Лабораторная работа №6.8 по дисциплине: Физика (специальные главы) Тема: «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников». Вариант №3

Цена:
250 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 13F4EF80-1FDE-45CA-A329-88778883DC07.doc [ 334 KB ]
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

1. Цель работы.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.

2. Теоретические сведения.

3. Описание лабораторной установки.

4. Выполнение задания
Сила тока через образец равна: I=4,6 мА (Вариант No3).

5. Вывод.

6. Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln(σ) от 1/Т?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.

7. Список литературы.

Дополнительная информация

Работа успешно зачтена.
Выполняю работы на заказ по различным дисциплинам. Пишите на почту: LRV967@ya.ru

Похожие материалы

Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Вариант 09 Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
Физика Работа
User Саша78 : 9 апреля 2020
100 руб.
Лабораторная работа №6.8 по дисциплине: Физика (специальные главы) Тема: «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников». Вариант №3
1. Цель работы. Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны. 2. Теоретические сведения. 3. Описание лабораторной установки. 4. Выполнение задания Сила тока через образец равна: 4,6 мА 5. Вывод. 6. Контрольные вопросы 1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника. 2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln(σ) от 1/Т? 3. Вывести
ДО СИБГУТИ Физика Работа Лабораторная
User Учеба "Под ключ" : 29 декабря 2016
250 руб.
promo
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
******* Не известно Физика Работа Лабораторная
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8 «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников» 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
СибГУТИ Физика Работа Лабораторная
User chita261 : 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Теоретические сведения и ход работы: В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно, |q+| = |q-| = e и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n Тогда (2)
СибГУТИ Работа Лабораторная Физика. Физика математическая
User Murlishka : 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10 Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы: Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
СибГУТИ Физика и энергетика Работа Лабораторная
User AndrewZ54 : 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны 2. Теоретическое введение Электропроводность материалов определяется выражением: где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
СибГУТИ Работа Лабораторная Физика. Физика математическая
User qawsedrftgyhujik : 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны ВЫВОД В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( ) Контрольные вопросы 1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника. 2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
СибГУТИ Физика. Физика математическая Работа Контрольная
User DenKnyaz : 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников

Другие работы

Бульдозер трансформованим робочим органом
1 ДОСЛІДНИЦЬКА ЧАСТИНА Із створенням землерийної техніки виникли питання про зменшення питомих витрат та енергоємності, які необхідно витратити на копання ґрунту, тобто створення такого робочого органу, робота якого дозволила б збільшити продуктивність машини, підвищити ефективність взаємодії із ґрунтом та знизити вартість виконаних робіт. Для створення такого робочого органу необхідно дослідити процес різання ґрунту. Рішення цих питань присвячено багато наукових праць як вітчизняних так і зако
Диплом и связанное с ним Дипломные проекты
User SerFACE : 24 января 2013
550 руб.
Бульдозер трансформованим робочим органом
Теплотехника 18.03.01 КубГТУ Задача 1 Вариант 39
Сравнить мощность, затраченную на повышение давления воздуха в одно- и двухступенчатом компрессоре в случае политропного сжатия с показателем политропы n. Объемный расход воздуха при параметрах всасывания — V1, начальные параметры р1=0,1 МПа и t1, а конечное давление — рк. Определить также температуру воздуха на выходе из компрессора и количество теплоты, отводимое от цилиндров и промежуточного теплообменника. Изобразить условно процессы одно- и двухступенчатого сжатия на рυ-, Ts — диаграммах.
Задачи Теплотехника
User Z24 : 23 января 2026
200 руб.
Теплотехника 18.03.01 КубГТУ Задача 1 Вариант 39
Термодинамика и теплопередача ТЕПЛОПЕРЕДАЧА ИрГУПС 2015 Задача 2 Вариант 5
По данным тепловых измерений тепломером средний удельный тепловой поток через ограждение изотермического вагона при температуре наружного воздуха tн и температуре воздуха в вагоне tв составил q. На сколько процентов изменится количество тепла, поступающего в вагон за счет теплоотдачи через ограждение, если при прочих равных условиях на его поверхность наложить дополнительный слой изоляции из пиатерма толщиной δ=30 мм с коэффициентом теплопроводности λ=0,036 Вт/(м·К)?
Задачи Теплотехника
User Z24 : 3 декабря 2025
150 руб.
Термодинамика и теплопередача ТЕПЛОПЕРЕДАЧА ИрГУПС 2015 Задача 2 Вариант 5
Выращивание высокотемпературных сверхпроводящих пленок YBaCuO на золоте
Как известно, только определенные виды материалов могут быть применены в качестве подложек для выращивания высокотемпературных сверхпроводящих (ВТСП) пленок, в частности, YBaCuO пленок. Причина такого ограничения заключается в высокой химической активности соединения YBaCuO, а также в том, что сверхпроводящие свойства весьма чувствительны к значениям параметров кристаллической решетки. Тем не менее, количество материалов, пригодных для выращивания качественных ВТСП пленок, постоянно увеличиваетс
Рефераты Физика и энергетика
User Lokard : 12 августа 2013
15 руб.
up Наверх