Разработка технологического процесса изготовления детали "Шток". СФТИ НИЯУ МИФИ
Состав работы
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
- Компас или КОМПАС-3D Viewer
Описание
Разработка технологического процесса изготовления детали "Корпус".
Пояснительная записка.
Чертежи.
Комплект технологической документации.
Пояснительная записка.
Чертежи.
Комплект технологической документации.
Похожие материалы
Разработка технологического процесса изготовления детали "Корпус" СФТИ НИЯУ МИФИ
Артём156
: 7 мая 2015
Разработка технологического процесса изготовления детали "Корпус".
Пояснительная записка.
Чертежи.
Комплект тех. документации.
Введение 2
1. Общий раздел 4
1.1. Назначение и описание конструкции детали. 4
1.2. Материал детали и его свойства. 5
1.3. Анализ технологичности конструкции. 8
1.4. Определение типа производства 11
2. Технологическая часть. 14
2.1. Выбор заготовки и установление ее размеров. 14
2.2. Назначение методов обработки. 15
240 руб.
Другие работы
Гидромеханика: Сборник задач и контрольных заданий УГГУ Задача 5.25 Вариант в
Z24
: 10 октября 2025
По трубопроводной системе, представленной в плане на рис. 5.25, от насосной установки вода подается потребителю С с расходом QC. На участке АВ две трубы диаметрами d1 = 150 мм и d2 = 125 мм проложены параллельно. На участке ВС диаметром d3 = 200 мм предусмотрена равномерная раздача воды Qпут. Длины участков трубопроводов l1, l2, l3 соответственно.
Показание манометра после насоса равно рман.
Определить распределение расхода в параллельных трубах Q1 и Q2, а также возможный остаточный напор
250 руб.
Контрольные работы по физическим основам электроники
Aronitue9
: 3 сентября 2011
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗАДАЧА 3
Для данного транзистора на част
50 руб.
Устройства оптоэлектроники. Зачетная работа. 5-й семестр
yana1988
: 17 ноября 2014
Вопросы к зачету «Устройства оптоэлектроники».
1.Спектры потерь в световоде.Раздел Физические основы оптоэлектроники
2.Назначение и типы линз используемых в излучателях. Раздел Излучатели.
3.Устройство и принцип действия фотодиодов на основе p-n перехода. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного усилителя.Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
30 руб.
Теплотехника 21.03.01 КубГТУ Задача 4 Вариант 49
Z24
: 24 января 2026
Метан в количестве V м³/с и с температурой tм1 охлаждается в рекуперативном противоточном теплообменнике воздухом до tм2=20ºС. Температура воздуха на входе в теплообменник tв1=10ºС, а на выходе tв2. Коэффициент теплоотдачи от метана к поверхности нагрева – α1, а от поверхности нагрева к воздуху – α2. Поверхность нагрева изготовлена из стальных труб (λ = 40 Вт/(м·К)) толщиной – δ = 0,002 м. Определить: необходимую поверхность теплообмена и расход воздуха.
200 руб.