Лабораторная работа №6.8. 6-й вариант. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников По дисциплине: Физика
Состав работы
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Основные теоретические сведения
Электропроводностью материалов называется величина, обратная удельному сопротивлению. Электропроводность у материалов определяется выражением:
, (1)
где:
q+ и q- – соответственно заряд свободных положительных и свободных отрицательных носителей электрического заряда;
n+ и n- - концентрация соответственно свободных положительных и свободных отрицательных носителей заряда;
µ+ и µ- - подвижность свободных положительных и свободных отрицательных носителей заряда.
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. В полупроводниках положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными – электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e, (2)
и
n+ = n- = n.
Тогда
. (3)
Здесь µn и µp - подвижность соответственно электронов проводимости и дырок.
Строго говоря, n, µn и µp зависят от температуры. Однако во многих случаях в узком диапазоне температур зависимостью µn и µp от T можно пренебречь и принять µn + µp = const. В нашей работе рассматривается именно этот случай.
Зависимость концентрации свободных электронов от температуры описывается экспонентой:
.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Основные теоретические сведения
Электропроводностью материалов называется величина, обратная удельному сопротивлению. Электропроводность у материалов определяется выражением:
, (1)
где:
q+ и q- – соответственно заряд свободных положительных и свободных отрицательных носителей электрического заряда;
n+ и n- - концентрация соответственно свободных положительных и свободных отрицательных носителей заряда;
µ+ и µ- - подвижность свободных положительных и свободных отрицательных носителей заряда.
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. В полупроводниках положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными – электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e, (2)
и
n+ = n- = n.
Тогда
. (3)
Здесь µn и µp - подвижность соответственно электронов проводимости и дырок.
Строго говоря, n, µn и µp зависят от температуры. Однако во многих случаях в узком диапазоне температур зависимостью µn и µp от T можно пренебречь и принять µn + µp = const. В нашей работе рассматривается именно этот случай.
Зависимость концентрации свободных электронов от температуры описывается экспонентой:
.
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физика (спец. главы)
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 18.12.2014
Рецензия:Уважаемая , Ваша лабораторная работа проверена. Экспериментальный результат правильный.
Работа зачтена.
Стрельцов Александр Иванович
Оценена Ваша работа по предмету: Физика (спец. главы)
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 18.12.2014
Рецензия:Уважаемая , Ваша лабораторная работа проверена. Экспериментальный результат правильный.
Работа зачтена.
Стрельцов Александр Иванович
Похожие материалы
Лабораторная работа №6.8 Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников По дисциплине: Физика
FreeForMe
: 10 апреля 2015
4. Задание
1. Установить силу тока через образец в пределах от 3 до 10 мА. Записать силу тока в отчет по лабораторной работе.
2. Изменяйте температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесите в таблицу в отчете по лабораторной работе.
3. Вычислить по формуле (10) электропроводности образца при всех температурах. Прологарифмировать полученные значения электропроводности.
4. Вычислите абсолютные температуры образца Т= t+273, К. Все д
55 руб.
Лабораторная работа 6.8. (Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников) по дисциплине: "Физика (спецглавы)"
wowan1190
: 4 декабря 2013
Лабораторная работа 6.8
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
60 руб.
Лабораторная работа №6.8. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников по дисциплине: Физика. Вариант № 6
Fatony
: 6 июня 2012
Лабораторная работа №6.8 вариант № 6
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Основные теоретические сведения
Электропроводностью материалов называется величина, обратная удельному сопротивлению. Электропроводность у материалов определяется
3. Описание лабораторной установки
Схема лабораторной установки приведена на рис.1.
Сила тока источника (1) не зависит от сопротивления нагрузки. Нагрузкой источн
45 руб.
Лабораторная работа. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. По дисциплине: Физика (спецглавы) вариант№5
natin83
: 2 апреля 2012
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
= + n+ q+ + - n– q- (1)
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности положительных и отрицательных носителей з
150 руб.
Лабораторная работа №6.8 Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников По дисциплине: Физика (спецглавы). Вариант № 2
nb021vvn
: 12 июня 2013
Цель: Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости lnσ от 1/Т ?
Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
150 руб.
Лабораторная работа 6.8 по дисциплине: Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Семестр 2-й. Вариант №1
glec
: 26 января 2013
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Основные теоретические сведения:
Электропроводность материалов определяется выражением:
(1)
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, µ+ и µ- - подвижности положительных и отрицательных носите
70 руб.
Физика. Лабораторная работа № 6. Вариант № 8
aleksei84
: 14 июня 2013
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
29 руб.
Лабораторная работа №6.8 по дисциплине: Физика Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
sasha92
: 9 июня 2014
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
(1)
где и - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, и - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, и - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда.
В нашей задаче исследуетс
50 руб.
Другие работы
Баланс трудовых ресурсов в Свердловской области
evelin
: 4 марта 2013
Название документа: Баланс трудовых ресурсов в Свердловской области . РЕФЕРАТ Тема: "Баланс трудовых ресурсов в свердловской области" Екатеринбург, 2010 Введение Из известных на данный момент факторов производства одним из главных, а зачастую основным и требующим наибольших затрат является труд. Решающим фактором в развитии производства всегда и везде выступает труд человека.
Труд, как всеобщее условие обмена веществ между человеком и природой, представляет собой вечное и естественно условие че
10 руб.
Полумуфта на валу. Вариант 8 ЧЕРТЕЖ
coolns
: 30 марта 2026
Полумуфта на валу. Вариант 8 ЧЕРТЕЖ
Приведены изображения 4-х соосно расположенных деталей (каждой в отдельности) в соответствии с ГОСТ 2.305-2008, содержащие: деталь 1 – вид с местным разрезом; детали 2, 3 и 4 – половину вида с половиной разреза, соединенные по продольной оси симметрии. Приведен также вид слева на все детали – в сборе. Указаны размеры деталей согласно ГОСТ 2.307-2011.
Выполните сборочный чертеж изделия (главный вид с разрезом) из приведенных деталей в соответствии с ГОСТ 2.
600 руб.
Физические основы электроники. Контрольная работа. Вариант 2
ReDe
: 13 июня 2018
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а)построить линию нагрузки;
б)построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в)рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по т
50 руб.
Задание 35. Вариант 1 - Виды
Чертежи по сборнику Боголюбова 2007
: 2 мая 2023
Возможные программы для открытия данных файлов:
WinRAR (для распаковки архива *.zip или *.rar)
КОМПАС 3D не ниже 16 версии для открытия файлов *.cdw, *.m3d
Любая программа для ПДФ файлов.
Боголюбов С.К. Индивидуальные задания по курсу черчения, 1989/1994/2007.
Задание 35. Вариант 1 - 3 вида
Выполнить по аксонометрической проекции чертеж модели (построить три проекции и нанести размеры).
В состав выполненной работы входят 12 файлов (по 4 к каждой задаче):
1. 3D модель детали, разрешение файла
200 руб.