Экзаменационные вопросы по курсу: «Электроника». Вариант №16

Цена:
200 руб.

Состав работы

material.view.file_icon B1E0C9C0-5471-4B76-9D97-8D067D0E8713.doc [ 758 KB ]
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».

1.Принцип действия полевого транзистора со структурой МДП.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электроника
Вид работы: Экзамен
Оценка:Отлично
Дата оценки: 10.03.2015
Рецензия:Уважаемая ...,Вы правильно ответили на вопросы

Игнатов Александр Николаевич

Похожие материалы

Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики Б
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User alex-180672 : 14 апреля 2011
111 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». СИБГУТИ.Электроника.Экзамен. 3 семестр 2 вариант 1.Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительн
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User qawsedrftgyhujik : 19 декабря 2010
100 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника»
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника» 1. Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры. Излучающим называют полупроводниковый прибор, предназначенный для непосредственного преобразования электрической энергии в энергию светового излучения. Излучающие полупроводниковые приборы подразделяются на четыре группы: светоизлучающие диоды, лазеры, электролюминесцентные порошковые и пленочные излучатели. Принцип действия излучающих полупроводнико
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User sibgutimts : 22 июня 2010
120 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника»
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».4сем. 11 билет
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Устройство сдвига уровней и эмиттерный повторитель. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа. При
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User astor : 25 мая 2015
70 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 5-й семестр
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Эквивалентные схемы полевых транзисторов. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмитт
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User настя2014 : 16 января 2015
100 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». ДО. 4-й семестр
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Применение генераторов тока в ОУ. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User user888 : 21 апреля 2013
120 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».. 3- й семестр
1. Дифференциальные Y-параметры полевых транзисторов. 2. Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ и
Электроника Работа Экзаменационная
User VaS3012 : 24 сентября 2012
100 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».. 3- й семестр
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ). 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и кан
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Ekaterina-Arbanakova : 20 апреля 2012
350 руб.

Другие работы

Лабораторная работа №4 по предмету: Сети связи, 07 вариант
Исходные данные для выполнения лабораторной работы №4 представлены в таблице №1. Таблица №1 №№ вар. Структура сети Ненулевые элементы матр.Ф 7 Ненулевые элементы матр.Ф Ф24равно 30 ф16 равно 30 ф35 равно 20 Примечание. 1. Матрица Ф – матрица требований. 2. - величина требования, выраженная числом каналов между узлами i и j. 3. Линия связи в имеет пропускную способность равную 20 каналам для всех вариантов, и могут быть использованы как в прямом, так и в обратном направлениях. 4. Для у
СибГУТИ Работа Лабораторная Сети связи
User Александр92 : 28 декабря 2017
69 руб.
Информационные технологии в бизнесе
Введение Информационные технологии Современные информационные технологии в электронной коммерции и бизнесе Внедрение международных информационных стандартов Основные виды электронного или сетевого бизнеса в интернет Движение бизнеса в интернете Вывод Список литературы За последние два десятилетия информационные технологии в бизнесе вышли за рамки обычной компьютеризации и автоматизации - они стали основой эффективного использования финансового менеджмента и маркетинга, успешного управления ресур
Рефераты Информатика
User Aronitue9 : 30 мая 2012
50 руб.
PR-технологии в развитии корпоративной культуры ДОУ
Общая характеристика ДОУ. Корпоративная культура образовательного учреждения: понятие, цели, виды, особенности. PR-технологии в развитии корпоративной культуры ДОУ. Характеристика деятельности МБДОУ №20 «Подснежник». Анализ процесса развития корпоративной культуры МБДОУ № 20 «Подснежник». Разработка рекомендаций по применению PR-технологий в развитии корпоративной культуры МБДОУ № 20 «Подснежник».
Менеджмент Работа Курсовая
User ostah : 18 сентября 2018
10 руб.
Теплотехника ТОГУ-ЦДОТ 2008 Задача 3 Вариант 51
Расход газа в поршневом одноступенчатом компрессоре составляет V1 при давлении р1=0,1 МПа и температуре t1. При сжатии температура газа повышается на 200ºC. Сжатие происходит по политропе с показателем n. Определить конечное давление, работу сжатия и работу привода компрессора, количество отведенной теплоты (в киловаттах), а также теоретическую мощность привода компрессора. Указание. При расчете принять: k=cp/cυ=const≠f(t) Ответить на вопросы: Как влияет показатель политропы на конечное давл
Задачи Теплотехника
User Z24 : 21 января 2026
200 руб.
Теплотехника ТОГУ-ЦДОТ 2008 Задача 3 Вариант 51
up Наверх