Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант №21

Цена:
300 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon кр.doc
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Контрольная работа По дисциплине: Устройства оптоэлектроники.
Вариант 21

Задача No1

Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фоторезистора. Номер варианта для 1 задачи соответствует последней цифре шифра 21.
Таблица 1
No варианта Тип фотоприёмника (ФП)
1 Фотодиод со структурой p-i-n

Задача No2

Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приёмника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприёмника и указать на ней . Номер варианта для 2 задачи соответствует предпоследней цифре шифра 21.
Таблица 2
No варианта Тип ПП Квантовая эффективность, η Ширина запрещенной зоны ΔW, эВ
2 GaAs 0,6 1,41

Задача No3

Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и какие состояния выходов дешифратора определяют индикацию цифры 1, соответствующей последней цифре шифра. Результаты оформить в виде таблицы истинности.

Задача No4

Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр. Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Таблица 4
No варианта Тип светодиода Напряжение питания Uпит, В Номинал ограничительного сопротивления, Ом
2 АЛ307Б 12 910

Дополнительная информация

СИБГУТИ
МТС
2014
отлично
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача №1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Фотодиод с гетероструктурой Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны. Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
User karimoverkin : 11 июня 2017
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники”
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант Тип фотоприемника (ФП) 0 Фотодиод на основе р-n перехода Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр. Исходные данные Таблица 2. Варианты и данные фотоприемн
User Dctjnkbxyj789 : 11 февраля 2017
35 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант Тип фотоприемника (ФП) 9 Фоторезистор Решение: Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра. В фоторезисторах используется явление изменения сопротивления вещества под действием инфракрасно
User nvm1604 : 27 января 2016
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Вариант 4. Тип фотоприемника (ФП): Лавинный фотодиод
User lebed-e-va : 28 апреля 2015
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Заданный тип - Лавинный фотодиод Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. Задача No3 Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикат
User ART1800 : 8 мая 2013
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 30
Номер варианта для решения первой и третьей задач должен соответствовать последней цифре Вашего пароля, номер варианта при решении второй и четвертой задач должен соответствовать предпоследней цифре вашего пароля. Задача №1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Последняя цифра пароля: 0 Тип фотоприемника (ФП): Фотодиод на основе p-n-перехода Задача №2 Определить длинноволновую границу фотоэ
User Учеба "Под ключ" : 4 сентября 2022
600 руб.
promo
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 07
Задача №1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1 – Исходные данные № варианта: 7 Тип фотоприемника: Фототранзистор Задача №2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр. Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2. № варианта: 0 Тип ПП материала: Ge Кван
User SibGOODy : 14 сентября 2018
400 руб.
promo
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 18
Задача №1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. № варианта: 8 Тип фотоприемника: Фототиристор Задача №2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр. Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2. № варианта: 1 Тип ПП материала: Si Квантовая эффективность, n: 0,7 Ши
User SibGOODy : 7 августа 2018
450 руб.
promo
Модернизация стенда для демонтажа шин (конструкторский раздел дипломного проекта)
СОДЕРЖАНИЕ 4. Конструкторский раздел 4.1 Обоснование принятой конструкции 4.2 Работа стенда 4.3 Устройство узлов гидросистемы 4.4 Определение усилия на штоке гидроцилиндра 4.2 РАБОТА СТЕНДА Гидроцилиндр, предназначенный для выдавливания диска коле-са, крепится в горизонтальном положении к щекам, которые в свою очередь привариваются к раме. Щеки изготавливают из листовой стали Ст 3 толщиной 16 мм. При вращении электродвигателя, масляный насос по системе трубопроводов через распред
User kreuzberg : 11 июля 2018
999 руб.
Модернизация стенда для демонтажа шин (конструкторский раздел дипломного проекта)
Курсовая работа. Общая теория связи. Вариант №01.
«Разработка системы связи для передачи непрерывных сообщений дискретными сигналами» Задание: разработать обобщенную структурную схему системы связи для передачи непрерывных сообщений дискретными сигналами, разработать структурную схему приемника и структурную схему оптимального фильтра, рассчитать основные характеристики разработанной системы связи и сделать обобщающие выводы по результатам расчетов. Исходные данные 1 Номер варианта: N=01 2 Вид сигнала в кана
User DarkInq : 5 марта 2015
50 руб.
2019 Материалы электронных средств (МЭС). Контрольная работа. Вариант 7 СибГУТИ ДО
Задача No 3.1.2 Вычислить падение напряжения на полностью включенном реостате, изготовленном из константановой проволоки длиной 10 м, при плотности тока 5 А/мм2. Удельное сопротивление константана принять равным 0,5 мкОм·м. Задача No 3.1.7 Определить падение напряжения в медной линии электропередач длиной 50 км при 50°С , сечением 10 мм2и по нему течет ток 60 А Задача No3.2.2 В собственном германии ширина запрещенной зоны при температуре 300 К равна 0,665 эВ. На сколько надо повысить температу
User Diawol : 6 сентября 2019
40 руб.
2019 Материалы электронных средств (МЭС). Контрольная работа. Вариант 7 СибГУТИ ДО
Характеристика степени выраженности жестокости и агрессивности у современных подростков и юношей
ВВЕДЕНИЕ. 2 1. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ПОДХОДЫ К ИЗУЧЕНИЕЮ ЖЕСТОКОСТИ И АГРЕССИВНОСТИ У ПОДРОСТКОВ И ЮНОШЕЙ.. 5 1.1 Понятие жестокости и агрессивности в психологии. 5 1.2 Психологическая характеристика подросткового возраста. 10 1.3 Психологическая характеристика юношеского возраста. 13 1.4 Особенности агрессивности и жестокости в подростковом и юношеском возрасте 17 2. ЭМПИРИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ЖЕСТОКОСТИ И АГРЕССИВНОСТИ У ПОДРОСТКОВ И ЮНОШЕЙ.. 22 2.1 Программа исследования. 22 2.2 Анализ резуль
User Qiwir : 18 октября 2013
up Наверх