Итоговая работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 01.

Цена:
99 руб.

Состав работы

material.view.file_icon E75CF7E5-39B4-4515-A978-D08301947DA8.rar [397 KB]
material.view.file_icon устр_зачетное задание.docx [415 KB]

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Энергетические параметры.

Раздел Излучатели.
2.Структурная схема лазера.

Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фототранзистора.

Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия жидкокристаллического индикатора на основе «Твист эффекта».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники

Дополнительная информация

2015, зачет.

Похожие материалы

Устройства оптоэлектроники, Зачетная работа, Вариант 01
Вопросы к зачету: Раздел: Физические основы оптоэлектроники. 1. Энергетические характеристики оптического излучения. Раздел Излучатели. 2. Устройство и принцип действия полупроводникового монолазера. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства» 3. Устройство и принцип действия фотоприёмника на основе полевого транзистора с p-n переходом. Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств». 4. Плазменные панели.
******* Не известно Устройство оптоэлектроники Работа Зачетная
User Александр495 : 17 мая 2016
100 руб.
Устройства оптоэлектроники, Контрольная работа, Вариант 01
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Исходные данные (вариант 01): Вариант Тип фотоприемника (ФП) 1 Фотодиод со структурой p-i-n Задача № 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней . Исходные данные (вариант 01): Вариант Тип ПП материалы Квантовая эффек
******* Не известно Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User Александр495 : 15 мая 2016
180 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант 01
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант Тип фотоприемника (ФП) 1 Фотодиод со структурой р-i-n Задача № 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Оптические мультисервисные сети СибГУТИ Работа Контрольная
User Иван77717 : 26 мая 2015
69 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа Вариант 01
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Задача № 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней . Задача №3 Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и сост
СибГУТИ Работа Контрольная Телекоммуникации
User domicelia : 10 апреля 2011
170 руб.
Итоговая работа по дисциплине: Электроника. Вариант 01.
1.Параметры полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, к
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User gerts : 6 декабря 2015
150 руб.
Устройства оптоэлектроники
1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. 3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User alru : 22 сентября 2016
100 руб.
Устройства оптоэлектроники
Раздел: Физические основы оптоэлектроники 1.Закон Снеллиуса. Раздел Излучатели. 2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства» 3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой. Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств». 4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Зачетная
User arkadij : 9 марта 2016
100 руб.
Устройства оптоэлектроники
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Лавинный фотодиод Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ гр. тип ПП материала SI квантовая эфективность 0,7 Ширина запрещен-ной зоны W, эВ 1,12
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User arkadij : 13 февраля 2016
500 руб.

Другие работы

Политическая идеология сущность, структура, основные классификации
Содержание Введение…………………………………………………………………. ..3 Сущность политической идеологии……………………………..........4 Функции политической идеологии………………………………..….7 Структура политической идеологии ……………..………………. ..9 Уровни политической идеологии…………………............................10 5. Современные виды идеологии……………………………………... 11 5.1.Марксизм и социал- демократия…………………………….. ….11 5.2.Либерализм…………………………………………………..…….12 5.3.Консерватизм………………………………………………….. ....13 Заключение…………………………………………………….
Политология Работа
User Elfa254 : 9 января 2014
15 руб.
Рецензия на книгу: Ж. П. Вернана "Происхождение древнегреческой мысли"
Автор этой небольшой по объему книги - известный специалист в области сравнительной истории. В 1937 году впервые получил должность преподавателя философии. Начав с участия в Движении Сопротивления в 1940 году, в 1944 году возглавляет FFI в Тулузе. С 1948 года он обращается к антропологии Древней Греции и вступает в CNRS. Будучи научным руководителем школы изучения древности с 1958 года, создает Центр сравнительных исследований древних обществ. Жан-Пьер Вернан великий исследователь и «захватывающ
Философия Работа
User Slolka : 15 ноября 2013
10 руб.
Особенности административного судопроизводства
Определившись, в какой суд необходимо обратиться для разрешения спора (предметная и территориальная подсудность), необходимо составить административный иск в соответствии с требованиями, изложенными в ст.ст. 105-106 Кодекса административного судопроизводства Украины (КАСУ) (рассмотрены в ч.1). В соответствии со ст.105 КАСУ административный иск предъявляется в суд в письменной форме лично истцом или его представителем. Согласно ст. 56 КАСУ представителем истца может быть физическое совершеннолетн
Рефераты Государство и право
User Elfa254 : 14 сентября 2013
Гидромеханика ПетрГУ 2014 Задача 2 Вариант 98
Увеличение давления происходит при внезапном расширении трубы от d до D (рис. 2), которому соответствует разность показаний пьезометров Δh, установленных в сечениях трубы 1-1 и 2-2. Учитывая местные потери hм на внезапное расширение трубы, определить скорости υ1, υ2 и расход жидкости Q.
Задачи Гидравлика
User Z24 : 8 марта 2026
180 руб.
Гидромеханика ПетрГУ 2014 Задача 2 Вариант 98
up Наверх