Экзаменационные вопросы по курсу: «Электроника». Вариант №16

Цена:
200 руб.

Состав работы

material.view.file_icon B1E0C9C0-5471-4B76-9D97-8D067D0E8713.doc [ 758 KB ]
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».

1.Принцип действия полевого транзистора со структурой МДП.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электроника
Вид работы: Экзамен
Оценка:Отлично
Дата оценки: 10.03.2015
Рецензия:Уважаемая ...,Вы правильно ответили на вопросы

Игнатов Александр Николаевич

Похожие материалы

Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики Б
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User alex-180672 : 14 апреля 2011
111 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». СИБГУТИ.Электроника.Экзамен. 3 семестр 2 вариант 1.Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительн
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User qawsedrftgyhujik : 19 декабря 2010
100 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника»
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника» 1. Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры. Излучающим называют полупроводниковый прибор, предназначенный для непосредственного преобразования электрической энергии в энергию светового излучения. Излучающие полупроводниковые приборы подразделяются на четыре группы: светоизлучающие диоды, лазеры, электролюминесцентные порошковые и пленочные излучатели. Принцип действия излучающих полупроводнико
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User sibgutimts : 22 июня 2010
120 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника»
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».4сем. 11 билет
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Устройство сдвига уровней и эмиттерный повторитель. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа. При
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User astor : 25 мая 2015
70 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 5-й семестр
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Эквивалентные схемы полевых транзисторов. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмитт
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User настя2014 : 16 января 2015
100 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». ДО. 4-й семестр
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Применение генераторов тока в ОУ. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User user888 : 21 апреля 2013
120 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».. 3- й семестр
1. Дифференциальные Y-параметры полевых транзисторов. 2. Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ и
Электроника Работа Экзаменационная
User VaS3012 : 24 сентября 2012
100 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».. 3- й семестр
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ). 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и кан
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Ekaterina-Arbanakova : 20 апреля 2012
350 руб.

Другие работы

Контрольная работа
Контрольная работа по предмету "Безопасность жизнедеятельности". Вариант №14. Вопросы для контрольной работы 15. Принципы обеспечения безопасности. Организационные принципы. 80. Мера защиты в электроустановках – сигнализация. Задачи контрольной работы Задача №4 Рассчитать противопожарный расход воды и емкость запасного резервуара для промышленного предприятия. Исходные данные к задаче 4 приведены в таблице 4.1. Помещения с тепловыделениями менее 67,4 кДж/м ч. Водопровод на предпри
ДО СИБГУТИ Безопасность жизнедеятельности (БЖД) Работа Контрольная
User ITNerd : 23 октября 2025
880 руб.
Контрольная работа
Зачетная работа по дисциплине: Деловая риторика. Билет №11
Задание 1: Мини-реферат по книги Альберти Р. Е., Эммонс М. Л. Умейте постоять за себя. Ключ к самоутверждающему поведению 1. Выбрать, прочитать раздел понравившейся книги. 2. Составить план, включив в него методы и приемы, которые на ваш взгляд полезны в деловой риторике. 3. План должен включать введение и заключение, в которых вы фиксируете свой интерес к теме и практическую пользу от прочитанного материала. 4. Разделы основной части плана последовательно раскрыть в реферате, ссылаясь на
СибГУТИ Языкознание Работа Зачетная
User Roma967 : 2 декабря 2014
300 руб.
promo
Производство серной кислоты
Содержание 1. Товарные и определяющие технологию свойства серной кисло-ты. 2. Сырьевые источники получения серной кислоты. 3. Краткое описание современных промышленных способов получения серной кислоты. Пути совершенствования и перспективы развития производства. 4. Физико-химические свойства системы, положенной в основу химико-технологического процесса окисления сернистого ангидрида. 5. Аппаратурно–технологическая схема тонкой очистки сернистого газа и окисления сернистого ангидрида в четырехсло
Рефераты Химия
User wizardikoff : 10 марта 2012
Интеллектуальные сети. Тест
Лабораторная работа 1 по дисциплине «Интеллектуальные сети» «Архитектура ИС» Цель работы: Изучить особенности архитектуры интеллектуальных сетей, основные термины и определения Тест: 1. Согласно общей схеме ИС через какой узел включаются абонент А и Б? SDP SCP SSP 2. Расшифруйте аббревиатуру API? Прикладной программный интерфейс Внутреннее приложение Расширенные интеллектуальные средства 3. Согласно функциональной архитектуре ИС какие функции содержит интеллектуальная надстройка? Функци
ДО СИБГУТИ Интеллектуальные сети Работа Лабораторная
User banderas0876 : 6 февраля 2022
100 руб.
Интеллектуальные сети. Тест
up Наверх