Лабораторная работа №6.8 по физике (спецглавы) "Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников". Вариант 08.

Цена:
60 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 68BF2CB5-8AF7-4419-BE77-66708FDE6B74.rar [ 75 KB ]
material.view.file_icon лаб работа физика 6.8.doc [ 223 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Данные по пункту 4 для 8 варианта: Сила тока, мА - 8,6

Контрольные вопросы:

1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости lns от 1 / T .?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.

Дополнительная информация

Дата сдачи: 05.09.2014
СибГУТИ, 2 семестр, отдел ДО
Преподаватель: Стрельцов А.И.
Оценка: Зачет

Похожие материалы

«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
******* Не известно Физика Работа Лабораторная
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8 «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников» 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
СибГУТИ Физика Работа Лабораторная
User chita261 : 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Теоретические сведения и ход работы: В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно, |q+| = |q-| = e и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n Тогда (2)
СибГУТИ Работа Лабораторная Физика. Физика математическая
User Murlishka : 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10 Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы: Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
СибГУТИ Физика и энергетика Работа Лабораторная
User AndrewZ54 : 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны 2. Теоретическое введение Электропроводность материалов определяется выражением: где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
СибГУТИ Работа Лабораторная Физика. Физика математическая
User qawsedrftgyhujik : 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны ВЫВОД В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( ) Контрольные вопросы 1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника. 2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
СибГУТИ Физика. Физика математическая Работа Контрольная
User DenKnyaz : 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
СибГУТИ Работа Лабораторная Физика. Физика математическая
User vereney : 25 ноября 2010
30 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8 2сем вариант 7. 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны. Контрольные вопросы 1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника. 2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от 1 / T .? 3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
СибГУТИ Работа Лабораторная Физика. Физика математическая
User gerold66 : 22 октября 2009
49 руб.

Другие работы

Выпускная квалификационная работа. ВКР. Диплом. Исследование и разработка сети беспроводного доступа в МФЦ
Содержание Введение …………………………………………………………………………….3 1. Описание стандарта…………………………………………………...4 2. Выбор оборудования………………………………………………………19 3.Расчетная часть…………………………………………………………..37 4 Место реализации проекта……………………………………………40 5.Проектирование сети с помощью Wi-iPlanerPRO………….44 6. Безопасность жизнедеятельности ……………………………...45 7.Расчет технико- экономичекой эффективности проектируемой сети ………..56 8 Заключение ………………………………………………………………….67 9 Библиография ……………………………………………………………….68
Диплом и связанное с ним СибГУТИ Дипломные проекты
User SibGUTI2 : 25 августа 2018
300 руб.
Станки-качалки-Плакат-Картинка-Фотография-Чертеж-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа-Формат Microsoft PowerPoint
Станки-качалки-Плакат-Картинка-Фотография-Чертеж-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа-Формат Microsoft PowerPoint
Нефтяная промышленность Чертежи
User nakonechnyy.1992@list.ru : 10 ноября 2017
277 руб.
Станки-качалки-Плакат-Картинка-Фотография-Чертеж-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа-Формат Microsoft PowerPoint
В.П. Большаков. Создание трехмерных моделей и конструкторской документации в системе КОМПАС-3D. Вариант 9 Задание 2.
В.П. Большаков. Создание трехмерных моделей и конструкторской документации в системе КОМПАС-3D. Вариант 9 Задание 2. Пункты 9.2.1-9.2.4.
Чертежи Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет ЛЭТИ Инженерная и компьютерная графика
User DiKey : 9 апреля 2023
200 руб.
В.П. Большаков. Создание трехмерных моделей и конструкторской документации в системе КОМПАС-3D. Вариант 9 Задание 2.
Лабораторные работы №№ 1, 2, 3, 4, 5. по дисциплине: Вычислительная математика. Семестр 3. Вариант № 9
Лабораторная работа №1. Интерполяция. Лабораторная работа №2.Решение систем линейных уравнений Лабораторная работа №3.Решение нелинейных уравнений Лабораторная работа №4. Численное дифференцирование Лабораторная работа №5. Одномерная оптимизация
СибГУТИ Работа Лабораторная Вычислительная математика
User dubhe : 19 февраля 2015
300 руб.
promo
up Наверх