Лабораторная работа №6.8 по дисциплине: Физика (специальные главы) Тема: «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников». Вариант №3

Цена:
250 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 13F4EF80-1FDE-45CA-A329-88778883DC07.doc
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

1. Цель работы.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.

2. Теоретические сведения.

3. Описание лабораторной установки.

4. Выполнение задания
Сила тока через образец равна: I=4,6 мА (Вариант No3).

5. Вывод.

6. Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln(σ) от 1/Т?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.

7. Список литературы.

Дополнительная информация

Работа успешно зачтена.
Выполняю работы на заказ по различным дисциплинам. Пишите на почту: LRV967@ya.ru
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Вариант 09 Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
User Саша78 : 9 апреля 2020
100 руб.
Лабораторная работа №6.8 по дисциплине: Физика (специальные главы) Тема: «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников». Вариант №3
1. Цель работы. Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны. 2. Теоретические сведения. 3. Описание лабораторной установки. 4. Выполнение задания Сила тока через образец равна: 4,6 мА 5. Вывод. 6. Контрольные вопросы 1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника. 2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln(σ) от 1/Т? 3. Вывести
User Учеба "Под ключ" : 29 декабря 2016
250 руб.
promo
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8 «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников» 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
User chita261 : 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Теоретические сведения и ход работы: В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно, |q+| = |q-| = e и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n Тогда (2)
User Murlishka : 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10 Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы: Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
User AndrewZ54 : 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны 2. Теоретическое введение Электропроводность материалов определяется выражением: где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
User qawsedrftgyhujik : 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны ВЫВОД В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( ) Контрольные вопросы 1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника. 2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
User DenKnyaz : 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Проблемы диагностики банкроства в антикиризисном управлении предприятием
Современные условия, характеризующиеся усилением конкуренции, глобализацией и интернационализацией экономики, переходом к новому технологическому базису, изменением характера труда, ставят перед современными предприятиями задачу своевременной, эффективной и адаптивной реакции на изменения внешней среды с использованием новейшего арсенала управленческих инструментов. В рыночной экономике предприятие функционирует в условиях нестабильности и неопределенности внешней среды, что вызывает необходимо
User alfFRED : 5 ноября 2013
10 руб.
Задачник по процессам тепломассообмена Задача 1.22
Труба диаметром 60×3 мм и длиной 5 м покрыта слоем пробковой плиты толщиной 30 мм и сверху еще слоем совелита толщиной 40 мм. На стенке трубы снаружи температура -110 ºС, а на наружной поверхности совелита +10 ºС. Определить потерю холода за сутки. Сколько будет потеряно холода, если слои поменять местами? Значения температур и толщин слоев сохранить. Ответ: Q1=16 МДж, Q2=18 МДж.
User Z24 : 23 октября 2025
150 руб.
Задачник по процессам тепломассообмена Задача 1.22
Гарбузов З.Е., Донской В.М. Экскаваторы непрерывного действия
В учебнике рассматривается подробное описание конструкции экскаваторов непрерывного действия продольного и поперечного копания. Даны описания многоковшовых, скребковых рабочих органов. Содержание: Классификация и компоновка экскаваторов Механический привод Гидропривод и гидрооборудование Электропривод Взаимодействие рабочих органов с грунтом Конструкция цепных траншейных экскаваторов Экскаваторы-дреноукладчики для зоны осушения Экскаваторы-дреноукладчики для зоны орошения Экскаваторы поперечног
User Aronitue9 : 25 апреля 2012
750 руб.
Организационно-правовое обеспечение информационной безопасности Контрольная работа СибГУТИ 2025 год
ВАМ НУЖНО ТОЛЬКО ПОДСТАВИТЬ СВОЮ ФАМИЛИЮ И ВСЁ!!!!!! 2.2 Пакет документов для проверки При разработке организационного обеспечения следует посредством документов, предназначенных для проверки регулирующим органом, закрепить документально утвержденные в организации правила по всем стадиям выполняемых с ПДн действиями. Перечень документов: 1. Положение о защите персональных данных; 2. Положение о подразделении по защите информации; 3. Приказ о назначении лиц, ответствен
User ilya22ru : 16 октября 2025
920 руб.
up Наверх