Лабораторная работа №6.8. 6-й вариант. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников По дисциплине: Физика

Цена:
45 руб.

Состав работы

material.view.file_icon DC9F1D3A-C2F5-4F98-8F79-7F3EE4DBAAA4.doc
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

1. Цель работы
 Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Основные теоретические сведения
 Электропроводностью материалов называется величина, обратная удельному сопротивлению. Электропроводность у материалов определяется выражением:
,  (1)
где:
q+ и q- – соответственно заряд свободных положительных и свободных отрицательных носителей электрического заряда;
n+ и n- - концентрация соответственно свободных положительных и свободных отрицательных носителей заряда;
µ+ и µ- - подвижность свободных положительных и свободных отрицательных носителей заряда.
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. В полупроводниках положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными – электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e,  (2)
и
n+ = n- = n.
Тогда
.  (3)
Здесь µn и µp - подвижность соответственно электронов проводимости и дырок.
Строго говоря, n, µn и µp зависят от температуры. Однако во многих случаях в узком диапазоне температур зависимостью µn и µp от T можно пренебречь и принять µn + µp = const. В нашей работе рассматривается именно этот случай.
Зависимость концентрации свободных электронов от температуры описывается экспонентой:
.

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физика (спец. главы)
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 18.12.2014
Рецензия:Уважаемая , Ваша лабораторная работа проверена. Экспериментальный результат правильный.

Работа зачтена.

Стрельцов Александр Иванович
Лабораторная работа №6.8 Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников По дисциплине: Физика
4. Задание 1. Установить силу тока через образец в пределах от 3 до 10 мА. Записать силу тока в отчет по лабораторной работе. 2. Изменяйте температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесите в таблицу в отчете по лабораторной работе. 3. Вычислить по формуле (10) электропроводности образца при всех температурах. Прологарифмировать полученные значения электропроводности. 4. Вычислите абсолютные температуры образца Т= t+273, К. Все д
User FreeForMe : 10 апреля 2015
55 руб.
Лабораторная работа 6.8. (Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников) по дисциплине: "Физика (спецглавы)"
Лабораторная работа 6.8 Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
User wowan1190 : 4 декабря 2013
60 руб.
Лабораторная работа №6.8. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников по дисциплине: Физика. Вариант № 6
Лабораторная работа №6.8 вариант № 6 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны. 2. Основные теоретические сведения Электропроводностью материалов называется величина, обратная удельному сопротивлению. Электропроводность у материалов определяется 3. Описание лабораторной установки Схема лабораторной установки приведена на рис.1. Сила тока источника (1) не зависит от сопротивления нагрузки. Нагрузкой источн
User Fatony : 6 июня 2012
45 руб.
Лабораторная работа. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. По дисциплине: Физика (спецглавы) вариант№5
1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны 2. Теоретическое введение Электропроводность материалов определяется выражением: = + n+ q+ + - n– q- (1) где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности положительных и отрицательных носителей з
User natin83 : 2 апреля 2012
150 руб.
Лабораторная работа №6.8 Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников По дисциплине: Физика (спецглавы). Вариант № 2
Цель: Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости lnσ от 1/Т ? Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
User nb021vvn : 12 июня 2013
150 руб.
Лабораторная работа 6.8 по дисциплине: Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Семестр 2-й. Вариант №1
1. Цель работы: Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны. 2. Основные теоретические сведения: Электропроводность материалов определяется выражением: (1) где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, µ+ и µ- - подвижности положительных и отрицательных носите
User glec : 26 января 2013
70 руб.
Физика. Лабораторная работа № 6. Вариант № 8
Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
User aleksei84 : 14 июня 2013
29 руб.
Лабораторная работа №6.8 по дисциплине: Физика Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны 2. Теоретическое введение Электропроводность материалов определяется выражением: (1) где и - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, и - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, и - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда. В нашей задаче исследуетс
User sasha92 : 9 июня 2014
50 руб.
Механика жидкости и газа СПбГАСУ 2014 Задача 4 Вариант 90
Круглое отверстие в вертикальной стенке закрытого резервуара с водой перекрыто сферической крышкой. Радиус сферы R = (0,5 + 0,02·y) м. угол α = (120 + 0,1·z)º, глубина погружения центра тяжести отверстия H = (1,0 + 0,1·y) м. Определить давление воды на крышку, если на свободной поверхности рм = (147 + 0,2·z) = 148,8 кПа (рис. 4).
User Z24 : 1 января 2026
200 руб.
Механика жидкости и газа СПбГАСУ 2014 Задача 4 Вариант 90
Лабораторная работа 1-2 по дисциплине: Планирование и управление информационной безопасностью. Вариант 17
Лабораторная работа 1 Содержание 1 Цель работы 3 2 Характеристика деятельности организации 4 3 Результат индивидуального задания 13 3.1 Понимание рисков 13 3.2 Процесс MSAT 14 3.3 Обзор средства оценки 15 3.4 Выполнение работы 18 4 Полезные рекомендации программы 21 5 Ответы на контрольные вопросы 24 6 Выводы по проделанной работе 26 Список использованных источников 27 Лабораторная работа 2 Проведение оценки рисков информационной безопасности на базе продукта «R-Vision: SGRC Содержание Цел
User IT-STUDHELP : 5 апреля 2022
800 руб.
promo
Статья: Спасская (Фроловская) башня Московского Кремля
Спасская (Фроловская) башня - главная башня Московского Кремля. Парадная проездная башня, она выходит на Красную площадь, воплощая на протяжении многих веков силу и торжество Российского государства. Спасская (Фроловская) башня Московского Кремля "Башня построена в 1491году в великое княжение Ивана III итальянским архитектором Пьетро Антонио Солари. Об этом свидетельствуют белокаменные плиты с памятными надписями установленные на самой башне – это первые мемориальные доски в первопрестольной сто
User evelin : 26 августа 2013
10 руб.
Механизация и электроснабжение участка горных работ
В первой части дипломного проекта приводятся данные о месторасположении разреза, климатических условиях, условиях залегания пластов угля, промышленные запасы угля состав пород и другая информация. Далее приводится информация о способе вскрытия месторождения и приведена характеристика элементов системы разработки. Приведен расчет буровзрывных работ и произведен расчет затрат на взрывчатые материалы. Вторая и основная часть дипломного проекта – механизация. Здесь произведен расчет производительнос
User Рики-Тики-Та : 18 марта 2012
1210 руб.
up Наверх