Электроника. Экзамен. 3-й семестр

Цена:
100 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 69D37095-28FD-40E1-9434-7F71023902CE.doc [Office 2010, 11 стр., 188 KB]

Необходимые программы

Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

1.Эквивалентные схемы полевых транзисторов.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электроника
Вид работы: Экзамен
Оценка:Удовлетворительно
Дата оценки: 21.01.2013
Рецензия:Уважаемая ,Вы неверно ответили на второй вопрос

Похожие материалы

Электроника. 3-й семестр. Экзамен
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Ирина16 : 19 декабря 2017
120 руб.
Экзамен. Электроника. 3-й семестр.
1. Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ). 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные х
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User CDT-1 : 17 марта 2015
120 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника, 2-й семестр.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встрое
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User alexip23 : 26 сентября 2015
200 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника. 3-й семестр
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1. Дифференциальные усилители на биполярных и полевых транзисторах. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, п
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User наташ : 29 ноября 2011
300 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Экзамен. 4-й семестр
1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ). 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные ха
Электротехника ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная
User karapulka : 22 января 2017
50 руб.
Электроника. Экзамен. СБТ/МБТ. 4-й семестр
Вопрос 1. Полевые транзисторы. Устройство. Типы. Режимы работы. Вопрос 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. Вопрос 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User sanco25 : 16 февраля 2014
59 руб.
Электроника. Экзамен. СБТ/МБТ. 4-й семестр
Электроника. Экзамен. 5-й семестр. Билет № 13
1.Принцип действия полевого транзистора с р-n переходом. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покаж
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User chester : 10 января 2013
150 руб.
Электроника. Экзамен. 3-й семестр. 13-й вариант
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Принцип действия полевого транзистора с р-n переходом. Транзисторы этого типа являются униполярными в отличие от бездрейфовых и дрейфовых транзисторов, в принципе работы которых лежит использование носителей заряда двух типов: электронов и дырок, и которые поэтому называются биполярными. В униполярных транзисторах явление инжекции не используется и в принципе их работы лежит использование носителей 2.Изобразите принципиальную схему базового эл
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User nataliykokoreva : 17 ноября 2013
50 руб.

Другие работы

Проектування технологічного оснащення та вимірювального інструменту
ЗМІСТ Вступ. 1.Проектування металорізального інструменту 1.1.Призначення та область застосування інструменту. 1.2.Обґрунтування вибору геометричних параметрів ріжучої частини і конструктивних елементів. 1.3.Повний конструкторський розрахунок з оформленням необхідних ескізів. 2.Проектування контрольно-вимірювального інструменту або пристрою. 2.1. Описати призначення та область застосування контрольно-вимірювального інструменту (пристрою). 2.2. Повний конструкторський розрахунок параметрів контрол
Проектирование инструмента Работа
User Elfa254 : 15 февраля 2014
15 руб.
Методическое пособие - конспект курса лекций по теме «Метрология»
Методическое пособие - конспект курса лекций по теме «Метрология» предназначено для слесарей по КИПиА работающих в метрологических лабораториях и занимающихся калибровкой средств измерений . В конспекте кратко изложен материал курса лекций «Метрология» используемый при повышении квалификации слесарей по КИПиА работающих в метрологических группах ООО «Тюментрансгаз». Рассмотрены основные метрологические определения и понятия, виды и методы измерений, метрологические ха-рактеристики средств изм
Конспект Метрология и стандартизация
User GrantForse : 16 апреля 2013
5 руб.
Лабораторные работы №№(1,3) и Контрольная работа по дисциплине: Антенны и распространение радиоволн. Вариант №4. Цифры 40
Часть 1. Распространение радиоволн. (N – соответствует дню рождения, а M – месяцу рождения слушателя) 22.10 N=4; M=0 Таблица 1 – Исходные данные для решения задач: День рождения 1-6 7-12 13-18 19-24 25-30 Параметр N 0 5 2 4 3 Месяц рождения 1 2 3-4 5 6 7-8 9 10 11 12 Параметр M 9 4 5 6 7 8 3 0 1 2 Задача 1 Определить отношение плотности тока смещения к плотности тока проводимости для морской воды с параметрами ԑ = 80, μ =1, σ = 8 См/м и сухой почвы с параметрами ԑ = 8, μ = 1, σ = 2·10-3 См
СибГУТИ Антенны и распространение радиоволн Работа Контрольная
User IT-STUDHELP : 23 ноября 2021
600 руб.
promo
Контрольная работа по "Основы передачи дискретных сообщений". Вариант №22
Задача №1 Для дискретного симметричного канала без памяти вероятность ошибочного приема элемента равна . Рассчитать вероятности поражения кодовой комбинации заданной длины , ошибкой кратности . Сделать выводы по результатам расчетов. Задача №2 Определить вероятность неправильного приема кодовой комбинации , если для передачи используется код с кодовым расстоянием в режиме исправления ошибок. Длину кодовой комбинации и вероятность ошибочного приема элемента взять из условия задачи №1
СибГУТИ Работа Контрольная Телекоммуникации
User ldthm23 : 3 марта 2014
500 руб.
up Наверх