Лабораторные работы №1-3 по дисциплине: Физические основы электроники. (Для всех вариантов)
Состав работы
|
|
|
|
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Лабораторная работа №1. Тема: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов".
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Выполнение работы:
1. Прямое включение.
1.1. Снятие вольтамперных характеристик диодов при прямом включении.
1.2. Определение материала диода.
1.3. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе Iпр=4мА.
2. Обратное включение.
2.1. Снятие вольтамперной характеристики диода Д7Ж при обратном включении.
2.2. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при обратном включении для напряжения Uобр=3В.
3. Исследование стабилитрона Д814А.
4. Исследование однополупериодного выпрямителя.
5. Выводы
Лабораторная работа №2. Тема: "Исследование статических характеристик биполярного транзистора".
Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Выполнение работы:
1. Схема с общей базой.
1.1. Снятие входных характеристик биполярного транзистора при Uкб=0В, Uкб=8В
1.2. Снятие выходных характеристик биполярного транзистора при Iэ=0мА, Iэ=2мА, Iэ=5мА.
2. Схема с общим эмиттером.
2.1. Снятие входных характеристик биполярного транзистора при Uкэ=0В, Uкэ=4,96В.
2.2. Снятие семейства выходных характеристик БТ.
3. Исследование работы усилителя.
3.1. Режим класса А.
3.2. Режим класса В.
3.3. Рабочая точка находится вблизи режима насыщения.
Выводы
Лабораторная работа №3. Тема: "Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов".
Цель работы: Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов.
Выполнение работы:
1. Статические передаточные характеристики ПТ.
2. Выходные характеристики полевого транзистора.
3. Определение крутизны.
4. Исследование работы усилителя.
4.1. Рабочая точка находится посередине линейного участка передаточной характеристики.
4.2. Режим обогащения.
4.3. Режим отсечки.
Выводы
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Выполнение работы:
1. Прямое включение.
1.1. Снятие вольтамперных характеристик диодов при прямом включении.
1.2. Определение материала диода.
1.3. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе Iпр=4мА.
2. Обратное включение.
2.1. Снятие вольтамперной характеристики диода Д7Ж при обратном включении.
2.2. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при обратном включении для напряжения Uобр=3В.
3. Исследование стабилитрона Д814А.
4. Исследование однополупериодного выпрямителя.
5. Выводы
Лабораторная работа №2. Тема: "Исследование статических характеристик биполярного транзистора".
Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Выполнение работы:
1. Схема с общей базой.
1.1. Снятие входных характеристик биполярного транзистора при Uкб=0В, Uкб=8В
1.2. Снятие выходных характеристик биполярного транзистора при Iэ=0мА, Iэ=2мА, Iэ=5мА.
2. Схема с общим эмиттером.
2.1. Снятие входных характеристик биполярного транзистора при Uкэ=0В, Uкэ=4,96В.
2.2. Снятие семейства выходных характеристик БТ.
3. Исследование работы усилителя.
3.1. Режим класса А.
3.2. Режим класса В.
3.3. Рабочая точка находится вблизи режима насыщения.
Выводы
Лабораторная работа №3. Тема: "Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов".
Цель работы: Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов.
Выполнение работы:
1. Статические передаточные характеристики ПТ.
2. Выходные характеристики полевого транзистора.
3. Определение крутизны.
4. Исследование работы усилителя.
4.1. Рабочая точка находится посередине линейного участка передаточной характеристики.
4.2. Режим обогащения.
4.3. Режим отсечки.
Выводы
Дополнительная информация
Работы успешно зачтены.
Также выполняю контрольные работы.
Также выполняю контрольные работы.
Похожие материалы
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №1-3 по дисциплине: «Физические основы электроники» . Все варианты
Jerryamantipe03
: 23 июня 2021
Тема: «Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов»
Тема: «Исследование статических характеристик биполярного транзистора»
Тема: «ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ»
500 руб.
Лабораторные работы №1-3 по дисциплине: Физические основы электроники (ВСЕ варианты)
Елена22
: 7 октября 2015
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники Тема: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Выполнение лабораторной работы.
1. Прямое включение.
1.2. Определение материала диода.
1.3. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом то
800 руб.
Лабораторные работы №1, №2, №3 по дисциплине: Физические основы электроники (Для всех вариантов)
lisii
: 12 марта 2019
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
99 руб.
Лабораторные работы №№1, 2, 3 по дисциплине: Физические основы электроники. Все варианты.
Ershic
: 1 июля 2018
Лабораторная работа №1
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Лабораторная работа №2
Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Лабораторная работа №3
Цель работы: Изучить принцип действия, характеристики и п
100 руб.
Физические основы электроники Лабораторная работа №1
sprut89
: 16 сентября 2019
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
3 . Схемы исследования
На рисунке 1.1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении.
При измерении обратного тока (рисунок 1.2) изменяется полярность подводимого напряжения.
Для исследован
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
ANNA
: 18 февраля 2019
Отчет по работе №1
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
65 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Mercuryman
: 8 июля 2017
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
75 руб.
Физические основы электроники, Лабораторная работа №1
alru
: 26 января 2017
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
100 руб.
Другие работы
Техника мультисервисных сетей. Курсовой проект. Вариант №2
rmn77
: 24 апреля 2019
Техника мультисервисных сетей. Курсовой проект. Вариант 2
Разработать участок оптической транспортной сети SDH. Топология сети и расстояния между пунктами показаны на рисунке .
Предусмотреть передачу по транспортной сети цифровых потоков, указанных в таблице 2.
1. Рассчитать емкость цифровых линейных трактов между станциями для различного типа защиты (SNCP, MS-SPRing, MSP).
1. Выбрать уровень STM на каждом участке сети. Выбрать тип и фирму-производителя оборудования и привести его краткое технич
800 руб.
Деятельность пенсионных и паевых фондов в РФ
evelin
: 25 октября 2013
Введение
Глава 1. Теоретические основы функционирования паевых и пенсионных фондов в Российской Федерации
1.1 Пенсионные фонды РФ и их роль в развитии пенсионной реформы
1.2 Негосударственные пенсионные фонды и тенденции их развития
1.3 Паевые инвестиционные фонды в РФ
1.4 ПИФы для НПФов
Глава 2. Анализ деятельности ПИФов и пенсионных фондов
2.1 Работа негосударственных пенсионных фондов России по обеспечению социальной защиты населения страны
2.2 Анализ факторов развития паевых инвестиционных ф
5 руб.
Асадулина Е.Ю. Теоретическая механика 2013 Задача 2 Вариант 10
Z24
: 16 ноября 2025
Определить величину и направление реакций связей для схем, приведенных на рис. 5.
200 руб.
Рабинович О.М. Сборник задач по технической термодинамике Задача 197
Z24
: 25 сентября 2025
Воздух при давлении р1=0,45 МПа, расширяясь адиабатно до 0,12 МПа, охлаждается до t2=-45 ºC.
Определить начальную температуру и работу, совершенную 1 кг воздуха.
Ответ: t1=61 ºC, l=75,3 кДж/кг.
150 руб.