Электроника
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Введение 3
Техническое задание 4
1. Электрический расчет схемы. 5
1.1 Оценка потенциалов и расчет токов схемы 5
1.1.1 Расчет для комбинации входных сигналов 0100 6
1.1.2 Расчет для комбинации входных сигналов 1001 9
1.1.3 Расчет для комбинации входных сигналов 1010 13
1.2 Расчет мощностей, рассеиваемых на резисторах. 17
1.3 Расчет мощности, потребляемой всей схемой 18
1.4 Составление таблицы истинности. 19
2. Разработка топологии ИМС 20
2.1 Расчет размеров резисторов 20
2.2 Расчет площади, занимаемой элементами всей схемы 22
2.3 Выбор размеров подложки. 23
2.4 Составление топологического чертежа. 23
Список литературы 25
Техническое задание 4
1. Электрический расчет схемы. 5
1.1 Оценка потенциалов и расчет токов схемы 5
1.1.1 Расчет для комбинации входных сигналов 0100 6
1.1.2 Расчет для комбинации входных сигналов 1001 9
1.1.3 Расчет для комбинации входных сигналов 1010 13
1.2 Расчет мощностей, рассеиваемых на резисторах. 17
1.3 Расчет мощности, потребляемой всей схемой 18
1.4 Составление таблицы истинности. 19
2. Разработка топологии ИМС 20
2.1 Расчет размеров резисторов 20
2.2 Расчет площади, занимаемой элементами всей схемы 22
2.3 Выбор размеров подложки. 23
2.4 Составление топологического чертежа. 23
Список литературы 25
Дополнительная информация
СибГУТИ.2015г
Похожие материалы
Электроника
Юрий14
: 23 ноября 2021
1. Структурная схема операционного усилителя (схема, назначение всех узлов, которые входят в состав структурной схемы).
2. Логический элемент комплементарной МДП логики (КМДП) «операция НЕ, И-НЕ»
150 руб.
Электроника
tatacava1982
: 18 сентября 2020
экзаменационный билет №8, экзаменационная работа № 8
Экзаменационная работа
По дисциплине: Электроника
Билет: №8
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Структурные схемы и поколения ОУ.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите
70 руб.
Электроника
tatacava1982
: 18 сентября 2020
Вариант 17
Курсовая работа
По дисциплине: Электроника
«Разработка интегрального аналогового устройства»
Содержание
Введение 3
1. Разработка структурной схемы. 4
2. Разработка принципиальной схемы.
120 руб.
Электроника
Yuliyatitova
: 1 апреля 2020
ЭЛЕКТРОНИКА
Содержание
Введение 3
1 Электрический расчёт цифровой схемы 4
1.1 Электрический расчёт элементов схемы 4
1.1.1 Комбинация 0111 4-5
1.1.2 Комб
200 руб.
Электроника
кайлорен
: 29 мая 2019
Экзамен
По дисциплине: Электроника
БИЛЕТ №17,ЗАДАНИЯ 2019 ГОДА
1.Дифференциальные Y-параметры полевых транзисторов.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
2.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общи
325 руб.
Электроника
KarpKarp
: 4 апреля 2017
Введение 3
Техническое задание 4
1. Электрический расчет схемы 5
2. Оценка потенциалов и расчет токов схемы 6
Расчет для комбинации входных сигналов
100 руб.
Электроника
Shtolc25
: 15 февраля 2017
№ Варианта 04
Uпит=-12В
Кu=7
Rвх=4,7Мом
Rн=2кОм
Uном=2В
Fн=300Гц
Fв=3,4Кгц
Мн=2дБ
Мв=2дБ
Тип входа несимметричный
Тип выхода несимметричный
Электроника
reanimator00
: 16 февраля 2011
Экзаменационная работа
По дисциплине: «Электроника»
1. 1.1. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ.
1.2. Составьте таблицу истинности.
1.3. Приведите вид входной и передаточной характеристик.
1.4. Дайте определения основным параметрам ЦИМС.
1.5. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
2. 2.1. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общи
95 руб.
Другие работы
Теплотехника РГАУ-МСХА 2018 Задача 4 Вариант 02
Z24
: 26 января 2026
По трубе внутренним диаметром d, мм и длиной L, м протекает вода со скоростью ω, м/с (рис. 2.3). Средняя температура воды – t, °С , а внутренней стенки трубы – tс, °С. Определите коэффициент теплоотдачи от воды к стенке трубы и передаваемый тепловой поток.
Ответить на вопросы:
1. Дайте определение конвективному теплообмену, вынужденной конвекции.
2. Что изучает теория подобия, каково ее назначение?
3. Какие наблюдаются режимы течения жидкости (газа) в трубах? При каких условиях они воз
200 руб.
Воздействие радиационного излучения на операционные усилители
alfFRED
: 13 ноября 2012
Обзор по теме
“Воздействие ионизирующего излучения на ИОУ. Схемотехнические способы повышения радиационной стойкости ИОУ при воздействии импульсного ионизирующего излучения ”
2006
СОДЕРЖАНИЕ
1.Основные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем.
1.1. Классификация радиационных эффектов.
1.2. Действие облучения на биполярные транзисторы
1.3. Действие облучения на униполярные транзисторы
1.4. Специфика эффектов в зависимости от конструктивно-технологических особенностей ИМС
3
2.
10 руб.
Финансовые инструменты в системе управления инновационным развитием российских ВУЗов
Elfa254
: 10 ноября 2013
Финансовые инструменты в системе управления инновационным развитием российских вузов
Возрастание значимости инновационного процесса в научно-образовательной сфере привело к необходимости более глубокого исследования его сущности, содержания и форм взаимодействия участников данного процесса, поиска путей повышения его эффективности в условиях глобализации. Одним из таких путей является обеспечение инновационной деятельности субъектов системы образования необходимыми инвестиционными (в т.ч. финан
30 руб.