Экзаменационные вопросы по курсу: «Электроника». Вариант №16

Цена:
200 руб.

Состав работы

material.view.file_icon B1E0C9C0-5471-4B76-9D97-8D067D0E8713.doc [ 758 KB ]
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».

1.Принцип действия полевого транзистора со структурой МДП.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электроника
Вид работы: Экзамен
Оценка:Отлично
Дата оценки: 10.03.2015
Рецензия:Уважаемая ...,Вы правильно ответили на вопросы

Игнатов Александр Николаевич

Похожие материалы

Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики Б
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User alex-180672 : 14 апреля 2011
111 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». СИБГУТИ.Электроника.Экзамен. 3 семестр 2 вариант 1.Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительн
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User qawsedrftgyhujik : 19 декабря 2010
100 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника»
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника» 1. Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры. Излучающим называют полупроводниковый прибор, предназначенный для непосредственного преобразования электрической энергии в энергию светового излучения. Излучающие полупроводниковые приборы подразделяются на четыре группы: светоизлучающие диоды, лазеры, электролюминесцентные порошковые и пленочные излучатели. Принцип действия излучающих полупроводнико
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User sibgutimts : 22 июня 2010
120 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника»
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».4сем. 11 билет
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Устройство сдвига уровней и эмиттерный повторитель. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа. При
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User astor : 25 мая 2015
70 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 5-й семестр
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Эквивалентные схемы полевых транзисторов. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмитт
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User настя2014 : 16 января 2015
100 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». ДО. 4-й семестр
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Применение генераторов тока в ОУ. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User user888 : 21 апреля 2013
120 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».. 3- й семестр
1. Дифференциальные Y-параметры полевых транзисторов. 2. Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ и
Электроника Работа Экзаменационная
User VaS3012 : 24 сентября 2012
100 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».. 3- й семестр
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ). 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и кан
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Ekaterina-Arbanakova : 20 апреля 2012
350 руб.

Другие работы

Расчет элементов автомобильных гидросистем МАМИ Задача 4.1 Вариант Д
Отработанное масло сливается из гидросистемы по шлангу длиной l и диаметром d в бак-отстойник, расположенный ниже трубопровода гидросистемы на величину Н. Определить потребный напор Нпотр в месте установки манометра и его показание рм*, если известен расход масла Q. При решении учесть потери: на трение в шланге, в кране ζкр = 2,5, на поворот ζкол = 0,5 и в насадке на выходе из шланга ζн = 7. Скоростным напором на выходе из насадка пренебречь. Принять плотность масла ρ = 900 кг/м³, вязкость ν = 0
Задачи Гидравлика
User Z24 : 19 декабря 2025
150 руб.
Расчет элементов автомобильных гидросистем МАМИ Задача 4.1 Вариант Д
Онлайн Тест 2 по дисциплине: Моделирование бизнес-процессов.
Вопрос №1 ARIS — это: Программа для управления качеством. Методология структурного моделирования. Методология объектного моделирования. Графический редактор. Вопрос №2 Целями моделирования бизнес-процессов являются: Построение наилучшей модели. Ускорение выполнения проекта. Анализ недостатков фирмы и построение лучшей модели фирмы. Минимизация стоимости проекта. Вопрос №3 Информационные модели предназначены для: Математического отражения объектов. Математического отражения
СибГУТИ Моделирование бизнес-процессов Тесты
User IT-STUDHELP : 3 апреля 2023
450 руб.
promo
Тепломассообмен СЗТУ Задача 14 Вариант 99
Выполнить тепловой расчет пароводяного кожухотрубного теплообменника, предназначенного для нагрева G1, т/ч воды от температуры t′в=10 ºС до t″в. Вода движется внутри латунных трубок диаметром dн/dвн=17/14; коэффициент теплопроводности латуни λ=85 Вт/(м·К). Греющий теплоноситель – сухой насыщенный пар давлением р движется в межтрубном пространстве. Скорость движения воды ω принять 1…2,5 м/c.
Задачи Теплотехника
User Z24 : 24 февраля 2026
250 руб.
Тепломассообмен СЗТУ Задача 14 Вариант 99
Цикличность как форма экономического развития
История развития человеческого общества наглядно свидетельствует о том, что рыночная экономика способна создать большее количество товаров и услуг для большего количества людей, чем какая-либо другая экономическая система. И объясняется это тем, что в условиях рыночной экономики обеспечивается высокая мотивация к творческому труду, прогрессу, люди сами делают свой выбор, чем заниматься. При этом возникает высокая степень риска и ответственности в хозяйственной деятельности, что развивает инициат
Экономика отраслевая Работа
User evelin : 20 декабря 2013
15 руб.
up Наверх