Контрольная работа по дисциплине: Устройство оптоэлектроники. Вариант №11
-
Категории:
СибГУТИ, Устройство оптоэлектроники, Работа Контрольная
-
Добавлен:
31.01.2015
-
Размер:
116 KB
-
Покупок:
19
-
Добавил:
natin83
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Контрольная работа по устройству оптоэлектроники.docx
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача No 1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
1 Фотодиод со структурой р-i-n
Задача No 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность, η Ширина запрещенной зоны ΔW, эВ
1 Si 0,7 1,12
Задача No3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности.
Задача No4. Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
No варианта Тип светодиода Напряжение питания Uпит, В Номинал ограничительного сопротивления, Ом
1 АЛ316А 9 680
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
1 Фотодиод со структурой р-i-n
Задача No 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность, η Ширина запрещенной зоны ΔW, эВ
1 Si 0,7 1,12
Задача No3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности.
Задача No4. Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
No варианта Тип светодиода Напряжение питания Uпит, В Номинал ограничительного сопротивления, Ом
1 АЛ316А 9 680
Похожие материалы
Контрольная работа По дисциплине: «Устройство оптоэлектроники» Вариант 11
costafel
: 15 сентября 2015
Задача No 1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
1 Фотодиод со структурой р-i-n
Задача No 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность, η Ширина запрещенной зоны ΔW, эВ
1 Si 0,7 1,12
costafel
: 15 сентября 2015
250 руб.
Устройство оптоэлектроники. Вариант №11
konst1992
: 31 января 2018
Задача № 1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
1 Фотодиод со структурой р-i-n
Решение:
Структура фотодиода
Расширение частотного диапазона фотодиода без снижения его чувствительности возможно в p-i-n структурах (рис. 1). Фотодиоды p-i-n отличаются простотой конструкции, высокой надежностью, низкой
konst1992
: 31 января 2018
90 руб.
Устройства оптоэлектроники кр, вариант 11
cotikbant
: 13 сентября 2017
1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратор
cotikbant
: 13 сентября 2017
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
karimoverkin
: 11 июня 2017
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Фотодиод с гетероструктурой
Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны.
Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
karimoverkin
: 11 июня 2017
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники”
Dctjnkbxyj789
: 11 февраля 2017
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
0 Фотодиод на основе р-n перехода
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника.
Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр.
Исходные данные
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемн
Dctjnkbxyj789
: 11 февраля 2017
35 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
nvm1604
: 27 января 2016
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
9 Фоторезистор
Решение:
Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра.
В фоторезисторах используется явление изменения сопротивления вещества под действием инфракрасно
nvm1604
: 27 января 2016
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
lebed-e-va
: 28 апреля 2015
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант 4.
Тип фотоприемника (ФП): Лавинный фотодиод
lebed-e-va
: 28 апреля 2015
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
ART1800
: 8 мая 2013
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Заданный тип - Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикат
ART1800
: 8 мая 2013
150 руб.
Другие работы
Основы схемотехники. Контрольная работа. Вариант 11
naviS
: 26 сентября 2011
Выполнить расчет сопротивлений схемы предварительного каскада усиления на биполярном транзисторе с эмиттерной стабилизацией с исходными данными:
1. Тип транзистора – КТ3102А (n-p-n);
2. h21max/ h21min = 250/100;
3. Iкб0max/T = 0,05/25 мкА/ ° С;
4. Тс max = 40° С;
5. Еп = 12 В;
6. Rвх сл = 400 Ом;
7. Um вх сл = 50 мВ;
8. Im вх сл = 5 мА;
9. Rпс = 0,4 ° С/мВт.
naviS
: 26 сентября 2011
80 руб.
Теория социальной стратификации и социальное неравенство
Lokard
: 10 января 2014
Содержание:
Введение . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 – 4
1.Социальная стратификация . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5 – 10
1.1.Предпосылки стратификаций . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5 – 6
1.2. Типы стратификационных систем . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .6 – 10
2. Роль среднего класса в современном обществе . . . . . . . . . . . . . 11 – 16
2.1. Средний класс
Lokard
: 10 января 2014
10 руб.
Аналіз фінансово-господарського стану підприємства
ostah
: 25 ноября 2012
Зміст
Вступ
РОЗДІЛ 1 ФОРМУВАННЯ БЮДЖЕТІВ ДЛЯ ВИЗНАЧЕННЯ СОБІВАРТОСТІ ТА ЦІНИ ПРОДУКЦІЇ
1.1 Загальна характеристика підприємства
1.2 Бюджет прямих витрат на виробництво продукції
1.3 Бюджет непрямих витрат на виробництво продукції
1.4 Калькуляція собівартості та визначення ціни одиниці продукції
1.5 Аналіз беззбитковості виробництва
РОЗДІЛ 2 ФІНАНСОВИЙ РОЗДІЛ БІЗНЕС-ПЛАНУ ПІДПРИЄМСТВА
2.1 Прогнозування потоків коштів
2.2 Прогнозування звіту про фінансові результати та балансу прямим методом
2.3 Ф
ostah
: 25 ноября 2012
5 руб.
Курсовая работа «Исследование возможности применения средств защиты на предприятиях» вариант 4
VVA77
: 3 ноября 2016
Предприятие:
- является филиалом крупной Компании А;
- предприятие содержит локальную сеть, состоящую из N компьютеров и M серверов;
Вариант 4
Развертывание VPN на базе локальной сети предприятия (филиала) с подключением к главному офису Компании.
Количество компьютеров: N = 378;
Количество серверов: M = 5.
VVA77
: 3 ноября 2016
200 руб.
