Контрольная работа №1 по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант № 09.
-
Категории:
Оптические мультисервисные сети, ******* Не известно, Работа
-
Добавлен:
25.05.2015
-
Размер:
552 KB
-
Покупок:
0
-
Добавил:
sag
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
ACE24EFF-3070-407E-8992-E5336099C93C.doc
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Задача №1: Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника.
Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант №09 - Фоторезистор
Задача №2: Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность фотоприемника. Изобразить вид спектральной характеристики и указать на ней .
Дано:
Тип ПП материала Ge;
Квантовая эффективность, n - 0,2;
Ширина запрещенной зоны dW , эВ - 0,6;
Задача №3: Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности (таб.3).
23 22 21 20 А` В` С` Д` Е` F` G`
Задача № 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
0 АЛ102В 5 510
Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант №09 - Фоторезистор
Задача №2: Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность фотоприемника. Изобразить вид спектральной характеристики и указать на ней .
Дано:
Тип ПП материала Ge;
Квантовая эффективность, n - 0,2;
Ширина запрещенной зоны dW , эВ - 0,6;
Задача №3: Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности (таб.3).
23 22 21 20 А` В` С` Д` Е` F` G`
Задача № 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
0 АЛ102В 5 510
Похожие материалы
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант 09
neznaika
: 12 января 2015
1-ая задача---9 вариант
2-ая задача---0 вариант
3-ая задача---9 вариант
4-ая задача---0 вариант
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Тип фотоприемника (ФП) Фоторезистор
-----------------------------------------------------
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и ука
neznaika
: 12 января 2015
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 09
SibGOODy
: 15 июля 2018
Задача No1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
No варианта: 9
Тип фотоприемника: Фоторезистор
Задача No2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Таблица 2. Исходные данные.
No варианта: 0
Тип ПП материала: Ge
SibGOODy
: 15 июля 2018
400 руб.
Контрольная работа №1 по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант № 7. (4-й семестр)
Jack
: 9 декабря 2013
Задача №1: Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника.
Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант №07 - Фототранзистор
Задача №2: Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность фотоприемника. Изобразить вид спектральной характеристики и указать на ней .
Дано:
Тип ПП материала Ge;
Квантовая эффективность, n - 0,2;
Ширина запрещенной зоны dW , эВ - 0,6;
Найти: Лгр -? Sгр -?
Задача №3: Изобразить принципиал
Jack
: 9 декабря 2013
250 руб.
Контрольная работа №1 по дисциплине: Устройства оптоэлектроники . 4-й семестр. Вариант №14.
58197
: 8 октября 2013
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Заданный тип - Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Исходные данные Варианты и данные фотоприемников
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность, η Ширина запрещенной зоны ΔW, эВ
1 Si 0
58197
: 8 октября 2013
95 руб.
Контрольная работа № 1 По дисциплине: Физика, Вариант 09
Саша78
: 21 мая 2018
1.На сколько переместится относительно берега лодка длиной L=3,5 м., и массой M=200 кг, если стоящий на корме человек массой m = 80 кг., переместится на нос лодки? (Считать лодку расположенной перпендику-лярно берегу).
2. Шар массой 2 кг сталкивается с покоящимся шаром большей массы и при этом теряет 40 % своей кинетической энергии. Вычислите массу большего шара. Удар считать абсолютно упругим, прямым, центральным.
3. Из орудия производилась стрельба в горизонтальном направлении. Когда орудие бы
Саша78
: 21 мая 2018
80 руб.
Устройства оптоэлектроники
alru
: 22 сентября 2016
1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора
alru
: 22 сентября 2016
100 руб.
Устройства оптоэлектроники
arkadij
: 9 марта 2016
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Закон Снеллиуса.
Раздел Излучатели.
2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа
arkadij
: 9 марта 2016
100 руб.
Устройства оптоэлектроники
arkadij
: 13 февраля 2016
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ гр.
тип ПП материала SI квантовая эфективность 0,7
Ширина запрещен-ной зоны W, эВ 1,12
arkadij
: 13 февраля 2016
500 руб.
Другие работы
Когнитивные нарушения при деменциях различной этиологии
Elfa254
: 16 октября 2013
Деменция – диффузное нарушение психических функций в результате органического поражения мозга, проявляющееся первичными нарушениями мышления и памяти и вторичными эмоциональными и поведенческими расстройствами. О деменции говорит в тех случаях, когда нарушения памяти и других когнитивных функций выражены настолько, что препятствуют осуществлению профессиональной и социальной деятельности в прежнем объеме и качестве. В том случае, если у человека имеют место нарушения памяти, мышления или других
Elfa254
: 16 октября 2013
5 руб.
Нарушения нервной системы, вызванные действием важнейших этиологических факторов
GnobYTEL
: 1 февраля 2013
Нейроны повреждаются в результате следующих генетических нарушений:
1) недостаточность какого-либо фермента;
2) накопление нерасщепленных продуктов обмена веществ;
3) повреждения других органов (например, печень);
4) повреждения мозговых сосудов.
В основе патогенеза лежит накопление внутри клеток нерасщепленных макромолекул. Эти макромолекулы образуют внутриклеточные патологические включения. Патологические включения изменяют структуру и функции нейронов (смещения ядра, набухание цитоплазмы). Эт
GnobYTEL
: 1 февраля 2013
Теплотехника Задача 20.18 Вариант 64
Z24
: 16 февраля 2026
Определение параметров влажного воздуха
Влажный воздух с температурой t0 и влагосодержанием d0 охлаждается до температуры t1 при постоянном влагосодержании и при постоянной температуре увеличивает влагосодержание до d2. Затем он направляется в калорифер, где его температура возрастает до t3 и попадает в сушильную камеру, после выхода из которой его относительная влажность становится равной φ4. Определить недостающие параметры (φ, d, h, t), а также температуру точки росы и парциальное давление
Z24
: 16 февраля 2026
200 руб.
Механізм управління ризиками кредитування оборотних коштів підприємств
DocentMark
: 3 ноября 2012
Робота виконана в Київському національному університеті технологій та дизайну Міністерства освіти і науки України
Науковий керівник: доктор економічних наук, професор, заслужений діяч науки і техніки України Єрмошенко Микола Миколайович, ВНЗ "Національна академія управління", проректор з наукової роботи, завідувач кафедри маркетингу і підприємництва
Офіційні опоненти: доктор економічних наук, професор Гончарова Наталя Петрівна, Київський національний економічний університет імені Вадима Гетьмана
DocentMark
: 3 ноября 2012
