Контрольная работа По дисциплине: «Устройство оптоэлектроники» Вариант 11

Цена:
250 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 1359FEBF-F3B3-48CD-92C9-537FC62E7BFA.rar [ 107 KB ]
material.view.file_icon 250.docx [ 120 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Задача No 1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.

Вариант Тип фотоприемника (ФП)
1 Фотодиод со структурой р-i-n

Задача No 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.




Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность, η Ширина запрещенной зоны ΔW, эВ
1 Si 0,7 1,12


Задача No3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности.

Задача No4. Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.

Дополнительная информация

СибГУТИ. Игнатов Александр Николаевич. Зачтена. 15.09.2015

Похожие материалы

Контрольная работа по дисциплине: Устройство оптоэлектроники. Вариант №11
Задача No 1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Вариант Тип фотоприемника (ФП) 1 Фотодиод со структурой р-i-n Задача No 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность, η Ширина запрещенной зоны ΔW, эВ 1 Si 0,7 1,12 Задача
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User natin83 : 31 января 2015
100 руб.
Устройство оптоэлектроники. Вариант №11
Задача № 1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Вариант Тип фотоприемника (ФП) 1 Фотодиод со структурой р-i-n Решение: Структура фотодиода Расширение частотного диапазона фотодиода без снижения его чувствительности возможно в p-i-n структурах (рис. 1). Фотодиоды p-i-n отличаются простотой конструкции, высокой надежностью, низкой
ДО СИБГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User konst1992 : 31 января 2018
90 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача №1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Фотодиод с гетероструктурой Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны. Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User karimoverkin : 11 июня 2017
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники”
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант Тип фотоприемника (ФП) 0 Фотодиод на основе р-n перехода Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр. Исходные данные Таблица 2. Варианты и данные фотоприемн
СибГУТИ Электроника Работа Контрольная
User Dctjnkbxyj789 : 11 февраля 2017
35 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант Тип фотоприемника (ФП) 9 Фоторезистор Решение: Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра. В фоторезисторах используется явление изменения сопротивления вещества под действием инфракрасно
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User nvm1604 : 27 января 2016
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Вариант 4. Тип фотоприемника (ФП): Лавинный фотодиод
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User lebed-e-va : 28 апреля 2015
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Заданный тип - Лавинный фотодиод Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. Задача No3 Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикат
СибГУТИ Электроника Работа Контрольная
User ART1800 : 8 мая 2013
150 руб.
Устройства оптоэлектроники кр, вариант 11
1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. 3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратор
ДО СИБГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User cotikbant : 13 сентября 2017
50 руб.

Другие работы

Косулин В.В., Долонина М.В., Рябова О.В. Основы работы в VBA. Линейное программирование
Лабораторная работа. Рассмотрены основы работы в редакторе Visual Basic for Application (VBA) для Excel, общие вопросы программирования (переменные константы, типы данных и их задание, запись арифметических выражений). Так же на примерах показываются основные приемы программирования. Предназначена для студентов всех специальностей КГЭУ, изучающих курс Информатика.
Компьютерное программирование Работа Лабораторная
User ostah : 20 сентября 2012
20 руб.
Гидравлика Севмашвтуз 2016 Задача 46 Вариант 8
Для измерения расхода воды, которая подается по трубе А в бак Б, установлен расходомер Вентури В. Определить максимальный расход, который можно пропускать через данный расходомер при условии отсутствия в нем кавитации, если температура воды t=60 ºC (давление насыщенных паров соответствует рнп=2 м вод. ст.). Уровень воды в баке поддерживается постоянным, равным H; h — дано. Размеры расходомера: d1; d2. Атмосферное давление принять равным 760 мм рт. ст. Коэффициент сопротивления диффузора ζдиф=0,2
Задачи Гидравлика
User Z24 : 2 ноября 2025
160 руб.
Гидравлика Севмашвтуз 2016 Задача 46 Вариант 8
Задачи по теме №5
Показатель баланса Абсолютные величины Удельные веса Изменения на начало периода на конец периода на начало периода на конец периода в абсолютных величинах в удельных весах в процентах к величине на начало периода в процентах к изменению итога баланса 1 2 3 4 5 6 7 8 9 232 237 394 95 221 224 173 171 17 8 154 159 626 632 314 318 98 85 147 122 58 626 62 632 Актив 1. Внеоборотны
Задачи Бухгалтерский учет и аудит
User studypro3 : 16 июля 2020
300 руб.
Эксплуатация защищенных телекоммуникационных систем
Тема: Разработка мероприятий по предотвращению утечки информации по ПЭМИН на предприятии. Введение ………………………………………………………………………… 1. Природа возникновения ПЭМИН. Классификация КУИ …………………… 1.1. Природа возникновения ПЭМИН ……………………………………… 1.2. Классификация утечки информации по каналам ПЭМИН …………… 1.2.1. Электромагнитные КУИ ……………………………………………. 1.2.1.1. Излучение элементов ТСПИ ………………………………… 1.2.1.2. Излучение на частотах работы ВЧ генераторов ТСПИ ……. 1.2.1.3. Излучение на частотах самовозбужд
ДО СИБГУТИ Работа Курсовая Эксплуатация защищенных телекоммуникационных систем
User cotikbant : 25 марта 2019
150 руб.
up Наверх