Лабораторная работа №6.8 по дисциплине: «Физика (спец.главы)». Тема: «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников». Вариант 08
-
Категории:
СибГУТИ, Физика , Работа Лабораторная
-
Добавлен:
21.03.2015
-
Размер:
265 KB
-
Покупок:
8
-
Добавил:
Roma967
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
E86B6135-8532-492C-829D-F33CADA861A7.docx
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Лабораторная работа No6.8
Тема: «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников».
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Теоретическое введение
3. Описание лабораторной установки
4. Выполнение задания
Сила тока для варианта No8 равна 8.6мА
Вывод
5. Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln(σ) от 1/Т?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Список литературы
Тема: «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников».
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Теоретическое введение
3. Описание лабораторной установки
4. Выполнение задания
Сила тока для варианта No8 равна 8.6мА
Вывод
5. Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln(σ) от 1/Т?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Список литературы
Дополнительная информация
Работа успешно зачтена.
Выполняю работы на заказ.
Выполняю работы на заказ.
Похожие материалы
Физика(спец. главы). Работа лабораторная №6.8. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
SemenovSam
: 3 мая 2016
ПОЛНОЕ ОПИСАНИЕ РАБОТЫ НА СКРИНШОТАХ!
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
SemenovSam
: 3 мая 2016
100 руб.
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Саша78
: 9 апреля 2020
Вариант 09
Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
Саша78
: 9 апреля 2020
100 руб.
Лабораторная работа №6.8 по дисциплине: Физика (спец. главы) Тема: «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников». Вариант №6
Учеба "Под ключ"
: 29 декабря 2016
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Теоретическое введение
3. Описание лабораторной установки
4. Выполнение задания
Сила тока для варианта No6 равна 7,0 мА
Вывод
5. Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln(σ) от 1/Т?
3. Вывести фор
Учеба "Под ключ"
: 29 декабря 2016
250 руб.
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
chita261
: 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
Murlishka
: 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
AndrewZ54
: 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
70 руб.
Другие работы
Модернизация автоматизированной замерной установки УЗМ. Кориолисовый расходомер-Курсовая работа-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа
lelya.nakonechnyy.92@mail.ru
: 9 августа 2016
Модернизация автоматизированной замерной установки УЗМ. Кориолисовый расходомер-Курсовая работа-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа
тему “Модернизация УЗМ”. Поскольку предложенная мною модернизация позволяет замеры дебита на скважине сделать автоматическими, и что, в свою очередь увеличивает объем выпускаемой продукции, то тему данного проекта считаю актуальной и современной.
1) На первом листе проекта представлен общий вид УЗМ, она предназначена для измерения в автом
lelya.nakonechnyy.92@mail.ru
: 9 августа 2016
1843 руб.
Возникновение и развитие Киевской Руси
Qiwir
: 2 сентября 2013
Главный источник наших знаний о древней Руси - средневековые летописи: "Повесть временных лет" (начало 12 века), Киевская (12 век), Галицко-Волынская (13 век), а также Новгородская, Суздальская, Московская и другие. В архивах, библиотеках и музеях их насчитывается несколько сот, но по существу это одна книга, которую писали сотни авторов, начав свой труд в 9 веке и окончив его спустя семь столетий. Свыше 11 веков тому назад восточные славяне создали свое первое государство. Летописи и прочие пам
Qiwir
: 2 сентября 2013
5 руб.
Сегментація позичальників та прийняття рішення за допомогою карт Кохонена
Slolka
: 5 октября 2013
Кожен позичальник має визначений набір факторів. Для аналізу ринку кредитування необхідно в першу чергу зрозуміти загальну картину. Хто бере кредити, навіщо, які існують причини відмовлень у видачі кредитів або причини неспроможності.
Для цього необхідно наочне представлення всіх наявних даних. Таку задачу можна вирішити за допомогою побудови самонавчальних карт Кохонена.
Для сегментації позичальників алгоритм формування карт ознак вхідних векторів буде наступним:
1. Ініціалізація мережі.
Ва
Slolka
: 5 октября 2013
10 руб.
Отчет по практике: Деятельность торгового предприятия
evelin
: 11 октября 2013
Введение
1. Краткая характеристика предприятия
2. Организационная структура предприятия
3. Внешняя среда предприятия
4. Внутренняя среда предприятия
5. Анализ финансового состояния предприятия
Заключение
Приложения
Введение
Основной целью прохождения производственной практики является закрепление и углубление знаний, полученных во время обучения, приобретение практических навыков работы по специальности в условиях перехода предприятия к рыночным отношениям.
Так как данная практика явля
evelin
: 11 октября 2013
22 руб.
