Лабораторные работы №1-3 по дисциплине: Физические основы электроники. (Для всех вариантов)
Состав работы
|
|
|
|
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Лабораторная работа №1. Тема: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов".
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Выполнение работы:
1. Прямое включение.
1.1. Снятие вольтамперных характеристик диодов при прямом включении.
1.2. Определение материала диода.
1.3. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе Iпр=4мА.
2. Обратное включение.
2.1. Снятие вольтамперной характеристики диода Д7Ж при обратном включении.
2.2. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при обратном включении для напряжения Uобр=3В.
3. Исследование стабилитрона Д814А.
4. Исследование однополупериодного выпрямителя.
5. Выводы
Лабораторная работа №2. Тема: "Исследование статических характеристик биполярного транзистора".
Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Выполнение работы:
1. Схема с общей базой.
1.1. Снятие входных характеристик биполярного транзистора при Uкб=0В, Uкб=8В
1.2. Снятие выходных характеристик биполярного транзистора при Iэ=0мА, Iэ=2мА, Iэ=5мА.
2. Схема с общим эмиттером.
2.1. Снятие входных характеристик биполярного транзистора при Uкэ=0В, Uкэ=4,96В.
2.2. Снятие семейства выходных характеристик БТ.
3. Исследование работы усилителя.
3.1. Режим класса А.
3.2. Режим класса В.
3.3. Рабочая точка находится вблизи режима насыщения.
Выводы
Лабораторная работа №3. Тема: "Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов".
Цель работы: Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов.
Выполнение работы:
1. Статические передаточные характеристики ПТ.
2. Выходные характеристики полевого транзистора.
3. Определение крутизны.
4. Исследование работы усилителя.
4.1. Рабочая точка находится посередине линейного участка передаточной характеристики.
4.2. Режим обогащения.
4.3. Режим отсечки.
Выводы
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Выполнение работы:
1. Прямое включение.
1.1. Снятие вольтамперных характеристик диодов при прямом включении.
1.2. Определение материала диода.
1.3. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе Iпр=4мА.
2. Обратное включение.
2.1. Снятие вольтамперной характеристики диода Д7Ж при обратном включении.
2.2. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при обратном включении для напряжения Uобр=3В.
3. Исследование стабилитрона Д814А.
4. Исследование однополупериодного выпрямителя.
5. Выводы
Лабораторная работа №2. Тема: "Исследование статических характеристик биполярного транзистора".
Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Выполнение работы:
1. Схема с общей базой.
1.1. Снятие входных характеристик биполярного транзистора при Uкб=0В, Uкб=8В
1.2. Снятие выходных характеристик биполярного транзистора при Iэ=0мА, Iэ=2мА, Iэ=5мА.
2. Схема с общим эмиттером.
2.1. Снятие входных характеристик биполярного транзистора при Uкэ=0В, Uкэ=4,96В.
2.2. Снятие семейства выходных характеристик БТ.
3. Исследование работы усилителя.
3.1. Режим класса А.
3.2. Режим класса В.
3.3. Рабочая точка находится вблизи режима насыщения.
Выводы
Лабораторная работа №3. Тема: "Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов".
Цель работы: Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов.
Выполнение работы:
1. Статические передаточные характеристики ПТ.
2. Выходные характеристики полевого транзистора.
3. Определение крутизны.
4. Исследование работы усилителя.
4.1. Рабочая точка находится посередине линейного участка передаточной характеристики.
4.2. Режим обогащения.
4.3. Режим отсечки.
Выводы
Дополнительная информация
Работы успешно зачтены.
Также выполняю контрольные работы.
Также выполняю контрольные работы.
Похожие материалы
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №1-3 по дисциплине: «Физические основы электроники» . Все варианты
Jerryamantipe03
: 23 июня 2021
Тема: «Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов»
Тема: «Исследование статических характеристик биполярного транзистора»
Тема: «ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ»
500 руб.
Лабораторные работы №1-3 по дисциплине: Физические основы электроники (ВСЕ варианты)
Елена22
: 7 октября 2015
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники Тема: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Выполнение лабораторной работы.
1. Прямое включение.
1.2. Определение материала диода.
1.3. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом то
800 руб.
Лабораторные работы №1, №2, №3 по дисциплине: Физические основы электроники (Для всех вариантов)
lisii
: 12 марта 2019
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
99 руб.
Лабораторные работы №№1, 2, 3 по дисциплине: Физические основы электроники. Все варианты.
Ershic
: 1 июля 2018
Лабораторная работа №1
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Лабораторная работа №2
Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Лабораторная работа №3
Цель работы: Изучить принцип действия, характеристики и п
100 руб.
Физические основы электроники Лабораторная работа №1
sprut89
: 16 сентября 2019
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
3 . Схемы исследования
На рисунке 1.1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении.
При измерении обратного тока (рисунок 1.2) изменяется полярность подводимого напряжения.
Для исследован
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
ANNA
: 18 февраля 2019
Отчет по работе №1
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
65 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Mercuryman
: 8 июля 2017
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
75 руб.
Физические основы электроники, Лабораторная работа №1
alru
: 26 января 2017
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
100 руб.
Другие работы
Инженерная графика. Задание №1. Вариант №2. Задача №3. Угольник
Чертежи
: 2 ноября 2021
Все выполнено в программе КОМПАС 3D v16.
Боголюбов С.К. (1978г.) Задания по курсу черчения
Задание №1. Вариант №2. Задача №3. Угольник
Заменить вид спереди разрезом А-А.
В состав работы входят 3 файла:
- 3D модель детали
- ассоциативный чертеж с необходимыми разрезами, выполненный по этой модели
- аналогичный обычный чертеж
Все работы выполнены в программе Компас 3D 16 версии, для открытия этих файлов нужен компас не ниже этой версии. Либо если вам достаточен просмотр файлов, без заполнений
80 руб.
Термодинамика ПетрГУ 2009 Задача 2 Вариант 78
Z24
: 12 декабря 2025
Рассчитать смешанный цикл двигателя внутреннего сгорания, т.е. найти параметры p, V и T для характерных точек цикла, изменение внутренней энергии, энтальпии, энтропии, а также работу в отдельных процессах и цикле. Определить также степень предварительного расширения, степень повышения давления и термический КПД цикла. Параметры выбрать из таблицы 1.
Дополнительные данные для расчета: начальный объем — V1=0,001 м³; количество теплоты, подводимой в изобарном процессе — Qp=1,05 кДж; количество т
650 руб.
Технология приготовления сметаны с гомогенизацией сливок
vermux1
: 16 января 2018
Содержание ………………………………………………………………….2
1. Сырье и ассортимент вырабатываемой продукции на перерабатывающем предприятии.
1.1 Характеристики сырья, требования на вырабатываемую продукцию и наполнители……………………………………………………………………4
1.2 Технологическая линия перерабатывающего предприятия
2. Обзор существующих способов производства и их технологических линий……………………………………………………………………………7
2.1 Обоснование и выбор технологических процессов для модерируемой технологической линии.
3. Продуктовый расчет………………
250 руб.
Гидравлика Задача 7.397
Z24
: 27 мая 2026
По трубопроводу диаметром d движется жидкость с расходом Q при температуре tºС. Определить режим движения жидкости и критическую скорость, при которой произойдет смена режимов движения.
150 руб.