Лабораторные работы №1-3 по дисциплине: Физические основы электроники. (Для всех вариантов)
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Физические основы электроники
-
Добавлен:
29.05.2015
-
Размер:
537 KB
-
Покупок:
11
-
Добавил:
Roma967
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
ЛР№1. ФОЭ.docx
|
|
ЛР№2. ФОЭ.docx
|
|
ЛР№3. ФОЭ.docx
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Лабораторная работа №1. Тема: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов".
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Выполнение работы:
1. Прямое включение.
1.1. Снятие вольтамперных характеристик диодов при прямом включении.
1.2. Определение материала диода.
1.3. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе Iпр=4мА.
2. Обратное включение.
2.1. Снятие вольтамперной характеристики диода Д7Ж при обратном включении.
2.2. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при обратном включении для напряжения Uобр=3В.
3. Исследование стабилитрона Д814А.
4. Исследование однополупериодного выпрямителя.
5. Выводы
Лабораторная работа №2. Тема: "Исследование статических характеристик биполярного транзистора".
Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Выполнение работы:
1. Схема с общей базой.
1.1. Снятие входных характеристик биполярного транзистора при Uкб=0В, Uкб=8В
1.2. Снятие выходных характеристик биполярного транзистора при Iэ=0мА, Iэ=2мА, Iэ=5мА.
2. Схема с общим эмиттером.
2.1. Снятие входных характеристик биполярного транзистора при Uкэ=0В, Uкэ=4,96В.
2.2. Снятие семейства выходных характеристик БТ.
3. Исследование работы усилителя.
3.1. Режим класса А.
3.2. Режим класса В.
3.3. Рабочая точка находится вблизи режима насыщения.
Выводы
Лабораторная работа №3. Тема: "Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов".
Цель работы: Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов.
Выполнение работы:
1. Статические передаточные характеристики ПТ.
2. Выходные характеристики полевого транзистора.
3. Определение крутизны.
4. Исследование работы усилителя.
4.1. Рабочая точка находится посередине линейного участка передаточной характеристики.
4.2. Режим обогащения.
4.3. Режим отсечки.
Выводы
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Выполнение работы:
1. Прямое включение.
1.1. Снятие вольтамперных характеристик диодов при прямом включении.
1.2. Определение материала диода.
1.3. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе Iпр=4мА.
2. Обратное включение.
2.1. Снятие вольтамперной характеристики диода Д7Ж при обратном включении.
2.2. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при обратном включении для напряжения Uобр=3В.
3. Исследование стабилитрона Д814А.
4. Исследование однополупериодного выпрямителя.
5. Выводы
Лабораторная работа №2. Тема: "Исследование статических характеристик биполярного транзистора".
Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Выполнение работы:
1. Схема с общей базой.
1.1. Снятие входных характеристик биполярного транзистора при Uкб=0В, Uкб=8В
1.2. Снятие выходных характеристик биполярного транзистора при Iэ=0мА, Iэ=2мА, Iэ=5мА.
2. Схема с общим эмиттером.
2.1. Снятие входных характеристик биполярного транзистора при Uкэ=0В, Uкэ=4,96В.
2.2. Снятие семейства выходных характеристик БТ.
3. Исследование работы усилителя.
3.1. Режим класса А.
3.2. Режим класса В.
3.3. Рабочая точка находится вблизи режима насыщения.
Выводы
Лабораторная работа №3. Тема: "Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов".
Цель работы: Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов.
Выполнение работы:
1. Статические передаточные характеристики ПТ.
2. Выходные характеристики полевого транзистора.
3. Определение крутизны.
4. Исследование работы усилителя.
4.1. Рабочая точка находится посередине линейного участка передаточной характеристики.
4.2. Режим обогащения.
4.3. Режим отсечки.
Выводы
Дополнительная информация
Работы успешно зачтены.
Также выполняю контрольные работы.
Также выполняю контрольные работы.
Похожие материалы
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №1-3 по дисциплине: «Физические основы электроники» . Все варианты
Jerryamantipe03
: 23 июня 2021
Тема: «Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов»
Тема: «Исследование статических характеристик биполярного транзистора»
Тема: «ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ»
Jerryamantipe03
: 23 июня 2021
500 руб.
Лабораторные работы №1-3 по дисциплине: Физические основы электроники (ВСЕ варианты)
Елена22
: 7 октября 2015
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники Тема: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Выполнение лабораторной работы.
