Итоговая работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 01.
-
Категории:
СибГУТИ, Устройство оптоэлектроники, Работа Зачетная
-
Добавлен:
06.12.2015
-
Размер:
397 KB
-
Покупок:
0
-
Добавил:
gerts
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
устр_зачетное задание.docx
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Энергетические параметры.
Раздел Излучатели.
2.Структурная схема лазера.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фототранзистора.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия жидкокристаллического индикатора на основе «Твист эффекта».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Энергетические параметры.
Раздел Излучатели.
2.Структурная схема лазера.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фототранзистора.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия жидкокристаллического индикатора на основе «Твист эффекта».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
Дополнительная информация
2015, зачет.
Похожие материалы
Устройства оптоэлектроники, Зачетная работа, Вариант 01
Александр495
: 17 мая 2016
Вопросы к зачету:
Раздел: Физические основы оптоэлектроники.
1. Энергетические характеристики оптического излучения.
Раздел Излучатели.
2. Устройство и принцип действия полупроводникового монолазера.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3. Устройство и принцип действия фотоприёмника на основе полевого транзистора с p-n переходом.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4. Плазменные панели.
Александр495
: 17 мая 2016
100 руб.
Устройства оптоэлектроники, Контрольная работа, Вариант 01
Александр495
: 15 мая 2016
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Исходные данные (вариант 01):
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
1 Фотодиод со структурой p-i-n
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Исходные данные (вариант 01):
Вариант Тип ПП материалы Квантовая эффек
Александр495
: 15 мая 2016
180 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант 01
Иван77717
: 26 мая 2015
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
1 Фотодиод со структурой р-i-n
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Иван77717
: 26 мая 2015
69 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа Вариант 01
domicelia
: 10 апреля 2011
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и сост
domicelia
: 10 апреля 2011
170 руб.
Итоговая работа по дисциплине: Электроника. Вариант 01.
gerts
: 6 декабря 2015
1.Параметры полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, к
gerts
: 6 декабря 2015
150 руб.
Устройства оптоэлектроники
alru
: 22 сентября 2016
1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора
alru
: 22 сентября 2016
100 руб.
Устройства оптоэлектроники
arkadij
: 9 марта 2016
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Закон Снеллиуса.
Раздел Излучатели.
2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа
arkadij
: 9 марта 2016
100 руб.
Устройства оптоэлектроники
arkadij
: 13 февраля 2016
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ гр.
тип ПП материала SI квантовая эфективность 0,7
Ширина запрещен-ной зоны W, эВ 1,12
arkadij
: 13 февраля 2016
500 руб.
Другие работы
Билет №18. Устройства приема и обработки
Dimanank
: 28 марта 2015
Ответы на билет 18 Устройства приема и обработки
Малошумящие транзисторные усилители СВЧ. Особенности построения схем. Балансные усилители СВЧ.
Фазовые детекторы (схемы, принцип работы).
Особенности входного устройства с емкостным делителем. Условия согласования во входной цепи.
Найдите и исправьте ошибки в схеме УРЧ (усилитель радиочастоты).
Dimanank
: 28 марта 2015
200 руб.
Анатомо-фізіологічні особливості імунної та серцево-судинної системи системи в дітей
alfFRED
: 23 января 2013
Перший критичний період — період новонародженості. Організм дитини раптово зустрічається з великою кількістю антигенів, і для запобігання розвитку аутоагресії імунні реакції новонародженого набувають супресорної спрямованості. Для цього періоду характерні недосконалість факторів неспецифічної резистентності, дефіцит С6-компонента комплементу, незавершеність фагоцитозу, обмежена секреція цитокінів, у тому числі інтерферонів, низька продукція IgG, IgA, IgM, секреторного IgA, недостатність системно
alfFRED
: 23 января 2013
Корпоративная социальная ответственность. Зачет. Билет №18
karinjan
: 12 сентября 2016
1. Перечислите основные глобальные проблемы человечества и методы их решения, предложенные учеными, ведущими мировыми предпринимателями.
2. Какие социальные сферы наиболее нуждаются, по-вашему, в спонсорской материальной поддержке и почему?
karinjan
: 12 сентября 2016
50 руб.
Сегментация инвестиционных рынков
Slolka
: 8 апреля 2014
Понятие инвестиционного рынка………………………………….2
Функции инвестиционного рынка…………………………………3
Систематизация инвестиционных рынков………………………...6
Понятие инвестиционного рыка.
Инвестиционная деятельность предприятия неразрывно связана с функционированием инвестиционного рынка, развитием его видов и сегментов, состоянием его конъюнктуры. Хотя термин "инвестиционный рынок" уже достаточно продолжительное время используется экономистами, однозначная трактовка этого понятия до сих пор не выработана.
В зару
Slolka
: 8 апреля 2014
5 руб.
