Контрольная работа По дисциплине: «Устройство оптоэлектроники» Вариант 11

Цена:
250 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 1359FEBF-F3B3-48CD-92C9-537FC62E7BFA.rar [107 KB]
material.view.file_icon 250.docx [120 KB]

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Задача No 1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.

Вариант Тип фотоприемника (ФП)
1 Фотодиод со структурой р-i-n

Задача No 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.




Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность, η Ширина запрещенной зоны ΔW, эВ
1 Si 0,7 1,12


Задача No3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности.

Задача No4. Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.

Дополнительная информация

СибГУТИ. Игнатов Александр Николаевич. Зачтена. 15.09.2015

Похожие материалы

Контрольная работа по дисциплине: Устройство оптоэлектроники. Вариант №11
Задача No 1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Вариант Тип фотоприемника (ФП) 1 Фотодиод со структурой р-i-n Задача No 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность, η Ширина запрещенной зоны ΔW, эВ 1 Si 0,7 1,12 Задача
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User natin83 : 31 января 2015
100 руб.
Устройство оптоэлектроники. Вариант №11
Задача № 1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Вариант Тип фотоприемника (ФП) 1 Фотодиод со структурой р-i-n Решение: Структура фотодиода Расширение частотного диапазона фотодиода без снижения его чувствительности возможно в p-i-n структурах (рис. 1). Фотодиоды p-i-n отличаются простотой конструкции, высокой надежностью, низкой
ДО СИБГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User konst1992 : 31 января 2018
90 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача №1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Фотодиод с гетероструктурой Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны. Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User karimoverkin : 11 июня 2017
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники”
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант Тип фотоприемника (ФП) 0 Фотодиод на основе р-n перехода Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр. Исходные данные Таблица 2. Варианты и данные фотоприемн
СибГУТИ Электроника Работа Контрольная
User Dctjnkbxyj789 : 11 февраля 2017
35 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант Тип фотоприемника (ФП) 9 Фоторезистор Решение: Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра. В фоторезисторах используется явление изменения сопротивления вещества под действием инфракрасно
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User nvm1604 : 27 января 2016
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Вариант 4. Тип фотоприемника (ФП): Лавинный фотодиод
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User lebed-e-va : 28 апреля 2015
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Заданный тип - Лавинный фотодиод Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. Задача No3 Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикат
СибГУТИ Электроника Работа Контрольная
User ART1800 : 8 мая 2013
150 руб.
Устройства оптоэлектроники кр, вариант 11
1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. 3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратор
ДО СИБГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User cotikbant : 13 сентября 2017
50 руб.

Другие работы

Зачетная работа По дисциплине: Электромагнитные поля и волны билет № 4
ЗАДАЧА 1 Плоская электромагнитная волна распространяется вдоль оси в немагнитной среде, обладающей относительной диэлектрической проницаемостью . Удельная проводимость среды . Амплитуда напряженности магнитного поля в точке , , частота колебаний . Определить: 1. Амплитуду напряженности электрического поля в точке . 2. Сдвиг по фазе между составляющими поля E и H. 3. Коэффициент затухания в среде. 4. Среднее за период значение в
******* Не известно Электромагнитные поля и волны Работа Зачетная
User opa154 : 18 октября 2019
130 руб.
Станок-качалка 7СК8-3,5-4000 Скважинная Штанговая насосная установка Насос вставной 30-225-RHBM с усовершенствованием центробежного газового сепаратора-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа-Курсовая работа
Станок-качалка 7СК8-3,5-4000 Скважинная Штанговая насосная установка Насос вставной 30-225-RHBM с усовершенствованием центробежного газового сепаратора-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа-Курсовая работа Скважинная Штанговая насосная установка Насос вставной 30-225-RHBM с усовершенствованием центробежного газового сепаратора СОДЕРЖАНИЕ ВСТУПЛЕНИЕ 1 ИНФОРМАЦИОННЫЙ ОБЗОР 1.1 Анализ существующего оборудования для добычи нефти 1.1.1 Эксплуатация скважин фонтанным и газлифтным способо
Нефтяная промышленность Работа Курсовая
User leha.nakonechnyy.92@mail.ru : 19 декабря 2018
1298 руб.
Станок-качалка 7СК8-3,5-4000 Скважинная Штанговая насосная установка Насос вставной 30-225-RHBM с усовершенствованием центробежного газового сепаратора-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа-Курсовая работа
Контрольная работа по дисциплине:Дискретная математика
Вариант 14 No1 Доказать равенства, используя свойства операций над множествами и определения операций. Проиллюстрировать при помощи диаграмм Эйлера-Венна. а) (AB) \ (AC) = (B\A)  (A\C) б) (AC)(BD) (AB) (CD). No2 Даны два конечных множества: А={a,b,c}, B={1,2,3,4}; бинарные отношения P1 AB, P2 B2. Изобразить P1, P2 графически. Найти P = (P2P1)–1. Выписать области определения и области значений всех трех отношений: P1, P2, Р. Построить матрицу [P2], проверить с ее помощью, является
******* Не известно Работа Контрольная Дискретная математика
User Anza : 17 июня 2019
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине:Дискретная математика
Термодинамика и теплопередача СамГУПС 2012 Задача 25 Вариант 1
Для идеального цикла газотурбинной установки с изобарным подводом теплоты определить основные параметры рабочего тела в переходных точках цикла, термический КПД, полезную работу, количество подведённой и отведённой теплоты, если в начале сжатия рабочего тела абсолютное давление р1 = 0,1 МПа и t1 = 17ºC. Степень повышения давления в цикле λ, а температура рабочего тела в конце расширения t4. Рабочее тело — 1 кг сухого воздуха.
Задачи Теплотехника
User Z24 : 10 ноября 2025
250 руб.
Термодинамика и теплопередача СамГУПС 2012 Задача 25 Вариант 1
up Наверх