1. Прямое включение.
1.2. Определение материала диода.
1.3. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом то
Елена22
: 7 октября 2015
800 руб.
Лабораторные работы №1, №2, №3 по дисциплине: Физические основы электроники (Для всех вариантов)
lisii
: 12 марта 2019
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
lisii
: 12 марта 2019
99 руб.
Лабораторные работы №№1, 2, 3 по дисциплине: Физические основы электроники. Все варианты.
Ershic
: 1 июля 2018
Лабораторная работа №1
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Лабораторная работа №2
Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Лабораторная работа №3
Цель работы: Изучить принцип действия, характеристики и п
Ershic
: 1 июля 2018
100 руб.
Физические основы электроники Лабораторная работа №1
sprut89
: 16 сентября 2019
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
3 . Схемы исследования
На рисунке 1.1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении.
При измерении обратного тока (рисунок 1.2) изменяется полярность подводимого напряжения.
Для исследован
sprut89
: 16 сентября 2019
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
ANNA
: 18 февраля 2019
Отчет по работе №1
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
ANNA
: 18 февраля 2019
65 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Mercuryman
: 8 июля 2017
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
Mercuryman
: 8 июля 2017
75 руб.
Физические основы электроники, Лабораторная работа №1
alru
: 26 января 2017
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
alru
: 26 января 2017
100 руб.
Другие работы
Предпосылки возникновения и сущность меркантилизма
Slolka
: 29 октября 2013
ПЛАН РАБОТЫ :
1) Социально-экономические предпосылки возникновения меркантилизма
2) Развитие капитализма в Англии 16-17вв.
3) Этапы развития меркантилизма
4) Сущность меркантилизма
5) Выводы
Эпиграф:
Согласно воззрениям некоторых ученых создание экономической науки началось в конце 18 века на базе 2 основ , заложенных в более ранние периоды. Первая из них - древние и средневековые экономические воззрения философов, а вторая - популярные аргументы, использовавшиеся при решении текущих п
Slolka
: 29 октября 2013
10 руб.
Термодинамика и теплопередача СамГУПС 2012 Задача 35 Вариант 9
Z24
: 12 ноября 2025
Стенка холодильника, состоящая из наружного слоя изоляционного кирпича толщиной δ1 = 250 мм и внутреннего слоя совелита толщиной δ2 = 200 мм, имеет температуру наружной поверхности t1ст и внутренней t3ст. Коэффициенты теплопроводности материала слое соответственно равны: λ1 = 0,24 Вт/(м·К) и λ2 = 0,09 Вт/(м·К). Определить плотность теплового потока через стенку и температурные градиенты в отдельных слоях. Представить график распределения температуры по толщине стенки.
Z24
: 12 ноября 2025
200 руб.
Основы физической и квантовой оптики (ДВ 2.2). Контрольная работа. Вариант № 03. 3 курс 6 семестр. Задача 1 к модулю 1 Оптическое волокно имеет следующие параметры: n1 - абсолютный показатель преломления сердцевины волокна; n2 - абсолютный п
virtualman
: 11 января 2020
Задача 1 к модулю 1
Оптическое волокно имеет следующие параметры:
n1 - абсолютный показатель преломления сердцевины волокна;
n2 - абсолютный показатель преломления оболочки волокна.
Определить:
предельный угол ( ), результат представить в градусах;
числовую апертуру оптического волокна (NA);
апертурный угол (), результат представить в градусах.
Значения n1, n2 приведены в таблицах 1.1 и 1.2., n0 принять равным 1.
Данные из таблицы 1.1 выбираются в
virtualman
: 11 января 2020
287 руб.
Отраслевая специфика управления персоналом (Ответы на тест СИНЕРГИЯ / МТИ / МОИ)
AnastasyaM
: 2 декабря 2024
Ответы на тест Отраслевая специфика управления персоналом - СИНЕРГИЯ, МОИ, МТИ.
Результат сдачи - 97-100 баллов.
Дата сдачи свежая.
Вопросы к тесту:
Неверно, что профессионально-квалификационная структура рабочей силы включает в себя ....
Объектом рынка труда является .... сила, которая представляет собой совокупность физических и интеллектуальных способностей человека к труду
Предложение на рынке труда формируется под влиянием ....
Выделяют две основные функции рынка тру
AnastasyaM
: 2 декабря 2024
250 руб.
