Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант №21
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Контрольная работа По дисциплине: Устройства оптоэлектроники.
Вариант 21
Задача No1
Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фоторезистора. Номер варианта для 1 задачи соответствует последней цифре шифра 21.
Таблица 1
No варианта Тип фотоприёмника (ФП)
1 Фотодиод со структурой p-i-n
Задача No2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приёмника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприёмника и указать на ней . Номер варианта для 2 задачи соответствует предпоследней цифре шифра 21.
Таблица 2
No варианта Тип ПП Квантовая эффективность, η Ширина запрещенной зоны ΔW, эВ
2 GaAs 0,6 1,41
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и какие состояния выходов дешифратора определяют индикацию цифры 1, соответствующей последней цифре шифра. Результаты оформить в виде таблицы истинности.
Задача No4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр. Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Таблица 4
No варианта Тип светодиода Напряжение питания Uпит, В Номинал ограничительного сопротивления, Ом
2 АЛ307Б 12 910
Вариант 21
Задача No1
Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фоторезистора. Номер варианта для 1 задачи соответствует последней цифре шифра 21.
Таблица 1
No варианта Тип фотоприёмника (ФП)
1 Фотодиод со структурой p-i-n
Задача No2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приёмника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприёмника и указать на ней . Номер варианта для 2 задачи соответствует предпоследней цифре шифра 21.
Таблица 2
No варианта Тип ПП Квантовая эффективность, η Ширина запрещенной зоны ΔW, эВ
2 GaAs 0,6 1,41
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и какие состояния выходов дешифратора определяют индикацию цифры 1, соответствующей последней цифре шифра. Результаты оформить в виде таблицы истинности.
Задача No4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр. Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Таблица 4
No варианта Тип светодиода Напряжение питания Uпит, В Номинал ограничительного сопротивления, Ом
2 АЛ307Б 12 910
Дополнительная информация
СИБГУТИ
МТС
2014
отлично
МТС
2014
отлично
Похожие материалы
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
karimoverkin
: 11 июня 2017
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Фотодиод с гетероструктурой
Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны.
Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники”
Dctjnkbxyj789
: 11 февраля 2017
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
0 Фотодиод на основе р-n перехода
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника.
Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр.
Исходные данные
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемн
35 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
nvm1604
: 27 января 2016
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
9 Фоторезистор
Решение:
Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра.
В фоторезисторах используется явление изменения сопротивления вещества под действием инфракрасно
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
lebed-e-va
: 28 апреля 2015
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант 4.
Тип фотоприемника (ФП): Лавинный фотодиод
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
ART1800
: 8 мая 2013
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Заданный тип - Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикат
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 30
Учеба "Под ключ"
: 4 сентября 2022
Номер варианта для решения первой и третьей задач должен соответствовать последней цифре Вашего пароля, номер варианта при решении второй и четвертой задач должен соответствовать предпоследней цифре вашего пароля.
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Последняя цифра пароля: 0
Тип фотоприемника (ФП): Фотодиод на основе p-n-перехода
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэ
600 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 07
SibGOODy
: 14 сентября 2018
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1 – Исходные данные
№ варианта: 7
Тип фотоприемника: Фототранзистор
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
№ варианта: 0
Тип ПП материала: Ge
Кван
400 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 18
SibGOODy
: 7 августа 2018
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
№ варианта: 8
Тип фотоприемника: Фототиристор
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
№ варианта: 1
Тип ПП материала: Si
Квантовая эффективность, n: 0,7
Ши
450 руб.
Другие работы
Модернизация стенда для демонтажа шин (конструкторский раздел дипломного проекта)
kreuzberg
: 11 июля 2018
СОДЕРЖАНИЕ
4. Конструкторский раздел
4.1 Обоснование принятой конструкции
4.2 Работа стенда
4.3 Устройство узлов гидросистемы
4.4 Определение усилия на штоке гидроцилиндра
4.2 РАБОТА СТЕНДА
Гидроцилиндр, предназначенный для выдавливания диска коле-са, крепится в горизонтальном положении к щекам, которые в свою очередь привариваются к раме. Щеки изготавливают из листовой стали Ст 3 толщиной 16 мм.
При вращении электродвигателя, масляный насос по системе трубопроводов через распред
999 руб.
Курсовая работа. Общая теория связи. Вариант №01.
DarkInq
: 5 марта 2015
«Разработка системы связи для передачи непрерывных сообщений дискретными сигналами»
Задание: разработать обобщенную структурную схему системы связи для передачи непрерывных сообщений дискретными сигналами, разработать структурную схему приемника и структурную схему оптимального фильтра, рассчитать основные характеристики разработанной системы связи и сделать обобщающие выводы по результатам расчетов.
Исходные данные
1 Номер варианта: N=01
2 Вид сигнала в кана
50 руб.
2019 Материалы электронных средств (МЭС). Контрольная работа. Вариант 7 СибГУТИ ДО
Diawol
: 6 сентября 2019
Задача No 3.1.2
Вычислить падение напряжения на полностью включенном реостате, изготовленном из константановой проволоки длиной 10 м, при плотности тока 5 А/мм2. Удельное сопротивление константана принять равным 0,5 мкОм·м.
Задача No 3.1.7
Определить падение напряжения в медной линии электропередач длиной 50 км при 50°С , сечением 10 мм2и по нему течет ток 60 А
Задача No3.2.2
В собственном германии ширина запрещенной зоны при температуре 300 К равна 0,665 эВ. На сколько надо повысить температу
40 руб.
Характеристика степени выраженности жестокости и агрессивности у современных подростков и юношей
Qiwir
: 18 октября 2013
ВВЕДЕНИЕ. 2
1. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ПОДХОДЫ К ИЗУЧЕНИЕЮ ЖЕСТОКОСТИ И АГРЕССИВНОСТИ У ПОДРОСТКОВ И ЮНОШЕЙ.. 5
1.1 Понятие жестокости и агрессивности в психологии. 5
1.2 Психологическая характеристика подросткового возраста. 10
1.3 Психологическая характеристика юношеского возраста. 13
1.4 Особенности агрессивности и жестокости в подростковом и юношеском возрасте 17
2. ЭМПИРИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ЖЕСТОКОСТИ И АГРЕССИВНОСТИ У ПОДРОСТКОВ И ЮНОШЕЙ.. 22
2.1 Программа исследования. 22
2.2 Анализ резуль