Лабораторная работа №6.8. 6-й вариант. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников По дисциплине: Физика
Состав работы
|
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Основные теоретические сведения
Электропроводностью материалов называется величина, обратная удельному сопротивлению. Электропроводность у материалов определяется выражением:
, (1)
где:
q+ и q- – соответственно заряд свободных положительных и свободных отрицательных носителей электрического заряда;
n+ и n- - концентрация соответственно свободных положительных и свободных отрицательных носителей заряда;
µ+ и µ- - подвижность свободных положительных и свободных отрицательных носителей заряда.
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. В полупроводниках положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными – электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e, (2)
и
n+ = n- = n.
Тогда
. (3)
Здесь µn и µp - подвижность соответственно электронов проводимости и дырок.
Строго говоря, n, µn и µp зависят от температуры. Однако во многих случаях в узком диапазоне температур зависимостью µn и µp от T можно пренебречь и принять µn + µp = const. В нашей работе рассматривается именно этот случай.
Зависимость концентрации свободных электронов от температуры описывается экспонентой:
.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Основные теоретические сведения
Электропроводностью материалов называется величина, обратная удельному сопротивлению. Электропроводность у материалов определяется выражением:
, (1)
где:
q+ и q- – соответственно заряд свободных положительных и свободных отрицательных носителей электрического заряда;
n+ и n- - концентрация соответственно свободных положительных и свободных отрицательных носителей заряда;
µ+ и µ- - подвижность свободных положительных и свободных отрицательных носителей заряда.
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. В полупроводниках положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными – электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e, (2)
и
n+ = n- = n.
Тогда
. (3)
Здесь µn и µp - подвижность соответственно электронов проводимости и дырок.
Строго говоря, n, µn и µp зависят от температуры. Однако во многих случаях в узком диапазоне температур зависимостью µn и µp от T можно пренебречь и принять µn + µp = const. В нашей работе рассматривается именно этот случай.
Зависимость концентрации свободных электронов от температуры описывается экспонентой:
.
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физика (спец. главы)
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 18.12.2014
Рецензия:Уважаемая , Ваша лабораторная работа проверена. Экспериментальный результат правильный.
Работа зачтена.
Стрельцов Александр Иванович
Оценена Ваша работа по предмету: Физика (спец. главы)
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 18.12.2014
Рецензия:Уважаемая , Ваша лабораторная работа проверена. Экспериментальный результат правильный.
Работа зачтена.
Стрельцов Александр Иванович
Похожие материалы
Лабораторная работа №6.8 Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников По дисциплине: Физика
FreeForMe
: 10 апреля 2015
4. Задание
1. Установить силу тока через образец в пределах от 3 до 10 мА. Записать силу тока в отчет по лабораторной работе.
2. Изменяйте температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесите в таблицу в отчете по лабораторной работе.
3. Вычислить по формуле (10) электропроводности образца при всех температурах. Прологарифмировать полученные значения электропроводности.
4. Вычислите абсолютные температуры образца Т= t+273, К. Все д
55 руб.
Лабораторная работа 6.8. (Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников) по дисциплине: "Физика (спецглавы)"
wowan1190
: 4 декабря 2013
Лабораторная работа 6.8
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
60 руб.
Лабораторная работа №6.8. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников по дисциплине: Физика. Вариант № 6
Fatony
: 6 июня 2012
Лабораторная работа №6.8 вариант № 6
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Основные теоретические сведения
Электропроводностью материалов называется величина, обратная удельному сопротивлению. Электропроводность у материалов определяется
3. Описание лабораторной установки
Схема лабораторной установки приведена на рис.1.
Сила тока источника (1) не зависит от сопротивления нагрузки. Нагрузкой источн
45 руб.
Лабораторная работа. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. По дисциплине: Физика (спецглавы) вариант№5
natin83
: 2 апреля 2012
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
= + n+ q+ + - n– q- (1)
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности положительных и отрицательных носителей з
150 руб.
Лабораторная работа №6.8 Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников По дисциплине: Физика (спецглавы). Вариант № 2
nb021vvn
: 12 июня 2013
Цель: Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости lnσ от 1/Т ?
Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
150 руб.
Лабораторная работа 6.8 по дисциплине: Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Семестр 2-й. Вариант №1
glec
: 26 января 2013
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Основные теоретические сведения:
Электропроводность материалов определяется выражением:
(1)
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, µ+ и µ- - подвижности положительных и отрицательных носите
70 руб.
Физика. Лабораторная работа № 6. Вариант № 8
aleksei84
: 14 июня 2013
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
29 руб.
Лабораторная работа №6.8 по дисциплине: Физика Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
sasha92
: 9 июня 2014
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
(1)
где и - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, и - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, и - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда.
В нашей задаче исследуетс
50 руб.
Другие работы
Теплотехника РГАЗУ 2012 Задача 2 Вариант 10
Z24
: 15 декабря 2025
Определить параметры (р, υ, Т) рабочего тела в характерных точках идеального цикла поршневого двигателя внутреннего сгорания с изохорно — изобарным подводом теплоты (смешанный цикл), если известны давление р1 и температура t1 рабочего тела в начале сжатия. Степень сжатия ε, степень повышения давления λ, степень предварительного расширения ρ заданы. Показатель политропы сжатия равен n1, показатель политропы расширения равен n2.
Определить подведенную и отведенную теплоты, полезную работу цикла
500 руб.
Онлайн Тест по дисциплине: Организация производства и управление предприятиями.
IT-STUDHELP
: 19 июля 2023
Вопрос №1
По каким личностным причинам могут возникнуть конфликты в коллективе?
недостаточная психологическая устойчивость
плохо развитая у человека способность к эмпатии
завышенный или заниженный уровень притязаний
плохое настроение
Вопрос №2
Запас времени, на который можно сдвинуть начало выполнения работы, при этом ранние начала последующих работ не меняются:
частный резерв времени
полный резерв времени
критический путь
Вопрос №3
Позиционирование товара — это:
сегментировани
500 руб.
Лабораторная работа № 2 по предмету « Основы схемотехники».
Aleksandr1234
: 20 февраля 2012
“Исследование резисторного каскада широкополосного усилителя на полевом транзисторе”
1. Цель работы
Исследовать влияние элементов схемы каскада широкополосного усилителя на полевом транзисторе с общим истоком на его показатели (коэффициент усиления, частотные и переходные характеристики).
Задание к работе в лаборатории
Ознакомиться с методикой проведения измерений с применением программы Electronics Workbench.
Исследовать амплитудно-частотные характеристики:
• схемы без коррекции;
• схемы с НЧ
100 руб.
Зачетная работа по дисциплине: экономико-математические модели. Билет №3.
ДО Сибгути
: 16 февраля 2016
Билет 3
1. Если деньги для сделок совершают в среднем десять оборотов в год, то спрос на деньги для сделок:
а) В десять раз больше номинального объема ВВП.
б) Составляет 10% номинального ВВП.
в) Равен отношению 10 /номинальный объем ВВП.
г) Равен 10% / номинальный объем ВВП.
2. В экономике установилось совместное равновесие на рынках благ и денег. После чего вырос спрос на деньги как имущество. В результате данного события:
а) Снизилась равновесная ставка процента и снизился равновесный уровень
100 руб.