Лабораторные работы №1-3 по дисциплине: Физические основы электроники (ВСЕ варианты)

Цена:
800 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon Лабораторная 1. ФОЭ. (все варианты).docx
material.view.file_icon Лабораторная 2. ФОЭ. (все варианты).docx
material.view.file_icon Лабораторная 3. ФОЭ. (все варианты).docx
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники Тема: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Выполнение лабораторной работы.
1. Прямое включение.
1.2. Определение материала диода.
1.3. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе Iпр=5мА
2. Обратное включение.
2.1. Снятие вольтамперной характеристики диода Д7Ж при обратном включении.
2.2. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при обратном включении для напряжения Uобр=3В.
3. Исследование стабилитрона Д814А
4. Исследование однополупериодного выпрямителя
5. Выводы

Лабораторная работа №2 по дисциплине: Физические основы электроники Тема: "Исследование статических характеристик биполярного транзистора"
Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Выполнение лабораторной работы.
1. Схема с общей базой.
1.1 Снятие входных характеристик биполярного транзистора при Uкб=0В и Uкб=8В
1.2 Снятие выходных характеристик биполярного транзистора при Iэ=0мА, Iэ=2мА и Iэ=4мА
2. Схема с общим эмиттером.
2.1 Снятие входных характеристик биполярного транзистора при Uкэ=0В, Uкэ=4,96В
2.2 Снятие семейства выходных характеристик БТ.
3. Исследование работы усилителя.
3.1 Режим класса А.
3.2. Режим класса В.
3.3. Рабочая точка находится вблизи режима насыщения.
Выводы

Лабораторная работа №3 по дисциплине: Физические основы электроники Тема: "Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов"
Цель работы: Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов.
Выполнение лабораторной работы.
1. Статические передаточные характеристики ПТ.
2. Выходные характеристики полевого транзистора.
3. Определение крутизны.
4. Исследование работы усилителя.
4.1. Рабочая точка находится посередине линейного участка передаточной характеристики .
4.2. Режим обогащения.
4.3. Режим отсечки.
Выводы

Дополнительная информация

Все работы успешно зачтены (без замечаний, с первого раза). Выполнялись на заказ, очень качественно. Подходят ко ВСЕМ вариантам. В архиве 3 работы.
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №1-3 по дисциплине: «Физические основы электроники» . Все варианты
Тема: «Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов» Тема: «Исследование статических характеристик биполярного транзистора» Тема: «ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ»
User Jerryamantipe03 : 23 июня 2021
500 руб.
Лабораторные работы №1-3 по дисциплине: Физические основы электроники. (Для всех вариантов)
Лабораторная работа №1. Тема: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Выполнение работы: 1. Прямое включение. 1.1. Снятие вольтамперных характеристик диодов при прямом включении. 1.2. Определение материала диода. 1.3. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления
User Roma967 : 29 мая 2015
800 руб.
promo
Лабораторные работы №1, №2, №3 по дисциплине: Физические основы электроники (Для всех вариантов)
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Исследование статических характеристик биполярного транзистора Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
User lisii : 12 марта 2019
99 руб.
Лабораторные работы №№1, 2, 3 по дисциплине: Физические основы электроники. Все варианты.
Лабораторная работа №1 Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Лабораторная работа №2 Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). Лабораторная работа №3 Цель работы: Изучить принцип действия, характеристики и п
User Ershic : 1 июля 2018
100 руб.
Лабораторные работы №№1, 2, 3 по дисциплине: Физические основы электроники. Все варианты.
Физические основы электроники Лабораторная работа №1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 3 . Схемы исследования На рисунке 1.1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении. При измерении обратного тока (рисунок 1.2) изменяется полярность подводимого напряжения. Для исследован
User sprut89 : 16 сентября 2019
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Отчет по работе №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" 1. Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
User ANNA : 18 февраля 2019
65 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
User Mercuryman : 8 июля 2017
75 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Физические основы электроники, Лабораторная работа №1
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
User alru : 26 января 2017
100 руб.
Гидравлика и гидропневмопривод Ч.2 ПГУПС 2025 Задача 2 Вариант 36
ТИПОВАЯ ЗАДАЧА №2 «Определение диаметра ведущего поршня» На рис.1.2 представлено начальное положение гидравлической системы дистанционного управления (рабочая жидкость между поршнями не сжата). При перемещении ведущего поршня диаметром вправо жидкость постепенно сжимается и давлений в ней повышается. Когда манометрическое давление р достигает определенной величины, сила давления на ведомый поршень диаметром становится больше силы сопротивления , приложенной к штоку ведомого поршня. С это
User Z24 : 9 января 2026
200 руб.
Гидравлика и гидропневмопривод Ч.2 ПГУПС 2025 Задача 2 Вариант 36
Олигархия как политическая проблема российского посткоммунизма
Олигархия как политическая проблема российского посткоммунизма Введение При обсуждении политической ситуации в России конца 90-х годов вошел в обиход термин олигархия . Олигархия упоминается как обязательный участник практически всех значимых политических событий, будь то отставка Черномырдина, деятельность правительства Кириенко, шахтерские забастовки или перспективы участия Б. Ельцина в президентских выборах 2000 года. Слово олигархия стало вытеснять своего предшественника, номенклатуру , кот
User evelin : 20 февраля 2013
10 руб.
Глубинное строение Центрально-Камчатской депрессии и структурная позиция вулканов
Комплексный анализ геолого-геофизических и петрофизических данных района Центрально-Камчатской депрессии (ЦКД) позволяет выделить в ее глубинном строении три структурные зоны, сложенные структурно-вещественными комплексами широкого возрастного диапазона от домезозойских (?) до современных. Наличие в пределах ЦКД протяженной, большей частью погребенной антиклинальной зоны (поднятия), обрамленной депрессионными структурами, свидетельствует о ее наложенном характере. Интенсивные локальные геофизиче
User Elfa254 : 5 сентября 2013
up Наверх