Лабораторные работы №1-3 по дисциплине: Физические основы электроники. (Для всех вариантов)
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Физические основы электроники
-
Добавлен:
29.05.2015
-
Размер:
537 KB
-
Покупок:
11
-
Добавил:
Roma967
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
ЛР№1. ФОЭ.docx
|
|
ЛР№2. ФОЭ.docx
|
|
ЛР№3. ФОЭ.docx
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Лабораторная работа №1. Тема: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов".
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Выполнение работы:
1. Прямое включение.
1.1. Снятие вольтамперных характеристик диодов при прямом включении.
1.2. Определение материала диода.
1.3. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе Iпр=4мА.
2. Обратное включение.
2.1. Снятие вольтамперной характеристики диода Д7Ж при обратном включении.
2.2. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при обратном включении для напряжения Uобр=3В.
3. Исследование стабилитрона Д814А.
4. Исследование однополупериодного выпрямителя.
5. Выводы
Лабораторная работа №2. Тема: "Исследование статических характеристик биполярного транзистора".
Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Выполнение работы:
1. Схема с общей базой.
1.1. Снятие входных характеристик биполярного транзистора при Uкб=0В, Uкб=8В
1.2. Снятие выходных характеристик биполярного транзистора при Iэ=0мА, Iэ=2мА, Iэ=5мА.
2. Схема с общим эмиттером.
2.1. Снятие входных характеристик биполярного транзистора при Uкэ=0В, Uкэ=4,96В.
2.2. Снятие семейства выходных характеристик БТ.
3. Исследование работы усилителя.
3.1. Режим класса А.
3.2. Режим класса В.
3.3. Рабочая точка находится вблизи режима насыщения.
Выводы
Лабораторная работа №3. Тема: "Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов".
Цель работы: Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов.
Выполнение работы:
1. Статические передаточные характеристики ПТ.
2. Выходные характеристики полевого транзистора.
3. Определение крутизны.
4. Исследование работы усилителя.
4.1. Рабочая точка находится посередине линейного участка передаточной характеристики.
4.2. Режим обогащения.
4.3. Режим отсечки.
Выводы
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Выполнение работы:
1. Прямое включение.
1.1. Снятие вольтамперных характеристик диодов при прямом включении.
1.2. Определение материала диода.
1.3. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе Iпр=4мА.
2. Обратное включение.
2.1. Снятие вольтамперной характеристики диода Д7Ж при обратном включении.
2.2. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при обратном включении для напряжения Uобр=3В.
3. Исследование стабилитрона Д814А.
4. Исследование однополупериодного выпрямителя.
5. Выводы
Лабораторная работа №2. Тема: "Исследование статических характеристик биполярного транзистора".
Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Выполнение работы:
1. Схема с общей базой.
1.1. Снятие входных характеристик биполярного транзистора при Uкб=0В, Uкб=8В
1.2. Снятие выходных характеристик биполярного транзистора при Iэ=0мА, Iэ=2мА, Iэ=5мА.
2. Схема с общим эмиттером.
2.1. Снятие входных характеристик биполярного транзистора при Uкэ=0В, Uкэ=4,96В.
2.2. Снятие семейства выходных характеристик БТ.
3. Исследование работы усилителя.
3.1. Режим класса А.
3.2. Режим класса В.
3.3. Рабочая точка находится вблизи режима насыщения.
Выводы
Лабораторная работа №3. Тема: "Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов".
Цель работы: Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов.
Выполнение работы:
1. Статические передаточные характеристики ПТ.
2. Выходные характеристики полевого транзистора.
3. Определение крутизны.
4. Исследование работы усилителя.
4.1. Рабочая точка находится посередине линейного участка передаточной характеристики.
4.2. Режим обогащения.
4.3. Режим отсечки.
Выводы
Дополнительная информация
Работы успешно зачтены.
Также выполняю контрольные работы.
Также выполняю контрольные работы.
