Электротехника, электроника и схемотехника. Экзамен. Билет №6
-
Категории:
Электротехника, СибГУТИ, Работа Экзаменационная
-
Добавлен:
23.02.2015
-
Размер:
1014 KB
-
Покупок:
4
-
Добавил:
rt
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Экзамен.doc
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ).
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ).
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
Дополнительная информация
-Состояние: Отлично
-Преподаватель: Игнатов А. Н.
- СибГУТИ
- 2015 г
-Преподаватель: Игнатов А. Н.
- СибГУТИ
- 2015 г
Похожие материалы
Электротехника, электроника и схемотехника Экзамен. Билет №6
Legeoner13
: 6 марта 2015
1. Импульсная характеристика цепи h(t). Ее применение.
Импульсной характеристикой цепи называется реакция цепи на воздействие единичной импульсной функции . Обозначается импульсная характеристика h(t).
Импульсная характеристика цепи определяется как производная от переходной характеристики цепи g(t) (это реакция цепи на воздействие в виде единичной ступенчатой функции). Если переходная характеристика имеет скачок при t = 0, то есть , то при дифференцировании появляется дополнительное слагаемо
Legeoner13
: 6 марта 2015
50 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (3 сем.). Экзамен. Билет № 6.
nik200511
: 7 сентября 2013
1. Импульсная характеристика цепи h(t). Ее применение.
Импульсной характеристикой цепи называется реакция цепи на воздействие единичной импульсной функции . Обозначается импульсная характеристика h(t).
Импульсная характеристика цепи определяется как производная от переходной характеристики цепи g(t) (это реакция цепи на воздействие в виде...
2. Определить i2(0+), ток в момент коммутации: Е=12 В, R=10 Ом.
Решение: Начальные условия нулевые: до коммутации напряжение на емкости равно...
nik200511
: 7 сентября 2013
47 руб.
Экзамен по электротехнике, электронике и схемотехнике
Alex21589
: 15 апреля 2023
ЭКЗАМЕНАЦИОННАЯ РАБОТА
по дисциплине
«Электротехника, электроника и схемотехника»
Билет №15
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе
Alex21589
: 15 апреля 2023
150 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Экзамен
sibguter
: 5 июня 2018
№1 Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры.
№2 Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
№3 Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характ
sibguter
: 5 июня 2018
29 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Экзамен
gnv1979
: 8 января 2017
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Аналоговые ключи на транзисторах.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной
характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните,
какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной
характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим э
gnv1979
: 8 января 2017
30 руб.
ЭКЗАМЕН Билет№4 Электротехника, электроника и схемотехника
SOKOLOV
: 2 марта 2025
ЭКЗАМЕН по дисциплине «Электротехника, электроника и схемотехника»
БИЛЕТ №4
1.Фотоэлектрические приборы. Устройство. Принцип действия. Характеристики и параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада
SOKOLOV
: 2 марта 2025
204 руб.
Электротехника, Электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен
Алексей134
: 4 марта 2021
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной
характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,
Алексей134
: 4 марта 2021
100 руб.
Экзамен. Электротехника, электроника и схемотехника. Билет № 4
gnv1979
: 13 июня 2016
Задание № 1. Сущность временного анализа цепей. Интеграл Дюамеля.
Задание № 2. Рассчитать частоты нулей спектра заданного сигнала.
gnv1979
: 13 июня 2016
50 руб.
Другие работы
Многоканальные телекоммуникационные системы. 5-й семестр. Лабораторная работа №1.
ДО Сибгути
: 1 января 2013
Экспериментальное исследование основных параметров и характеристик схем модуляторов многоканальных систем передач.
Содержание:
1. Исследование простейшего модулятора
2) Измерение спектрального состава тока в различных точках схемы на модулятор поданы частоты F= 8 кГц и f= 64 кГц, Rвн=Rн= 600 Ом.
3) Определение рабочего затухания модулятора.
2. Исследование балансного модулятора
ДО Сибгути
: 1 января 2013
100 руб.
Формирование коммуникативных навыков акцентуированных подростков
MaksV
: 7 апреля 2016
ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ 3
ГЛАВА 1. ФОРМИРОВАНИЕ КОММУНИКАТИВНЫХ НАВЫКОВ АКЦЕНТУИРОВАННЫХ ПОДРОСТКОВ КАК ПСИХОЛОГО-ПЕДАГОГИЧЕСКАЯ ПРОБЛЕМА 8
1.1. Коммуникация как педагогический феномен 8
1.2. Специфика акцентуированных подростка как субъекта коммуникативной деятельности 12
1.3. Проблема формирования коммуникативных навыков в подростковом возрасте 25
ГЛАВА 2. ПЕДАГОГИЧЕСКИЕ УСЛОВИЯ ФОРМИРОВАНИЯ КОММУНИКАТИВНЫХ НАВЫКОВ ПОДРОСТКОВ С АКЦЕНТУАЦИЯМИ ХАРАКТЕРА 40
2.1. Диагностика сформированности коммун
MaksV
: 7 апреля 2016
1500 руб.
Курсовая работа по электронике. Вариант №6. Семестр №5. ЗО.
grigorev1976
: 19 января 2016
Разработать принципиальную схему и выполнить расчет двухкаскадной схемы усилителя с использованием полевого и биполярного транзисторов.
Цель курсовой работы
Научиться:
осуществлять правильный выбор типов и структур биполярных и полевых транзисторов;
производить электрический расчет схем простейших устройств;
приобрести навыки в составлении топологии интегральных микросхем;
Исходные данные
Напряжение источника питания - Uпит = +15 В.
Коэффициент усиления по напряжению - Кu = 12 раз.
Входное
grigorev1976
: 19 января 2016
250 руб.
Лабораторная работа №1 по предмету « Основы схемотехники». “Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе”
Ash89
: 3 ноября 2011
“Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе”
Содержание отчета
1. Принципиальная схема исследуемого каскада.
2. Результаты расчета.
3. Графики амплитудно-частотных характеристик.
4. Осциллограммы выходного импульсного сигнала, данные измерений переходных искажений.
5. Выводы по результатам измерений, сравнение с результатами расчетов.
1. Принципиальная схема исследуемого каскада.
Ash89
: 3 ноября 2011
35 руб.
