Лабораторные работы №1-3 по дисциплине: Физические основы электроники (ВСЕ варианты)

Цена:
800 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon Лабораторная 1. ФОЭ. (все варианты).docx
material.view.file_icon Лабораторная 2. ФОЭ. (все варианты).docx
material.view.file_icon Лабораторная 3. ФОЭ. (все варианты).docx
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники Тема: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Выполнение лабораторной работы.
1. Прямое включение.
1.2. Определение материала диода.
1.3. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе Iпр=5мА
2. Обратное включение.
2.1. Снятие вольтамперной характеристики диода Д7Ж при обратном включении.
2.2. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при обратном включении для напряжения Uобр=3В.
3. Исследование стабилитрона Д814А
4. Исследование однополупериодного выпрямителя
5. Выводы

Лабораторная работа №2 по дисциплине: Физические основы электроники Тема: "Исследование статических характеристик биполярного транзистора"
Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Выполнение лабораторной работы.
1. Схема с общей базой.
1.1 Снятие входных характеристик биполярного транзистора при Uкб=0В и Uкб=8В
1.2 Снятие выходных характеристик биполярного транзистора при Iэ=0мА, Iэ=2мА и Iэ=4мА
2. Схема с общим эмиттером.
2.1 Снятие входных характеристик биполярного транзистора при Uкэ=0В, Uкэ=4,96В
2.2 Снятие семейства выходных характеристик БТ.
3. Исследование работы усилителя.
3.1 Режим класса А.
3.2. Режим класса В.
3.3. Рабочая точка находится вблизи режима насыщения.
Выводы

Лабораторная работа №3 по дисциплине: Физические основы электроники Тема: "Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов"
Цель работы: Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов.
Выполнение лабораторной работы.
1. Статические передаточные характеристики ПТ.
2. Выходные характеристики полевого транзистора.
3. Определение крутизны.
4. Исследование работы усилителя.
4.1. Рабочая точка находится посередине линейного участка передаточной характеристики .
4.2. Режим обогащения.
4.3. Режим отсечки.
Выводы

Дополнительная информация

Все работы успешно зачтены (без замечаний, с первого раза). Выполнялись на заказ, очень качественно. Подходят ко ВСЕМ вариантам. В архиве 3 работы.
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №1-3 по дисциплине: «Физические основы электроники» . Все варианты
Тема: «Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов» Тема: «Исследование статических характеристик биполярного транзистора» Тема: «ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ»
User Jerryamantipe03 : 23 июня 2021
500 руб.
Лабораторные работы №1-3 по дисциплине: Физические основы электроники. (Для всех вариантов)
Лабораторная работа №1. Тема: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Выполнение работы: 1. Прямое включение. 1.1. Снятие вольтамперных характеристик диодов при прямом включении. 1.2. Определение материала диода. 1.3. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления
User Roma967 : 29 мая 2015
800 руб.
promo
Лабораторные работы №1, №2, №3 по дисциплине: Физические основы электроники (Для всех вариантов)
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Исследование статических характеристик биполярного транзистора Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
User lisii : 12 марта 2019
99 руб.
Лабораторные работы №№1, 2, 3 по дисциплине: Физические основы электроники. Все варианты.
Лабораторная работа №1 Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Лабораторная работа №2 Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). Лабораторная работа №3 Цель работы: Изучить принцип действия, характеристики и п
User Ershic : 1 июля 2018
100 руб.
Лабораторные работы №№1, 2, 3 по дисциплине: Физические основы электроники. Все варианты.
Лабораторные работы №№1-2-3 по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №06
Лабораторная работа 1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов Работа выполняется в лаборатории с удаленным доступом. 1 Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2 Подготовка к работе 3 Схемы исследования На рисунке 1.1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении. При измерении обратного тока (рисунок
User Alexbur1971 : 9 декабря 2021
250 руб.
Лабораторные работы №№1-2-3 по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №06
Физические основы электроники Лабораторная работа №1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 3 . Схемы исследования На рисунке 1.1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении. При измерении обратного тока (рисунок 1.2) изменяется полярность подводимого напряжения. Для исследован
User sprut89 : 16 сентября 2019
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Отчет по работе №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" 1. Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
User ANNA : 18 февраля 2019
65 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
User Mercuryman : 8 июля 2017
75 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Информационные базы данных: нормализация, связи и ключи
Информационная система – это совокупность программно-аппаратных средств, способов и людей, которые обеспечивают сбор, хранение, обработку и выдачу информации для решения поставленных задач. На ранних стадиях использования информационных систем применялась файловая модель обработки. В дальнейшем в информационных системах стали применяться базы данных. Базы данных являются современной формой организации, хранения и доступа к информации. Примерами крупных информационных систем являются банковские с
User Elfa254 : 4 октября 2013
10 руб.
Экологическая физиология
социально экономических процессов с качеством общественного здоровья. В наибольшей степени настораживает то обстоятельство, что жертвами социальных болезней стали дети и подростки. Иными словами, социальные болезни 1990-х и начала 2000-х годов протянули свои метастазы в будущее, когда эти дети и подростки станут взрослымисоциально экономических процессов с качеством общественного здоровья. В наибольшей степени настораживает то обстоятельство, что жертвами социальных болезней стали дети и подрост
User Refylsr : 9 января 2016
Зачет по дисциплине: Основы антикоррупционной культуры. Билет №8
Зачет По дисциплине: Основы антикоррупционной культуры ------------------------------------------- Билет №8 1. Основные формы проявления и виды коррупции
User IT-STUDHELP : 5 ноября 2022
150 руб.
promo
Экономическое развитие Красноярского края
Введение Общая характеристика Красноярского края Макроэкономическая ситуация в крае Инвестиционное развитие Красноярского края Вывод Список литературы В докладе о развитии человеческого потенциала в Российской Федерации, подготовленном Программой развития Организации объединенных наций, Красноярский край занимает 11 место (0,816) в рейтинге регионов по индексу развития человеческого потенциала за 2008 г. При подсчете данного индекса учитываются реальный ВВП на душу населения, индекс дохода, ожид
User Aronitue9 : 20 января 2012
10 руб.
up Наверх