Лабораторная работа №6.8 по физике (спецглавы) "Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников". Вариант 08.

Цена:
60 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 68BF2CB5-8AF7-4419-BE77-66708FDE6B74.rar [75 KB]
material.view.file_icon лаб работа физика 6.8.doc [Office 2010, 9 стр., 223 KB]

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Данные по пункту 4 для 8 варианта: Сила тока, мА - 8,6

Контрольные вопросы:

1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости lns от 1 / T .?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.

Дополнительная информация

Дата сдачи: 05.09.2014
СибГУТИ, 2 семестр, отдел ДО
Преподаватель: Стрельцов А.И.
Оценка: Зачет

Похожие материалы

«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
******* Не известно Физика Работа Лабораторная
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8 «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников» 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
СибГУТИ Физика Работа Лабораторная
User chita261 : 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Теоретические сведения и ход работы: В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно, |q+| = |q-| = e и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n Тогда (2)
СибГУТИ Работа Лабораторная Физика. Физика математическая
User Murlishka : 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10 Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы: Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
СибГУТИ Физика и энергетика Работа Лабораторная
User AndrewZ54 : 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны 2. Теоретическое введение Электропроводность материалов определяется выражением: где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
СибГУТИ Работа Лабораторная Физика. Физика математическая
User qawsedrftgyhujik : 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны ВЫВОД В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( ) Контрольные вопросы 1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника. 2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
СибГУТИ Физика. Физика математическая Работа Контрольная
User DenKnyaz : 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
СибГУТИ Работа Лабораторная Физика. Физика математическая
User vereney : 25 ноября 2010
30 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8 2сем вариант 7. 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны. Контрольные вопросы 1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника. 2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от 1 / T .? 3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
СибГУТИ Работа Лабораторная Физика. Физика математическая
User gerold66 : 22 октября 2009
49 руб.

Другие работы

Термодинамика и теплопередача СамГУПС 2012 Задача 41 Вариант 1
Какова толщина слоя изоляции паропровода, если при температуре внутренней ее поверхности t1ст наружная поверхность диаметром d2 имеет температуру t2ст=50 ºС? Коэффициент теплопроводности изоляции λ=0,08 Вт/(м·К). Коэффициент теплоотдачи от поверхности изоляции к окружающему воздуху α2=15 Вт/(м²·К). Температура воздуха t2=20 ºC.
Задачи Теплотехника
User Z24 : 13 ноября 2025
150 руб.
Термодинамика и теплопередача СамГУПС 2012 Задача 41 Вариант 1
Разработка инвестиционного проекта ОАО "Завод по производству труб большого диаметра"
Введение 7 1 Аналитический обзор литературы 8 1.1 Основные понятия инвестиционного проектирования 8 1.1.1 Понятие проекта и проектного цикла
Работа Экономика
User Slolka : 3 ноября 2013
15 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине " Основы передачи дискретных сигналов" билет 12
Дисциплина: Основы передачи дискретных сообщений 1. Расчет параметров поэлементной синхронизации: Погрешность синхронизации, время синхронизации, время поддержания синхронизма, вероятность срыва синхронизма. 2. Циклические коды. Алгоритмы построения циклических кодов. Получение разрешенной кодовой комбинации. Построение кодера ЦК. 3. Определить скорости модуляции и передачи информации, если длительность единичного интервала 5 мс, а передача ведется кодом (15,11). При решении считать, что каждый
Основа передачи дискретных сообщений СибГУТИ Работа Экзаменационная
User Yulya0709 : 22 сентября 2016
80 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине " Основы передачи дискретных сигналов" билет 12
Лабораторная работа № 7.3 по дисциплине: Физика (часть 2). Вариант 6.
Лабораторная работа 7.3 Определение длины электромагнитной волны методом дифракции Фраунгофера 1. Цель работы Исследовать явление дифракции электромагнитных волн. С помощью дифракционной решетки проходящего света измерить длины электромагнитных волн видимого диапазона Контрольные вопросы 1. Максимум какого наибольшего порядка может наблюдаться на данной дифракционной решетке? 2. Дайте понятие дифракции. В чем сущность принципа Гюйгенса-Френеля? 3. Расскажите об устройстве и назначении дифракцион
ДО СИБГУТИ Физика Работа Лабораторная
User Alexbur1971 : 10 октября 2020
250 руб.
up Наверх