Лабораторная работа №6.8. 6-й вариант. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников По дисциплине: Физика
Состав работы
|
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Основные теоретические сведения
Электропроводностью материалов называется величина, обратная удельному сопротивлению. Электропроводность у материалов определяется выражением:
, (1)
где:
q+ и q- – соответственно заряд свободных положительных и свободных отрицательных носителей электрического заряда;
n+ и n- - концентрация соответственно свободных положительных и свободных отрицательных носителей заряда;
µ+ и µ- - подвижность свободных положительных и свободных отрицательных носителей заряда.
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. В полупроводниках положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными – электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e, (2)
и
n+ = n- = n.
Тогда
. (3)
Здесь µn и µp - подвижность соответственно электронов проводимости и дырок.
Строго говоря, n, µn и µp зависят от температуры. Однако во многих случаях в узком диапазоне температур зависимостью µn и µp от T можно пренебречь и принять µn + µp = const. В нашей работе рассматривается именно этот случай.
Зависимость концентрации свободных электронов от температуры описывается экспонентой:
.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Основные теоретические сведения
Электропроводностью материалов называется величина, обратная удельному сопротивлению. Электропроводность у материалов определяется выражением:
, (1)
где:
q+ и q- – соответственно заряд свободных положительных и свободных отрицательных носителей электрического заряда;
n+ и n- - концентрация соответственно свободных положительных и свободных отрицательных носителей заряда;
µ+ и µ- - подвижность свободных положительных и свободных отрицательных носителей заряда.
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. В полупроводниках положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными – электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e, (2)
и
n+ = n- = n.
Тогда
. (3)
Здесь µn и µp - подвижность соответственно электронов проводимости и дырок.
Строго говоря, n, µn и µp зависят от температуры. Однако во многих случаях в узком диапазоне температур зависимостью µn и µp от T можно пренебречь и принять µn + µp = const. В нашей работе рассматривается именно этот случай.
Зависимость концентрации свободных электронов от температуры описывается экспонентой:
.
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физика (спец. главы)
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 18.12.2014
Рецензия:Уважаемая , Ваша лабораторная работа проверена. Экспериментальный результат правильный.
Работа зачтена.
Стрельцов Александр Иванович
Оценена Ваша работа по предмету: Физика (спец. главы)
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 18.12.2014
Рецензия:Уважаемая , Ваша лабораторная работа проверена. Экспериментальный результат правильный.
Работа зачтена.
Стрельцов Александр Иванович
Похожие материалы
Лабораторная работа №6.8 Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников По дисциплине: Физика
FreeForMe
: 10 апреля 2015
4. Задание
1. Установить силу тока через образец в пределах от 3 до 10 мА. Записать силу тока в отчет по лабораторной работе.
2. Изменяйте температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесите в таблицу в отчете по лабораторной работе.
3. Вычислить по формуле (10) электропроводности образца при всех температурах. Прологарифмировать полученные значения электропроводности.
4. Вычислите абсолютные температуры образца Т= t+273, К. Все д
55 руб.
Лабораторная работа 6.8. (Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников) по дисциплине: "Физика (спецглавы)"
wowan1190
: 4 декабря 2013
Лабораторная работа 6.8
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
60 руб.
Лабораторная работа №6.8. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников по дисциплине: Физика. Вариант № 6
Fatony
: 6 июня 2012
Лабораторная работа №6.8 вариант № 6
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Основные теоретические сведения
Электропроводностью материалов называется величина, обратная удельному сопротивлению. Электропроводность у материалов определяется
3. Описание лабораторной установки
Схема лабораторной установки приведена на рис.1.
Сила тока источника (1) не зависит от сопротивления нагрузки. Нагрузкой источн
45 руб.
Лабораторная работа. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. По дисциплине: Физика (спецглавы) вариант№5
natin83
: 2 апреля 2012
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
= + n+ q+ + - n– q- (1)
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности положительных и отрицательных носителей з
150 руб.
Лабораторная работа №6.8 Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников По дисциплине: Физика (спецглавы). Вариант № 2
nb021vvn
: 12 июня 2013
Цель: Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости lnσ от 1/Т ?
Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
150 руб.
Лабораторная работа 6.8 по дисциплине: Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Семестр 2-й. Вариант №1
glec
: 26 января 2013
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Основные теоретические сведения:
Электропроводность материалов определяется выражением:
(1)
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, µ+ и µ- - подвижности положительных и отрицательных носите
70 руб.
Физика. Лабораторная работа № 6. Вариант № 8
aleksei84
: 14 июня 2013
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
29 руб.
Лабораторная работа №6.8 по дисциплине: Физика Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
sasha92
: 9 июня 2014
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
(1)
где и - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, и - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, и - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда.
В нашей задаче исследуетс
50 руб.
Другие работы
Механика жидкости и газа СПбГАСУ 2014 Задача 4 Вариант 90
Z24
: 1 января 2026
Круглое отверстие в вертикальной стенке закрытого резервуара с водой перекрыто сферической крышкой. Радиус сферы R = (0,5 + 0,02·y) м. угол α = (120 + 0,1·z)º, глубина погружения центра тяжести отверстия H = (1,0 + 0,1·y) м.
Определить давление воды на крышку, если на свободной поверхности рм = (147 + 0,2·z) = 148,8 кПа (рис. 4).
200 руб.
Лабораторная работа 1-2 по дисциплине: Планирование и управление информационной безопасностью. Вариант 17
IT-STUDHELP
: 5 апреля 2022
Лабораторная работа 1
Содержание
1 Цель работы 3
2 Характеристика деятельности организации 4
3 Результат индивидуального задания 13
3.1 Понимание рисков 13
3.2 Процесс MSAT 14
3.3 Обзор средства оценки 15
3.4 Выполнение работы 18
4 Полезные рекомендации программы 21
5 Ответы на контрольные вопросы 24
6 Выводы по проделанной работе 26
Список использованных источников 27
Лабораторная работа 2
Проведение оценки рисков информационной безопасности
на базе продукта «R-Vision: SGRC
Содержание
Цел
800 руб.
Статья: Спасская (Фроловская) башня Московского Кремля
evelin
: 26 августа 2013
Спасская (Фроловская) башня - главная башня Московского Кремля. Парадная проездная башня, она выходит на Красную площадь, воплощая на протяжении многих веков силу и торжество Российского государства.
Спасская (Фроловская) башня Московского Кремля
"Башня построена в 1491году в великое княжение Ивана III итальянским архитектором Пьетро Антонио Солари. Об этом свидетельствуют белокаменные плиты с памятными надписями установленные на самой башне – это первые мемориальные доски в первопрестольной сто
10 руб.
Механизация и электроснабжение участка горных работ
Рики-Тики-Та
: 18 марта 2012
В первой части дипломного проекта приводятся данные о месторасположении разреза, климатических условиях, условиях залегания пластов угля, промышленные запасы угля состав пород и другая информация. Далее приводится информация о способе вскрытия месторождения и приведена характеристика элементов системы разработки. Приведен расчет буровзрывных работ и произведен расчет затрат на взрывчатые материалы.
Вторая и основная часть дипломного проекта – механизация. Здесь произведен расчет производительнос
1210 руб.