Лабораторная работа №6.8 по физике (спецглавы) "Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников". Вариант 08.

Цена:
60 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 68BF2CB5-8AF7-4419-BE77-66708FDE6B74.rar [ 75 KB ]
material.view.file_icon лаб работа физика 6.8.doc [ 223 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Данные по пункту 4 для 8 варианта: Сила тока, мА - 8,6

Контрольные вопросы:

1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости lns от 1 / T .?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.

Дополнительная информация

Дата сдачи: 05.09.2014
СибГУТИ, 2 семестр, отдел ДО
Преподаватель: Стрельцов А.И.
Оценка: Зачет

Похожие материалы

«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
******* Не известно Физика Работа Лабораторная
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8 «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников» 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
СибГУТИ Физика Работа Лабораторная
User chita261 : 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Теоретические сведения и ход работы: В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно, |q+| = |q-| = e и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n Тогда (2)
СибГУТИ Работа Лабораторная Физика. Физика математическая
User Murlishka : 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10 Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы: Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
СибГУТИ Физика и энергетика Работа Лабораторная
User AndrewZ54 : 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны 2. Теоретическое введение Электропроводность материалов определяется выражением: где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
СибГУТИ Работа Лабораторная Физика. Физика математическая
User qawsedrftgyhujik : 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны ВЫВОД В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( ) Контрольные вопросы 1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника. 2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
СибГУТИ Физика. Физика математическая Работа Контрольная
User DenKnyaz : 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
СибГУТИ Работа Лабораторная Физика. Физика математическая
User vereney : 25 ноября 2010
30 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8 2сем вариант 7. 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны. Контрольные вопросы 1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника. 2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от 1 / T .? 3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
СибГУТИ Работа Лабораторная Физика. Физика математическая
User gerold66 : 22 октября 2009
49 руб.

Другие работы

11-й вариант. Проектирование информационных систем.
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЦЕЛИ, ЗАДАЧ И ФУНКЦИЙ ИНФОРМАЦИОННОЙ СИСТЕМЫ Предметная область № 11: обувная фабрика Обувная фабрика производит разнообразную обувь, ассортимент которой зависит от конъюнктуры рынка, от сезона, от моды. У различных поставщиков фабрика закупает необходимые для производства материалы и сырье. Готовая продукция отпускается в магазины под реализацию. При необходимости магазины могут высказывать свои пожелания/претензии на ассортимент. Брак и отходы производства переда
Информатика Практические занятия и отчеты
User studypro3 : 22 июля 2020
500 руб.
Киевская Русь
ДЕЯТЕЛЬНОСТЬ ПЕРВЫХ КИЕВСКИХ КНЯЗЕЙ.- ОБЪЕДИНЕНИЕ ВОСТОЧНЫХ СЛАВЯНСКИХ ПЛЕМЕН ПОД ВЛАСТЬЮ КИЕВСКОГО КНЯЗЯ.- УСТРОЙСТВО УПРАВЛЕНИЯ.- НАЛОГИ; ПОВОЗЫ И ПОЛЮДЬЯ.- СВЯЗЬ УПРАВЛЕНИЯ С ТОРГОВЫМ ОБОРОТОМ.- ВНЕШНЯЯ ДЕЯТЕЛЬНОСТЬ КИЕВСКИХ КНЯЗЕЙ.- ДОГОВОРЫ И ТОРГОВЫЕ ОТНОШЕНИЯ РУСИ С ВИЗАНТИЕЙ.- ЗНАЧЕНИЕ ЭТИХ ДОГОВОРОВ И СНОШЕНИЙ В ИСТОРИИ РУССКОГО ПРАВА.- ВНЕШНИЕ ЗАТРУДНЕНИЯ И ОПАСНОСТИ РУССКОЙ ТОРГОВЛИ.- ОБОРОНА СТЕПНЫХ ГРАНИЦ.- РУССКАЯ ЗЕМЛЯ В ПОЛОВИНЕ XI В.-НАСЕЛЕНИЕ И ПРЕДЕЛЫ.- ЗНАЧЕНИЕ ВЕЛИКОГО КНЯЗЯ
Рефераты История
User Slolka : 3 сентября 2013
10 руб.
Тепловой расчет парового котла ГМ-50-1
Введение Аннотация Последовательность пуска котла Плановый останов котла 1. Составление расчётно-технологической схемы трактов парового котла. Выбор коэффициентов избытка воздуха. 2. Топливо и продукты горения. 3. Определение расчётного расхода топлива. 4. Выбор схемы сжигания топлива. 5. Поверочный расчёт топки. 5.1. Определение конструктивных размеров и характеристик топки. 5.2. Расчёт теплообмена в топке. 6. Поверочный расчёт фестона. 7. Определение тепловосприятий пароперегреват
Газотурбинные установки Работа Курсовая
User alfFRED : 29 декабря 2013
10 руб.
Проекционное черчение. Вариант 11. Задача 2
Проекционное черчение. Вариант 11. Задача 2 Задача 2 1. По двум видам построить третий. 2. Нанести размеры по ГОСТ 2.307-2011. 3. Выполнить простые разрезы по ГОСТ 2.305-2008. 4. Построить изометрическую проекцию. Чертеж и 3d модель (все на скриншотах показано и присутствует в архиве) выполнены в КОМПАС 3D. Также открывать и просматривать, печатать чертежи и 3D-модели, выполненные в КОМПАСЕ можно просмоторщиком КОМПАС-3D Viewer. По другим вариантам и всем вопросам пишите в Л/С. Отвечу и пом
Начертательная геометрия и инженерная графика Чертежи БНТУ
User coolns : 4 октября 2023
100 руб.
Проекционное черчение. Вариант 11. Задача 2 promo
up Наверх