Похожие материалы
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №1-3 по дисциплине: «Физические основы электроники» . Все варианты
Jerryamantipe03
: 23 июня 2021
Тема: «Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов»
Тема: «Исследование статических характеристик биполярного транзистора»
Тема: «ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ»
Jerryamantipe03
: 23 июня 2021
500 руб.
Лабораторные работы №1-3 по дисциплине: Физические основы электроники (ВСЕ варианты)
Елена22
: 7 октября 2015
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники Тема: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Выполнение лабораторной работы.
1. Прямое включение.
1.2. Определение материала диода.
1.3. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом то
Елена22
: 7 октября 2015
800 руб.
Лабораторные работы №1, №2, №3 по дисциплине: Физические основы электроники (Для всех вариантов)
lisii
: 12 марта 2019
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
lisii
: 12 марта 2019
99 руб.
Лабораторные работы №№1, 2, 3 по дисциплине: Физические основы электроники. Все варианты.
Ershic
: 1 июля 2018
Лабораторная работа №1
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Лабораторная работа №2
Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Лабораторная работа №3
Цель работы: Изучить принцип действия, характеристики и п
Ershic
: 1 июля 2018
100 руб.
Физические основы электроники Лабораторная работа №1
sprut89
: 16 сентября 2019
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
3 . Схемы исследования
На рисунке 1.1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении.
При измерении обратного тока (рисунок 1.2) изменяется полярность подводимого напряжения.
Для исследован
sprut89
: 16 сентября 2019
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
ANNA
: 18 февраля 2019
Отчет по работе №1
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
ANNA
: 18 февраля 2019
65 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Mercuryman
: 8 июля 2017
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
Mercuryman
: 8 июля 2017
75 руб.
Физические основы электроники, Лабораторная работа №1
alru
: 26 января 2017
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
alru
: 26 января 2017
100 руб.
Другие работы
Бухгалтерский учет и отчетность во Франции
romanoff81
: 8 апреля 2016
Государственной организацией, определяющей нормативно-правовую базу национального бухгалтерского учёта, является орган законодательной власти – Парламент Франции.
Главным достижением Национального совета по бухгалтерскому учёту является разработка и внедрение в практику национального Общего плана счетов Франции (Plan comptable general, далее PCG).
Особенностью официального балансового отчёта французских компаний является то, что он представляет собой функциональный тип баланса в активе и юридиче
romanoff81
: 8 апреля 2016
50 руб.
Техническая термодинамика и теплотехника УГНТУ Задача 8 Вариант 90
Z24
: 20 декабря 2025
Водяной пар с начальным давлением р1=5 МПа и степенью сухости х1=0,95 поступает в пароперегреватель, где его температура повышается на Δt; после перегревателя пар изоэнтропно (адиабатно) расширяется в турбине до давления p2. Пользуясь h-s — диаграммой для водяного пара (приложение Д, рисунок Д1), определить:
— количество теплоты (на 1 кг пара), подведенной к нему в пароперегревателе;
— работу цикла Ренкина и степень сухости пара х2 в конце расширения;
— термический КПД цикла;
— работ
Z24
: 20 декабря 2025
180 руб.
Вопросы ГОС экзамен. ДО СибГУТИ магистратура 2020 г. Вопрос №17
glebova95
: 29 октября 2020
Вопросы ГОС экзамен ДО СибГУТИ магистратура 2020 г. Вопрос №17
17. Транспондеры и мукспондеры с преобразованием на основе технологии OTN/OTH.
glebova95
: 29 октября 2020
80 руб.
Теплотехника КемТИПП 2014 Задача А-6 Вариант 58
Z24
: 16 февраля 2026
Для сушки используют воздух с температурой t1 и с заданной относительной влажностью φ1. В калорифере его подогревают до температуры t2 и направляют в сушилку, откуда он выходит с температурой t3. Определить:
1) основные параметры влажного воздуха (tм, φ, d, h, pп) для основных точек процессов;
2) расход воздуха M и теплоты q на 1 кг испаренной влаги.
Изобразить процесс в h,d — диаграмме. Данные для решения приведены в таблице 17. Результаты расчетов свести в таблицу 18.
Z24
: 16 февраля 2026
200 руб.
