Задачи по физике

2. В собственном полупроводнике ширина запрещенной зоны (эВ). На сколько надо повысить температуру по сравнению с 300К, чтобы число электронов проводимости увеличилось в n раз?
 а) =0,72эВ,   б) =1,1эВ,  в) =2,2эВ,
  n=2,    n=3,   n=4.

7. Образец арсенида галлия, легированный донорной примесью с концентрацией (см -3), подвергается действию некоторого внешнего возбуждения, в результате которого каждую секунду в 1 см3 генерируется G электронно-дырочных пар. Считается, что имеет место низкий уровень инжекции. Вычислить коэффициент рекомбинации , если время жизни электронов и дырок равны (нс), а также избыточную концентрацию носителей в стационарном режиме.
 а) см-3 б) см-3, в) см-3,
  G=1020 c-1см-3, G=51019 c-1см-3, G=1019 c-1см-3,
  =50 нс,    =100 нс,   =80 нс.


12. Подвижность электронов и дырок в образце полупроводника собственной проводимости составляют и , концентрация собственных носителей (м-3), площадь поперечного сечения образца S(м2). Определить скорости дрейфа электронов и дырок, электропроводность образца и полный дрейфовый ток, если в образце создано электрическое поле напряженностью Е.
 а) =0,12 , б) =0,1 , в) =0,2 ,
  =0,025 , =0,02 , =0,03 ,
  =2, 51016 м-3, =1016 м-3, =1015 м-3,
  S=0,0310-4 м2, S=10-5 м2, S=510-5 м2,
  E=400 , E=300 , E=200 .
17.  Дан образец кремния, в котором сформирован p-n-переход. Удельное сопротивление дырочной и электронной областей и (Омсм), подвижности электронов и дырок соответственно равны и , а концентрация собственных носителей (см-3). Определите, чему равен потенциальный барьер при комнатной температуре 290К.
 а) =0,013 Омсм, б) =0,01 Омсм, в) =0,02 Омсм,
  =44,5 Омсм , =30 Омсм, =50 Омсм,
  =1400 , =1500 , =1300 ,
  =480 , =300 , =350 ,
  =1,61010 см-3, =1011 см-3, =1012 см-3.