Физика-3. Лабораторная работа № - 8
-
Категории:
Физика , Работа Лабораторная, ТУСУР
-
Добавлен:
29.10.2015
-
Размер:
51 KB
-
Покупок:
0
-
Добавил:
Pushful
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
|
8 лаб.txt
|
8Физика.doc
|
phyLab8.reg
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Программа для просмотра текстовых файлов
- Microsoft Word
Описание
Лабораторная работа по курсу общей физики
ОПРЕДЕЛЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕНОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА ПО ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ ОБРАТНОГО ТОКА ДИОДА
1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ
Целью работы является исследование температурной зависимости обратного тока стандартного диода и определение ширины запрещенной зоны полупроводника, из которого изготовлен диод.
ОПРЕДЕЛЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕНОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА ПО ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ ОБРАТНОГО ТОКА ДИОДА
1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ
Целью работы является исследование температурной зависимости обратного тока стандартного диода и определение ширины запрещенной зоны полупроводника, из которого изготовлен диод.
Дополнительная информация
2012. Зачтено
Похожие материалы
Лабораторная работа по физике.
ivi
: 11 июня 2016
Лабораторная работа 7.3
Определение длины электромагнитной волны методом дифракции Фраунгофера
1. Цель работы
Исследовать явление дифракции электромагнитных волн. С помощью дифракционной решетки проходящего света измерить длины электромагнитных волн видимого диапазона
ivi
: 11 июня 2016
250 руб.
Физика. Лабораторная работа
Сергейds
: 28 июля 2013
Цель работы
Исследовать явление дифракции электромагнитных волн.
С помощью дифракционной решетки проходящего света измерить длины электромагнитных волн
видимого диапазона
Краткие теоретические сведения
Дифракцией называется совокупность явлений, наблюдаемых при распространении света в среде с резкими неоднородностями ( например, вблизи границ непрозрачных тел, сквозь малые отверстия и т.п.) и связанных с отклонениями от законов геометрической оптики. В частности, дифракция приводит к огибанию
Сергейds
: 28 июля 2013
49 руб.
Лабораторная работа по физике
tehnikuvc
: 15 января 2013
Лабораторная работа 2 по физике 1 семестр 4 вар
Определение удельного заряда электрона методом магнетрона
2.Основные теоретические сведения
3. Экспериментальные результаты
4. Вывод
5. Ответы на контрольные вопросы
tehnikuvc
: 15 января 2013
40 руб.
Лабораторные работы по физике
vanilasky
: 13 декабря 2011
Лабораторная работа № 1 Изучение характеристик электростатического поля
. Цель работы
Исследовать электростатическое поле, графически изобразить сечение эквипотенциальных поверхностей и силовые линии для некоторых конфигураций поля.
Лабораторная работа № 2 Определение удельного заряда электрона методом магнетрона
1. Цель работы
Познакомиться с законами движения заряженных частиц в электрическом и магнитном полях, определить удельный заряд электрона с помощью цилиндрического магнетрона
vanilasky
: 13 декабря 2011
200 руб.
Лабораторные работы по физике.
alex-kolisnyk
: 10 декабря 2010
Всего 45 работ.
Лабораторная работа №37:
Изучение процессов заряда и
разряда конденсатора.
Лабораторная работа №73:
Изучение дисперсии света на простейших
преградах и дифракционной решетке.
Лабораторная работа №3:
Изучение законов вращательного движения твёрдого тела
Лабораторная работа №4:
Определение моментов инерции твёрдых тел методом трифилярного подвеса.
Лабораторная работа №5:
по курсу общей физики.
Определение моментов инерции тел произвольной формы.
Лабораторная работа №10:
Изучение сво
alex-kolisnyk
: 10 декабря 2010
60 руб.
Лабораторная работа по физике
vereney
: 6 мая 2010
Цель работы
Познакомиться с законами движения заряженных частиц в электрическом и магнитном полях, определить удельный заряд электрона с помощью цилиндрического магнетрона.
2.Основные теоретические сведения
vereney
: 6 мая 2010
40 руб.
Лабораторные работы по физике!!!
viclap
: 28 октября 2008
Выполненные лабораторные работы за 3 семестра.+вопросы к зачётам и билеты к экзамену
viclap
: 28 октября 2008
100 руб.
Лабораторная работа №3 по физике
Роман186
: 7 ноября 2023
Лабораторная работа №3.
Изучение обобщённого закона Ома и измерение электродвижущей силы методом компенсации
Ответы на контрольные вопросы
Роман186
: 7 ноября 2023
150 руб.
Другие работы
Технология восстановления и упрочнения тонкостенных вкладышей подшипников СОД методом плазменного напыления
Рики-Тики-Та
: 4 сентября 2011
В данной работе описывается ТП (технологический процесс) восстановления тонкостенного вкладыша подшипника двигателя Зульцер типа AL 25/30. Разработан технологический процесс включающий дефектацию вкладыша подшипника, выбор марки материала для нанесения покрытия, выбор метода подготовки поверхности под нанесения покрытия, выбор способа упрочнения. Выполнен расчет выпускного клапана на прочность.
Заключение
В данном курсовом проекте была разработана технология восстановления и упрочнения тонкосте
Рики-Тики-Та
: 4 сентября 2011
55 руб.
Проекционное черчение
Laguz
: 9 ноября 2025
Построить третью проекцию по двум заданным.
Если есть какие-то вопросы или нужно другой вариант, пишите.
Laguz
: 9 ноября 2025
150 руб.
Физика (задача оформлена в Word) № 3.12
Григорий12
: 21 мая 2014
3.12. Небольшое тело соскальзывает с наклонной плоскости, образующей угол 35o с горизонтом. В конце спуска (у основания наклонной плоскости) тело ударяется упруго о стенку, перпендикулярную наклонной плоскости, и отскакивает вверх по наклонной плоскости. Определить, на какую высоту поднимется тело, если оно соскальзывало с высоты 0,9 м. Коэффициент трения 0,2, а коэффициент восстановления 0,9 (коэффициентом восстановления называется отношение скорости тела после удара к его скорости до удара).
Григорий12
: 21 мая 2014
80 руб.
Лабораторная работа №2,Вариант 02.ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора. Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базо
кайлорен
: 2 декабря 2019
Ответы на следующие контрольные вопросы:
2.2.1 Устройство плоскостного транзистора.
2.2.2 Принцип действия биполярного бездрейфого транзистора.
2.2.3 Нарисовать схемы включения транзистора с ОБ, ОЭ и ОК для структур p-n-p и n-p-n.
2.2.4 Начертить потенциальные диаграммы p-n-p и n-p-n транзисторов в различных режимах их работы.
2.2.5 Из каких компонент состоят токи через эмиттерный и коллекторный переходы транзистора?
2.2.6 Из каких компонент состоит ток базы?
2.2.7 Дать определение коэффициенто
кайлорен
: 2 декабря 2019
275 руб.
