудования для бурения скважин с модернизацией корпуса посадочной поверхности подшипников насоса 6Ш8-2-Курсовая работа-Дипломная работа-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин-Текст пояснительной записки выполнен на Украинском языке вы можете легко его перевести на русский язык через Яндекс Переводчик ссылка на него https://translate.yandex.ru/?lang=uk-ru или с помощью любой другой программы для перевода
nakonechnyy_lelya@mail.ru
: 22 мая 2020
349 руб.
Теплотехника Задача 10.45
Z24
: 8 февраля 2026
СО2 при р1=0,8 МПа и t1=500 ºC занимает объем 0,15 м³. В политропном процессе (n=1,11) объем газа увеличивается до 0,5 м³. Определить конечные температуру и давление газа, теплоту и работу расширения процесса. СО2 считать идеальным газом. Представить процесс в pV- и TS — координатах.
Z24
: 8 февраля 2026
180 руб.
Экзаменационный билет №2 по физике. 1-й семестр
H@kt
: 10 июня 2013
Билет № 2
1. Электрическое поле, его основные физические свойства. Напряжённость электрического поля. Принцип суперпозиции для напряжённости поля. Силовые линии электрического поля и их свойства.
2. Энергия магнитного поля, объёмная плотность энергии поля (с выводом).
3. Колесо вращается с угловым ускорением 3 рад/с2. Вычислите радиус колеса, если для точки на его ободе через 1 с после начала движения полное ускорение равно 7,5 м/с2.
H@kt
: 10 июня 2013
60 руб.
