Контрольная работа по предмету: «Устройства оптоэлектроники». Вариант №5
Состав работы
|
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Дополнительная информация
Зачет
Похожие материалы
Контрольная работа по предмету: Устройство оптоэлектроники
aa001t
: 27 мая 2011
заочно ускоренное отделение;
вариант-48;зачет;
решения 4 задач...
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Опи
Контрольная работа по предмету "Устройство оптоэлектроники", Вариант 04.
PiterBlood
: 28 декабря 2014
Задача No 1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Тип фотоприемника – лавинный фотодиод.
Задача No 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувстви-тельность приемника.
Исходные данные для решения задачи:
Тип ПП материала - Ge; Квантовая эффективность, η = 0,2; Ширина запрещенной зоны ΔW = 0,6 эВ.
Задача No 3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного по
200 руб.
Контрольная работа №1 по предмету: «Устройства оптоэлектроники»
ннааттаа
: 1 сентября 2017
Задача No1: Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника
Задача No2: Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Исходные данные:
Таблица 2
Вариант - 1
Тип ПП материала - Si
300 руб.
Контрольная работа №1 по предмету: Устройства оптоэлектроники. Вариант №1
te86
: 22 ноября 2013
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант и тип фотоприемника
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
1 Фотодиод со структурой р-i-n
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице
Вариант
Ти
60 руб.
Контрольная работа «Устройства оптоэлектроники». ВАРИАНТ №5
ANNA
: 18 февраля 2019
Задача 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Тип фотоприемника (ФП): Фотодиод-транзистор
Задача 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр.
Тип ПП материала CdS
Квантовая эффективность, η 0,4
Ширина запрещенной зоны ∆W, эВ 2,5
Задача 3
Изобразить принципиальную схему вк
120 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант №5
chester
: 8 октября 2013
1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. У
300 руб.
Контрольная работа. Устройство оптоэлектроники. Вариант № 5
albanec174
: 9 апреля 2013
Задача № 1 фотодиод-транзистор
Задача № 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней l гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2. Ge 0,2 0,6
Задача №3 Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индика
100 руб.
Устройства оптоэлектроники
alru
: 22 сентября 2016
1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора
100 руб.
Другие работы
Вычислительная математика(Сибгути ДО, 3 вариант)
MayaMy
: 30 сентября 2018
Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Вычислительная математика
Вид работы: Курсовая работа
Оценка:Хорошо
Дата оценки: 30.03.2018
Рецензия:Уважаемая,___ Экзаменационные задачи решаются "вручную".
Галкина Марина Юрьевна
700 руб.
Каноническое проектирование. Стадии и этапы процесса проектирования ИС
DocentMark
: 14 сентября 2011
Лабораторная работа №2 "Каноническое проектирование. Стадии и этапы процесса проектирования ИС" по курсу "Проектирование информационных систем" для студентов специальности 080801 «Прикладная информатика (в экономике)»
Каноническое проектирование. Стадии и этапы процесса проектирования ИС
Цель работы: Познакомиться с элементами канонического проектирования, раз-работать техническое задание для проектируемой информационной системы.
Ход работы:
1. В качестве предметной области выбрала тему «Отдел
110 руб.
Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе. Лабораторная работа № 1 Вариант №3
4eJIuk
: 30 октября 2012
Лабораторная работа №1
По дисциплине: Основы схемотехники
Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе
Цель работы:
Исследовать влияние параметров элементов схемы каскада с эмиттерной стабилизацией на его показатели (коэффициент усиления, частотные и переходные характеристики).
70 руб.
Электроснабжение пивного завода
romanoff81
: 25 мая 2012
Введение…………………………………………………………………………..4
1. Краткая характеристика технологического процесса предприятия……5
2. Расчет электрических нагрузок на первом уровне системы электро-снабжения………………………………………………………………….9
2.1.Расчет первого уровня электроснабжения……………………..........9
2.2.Определение центра электрических нагрузок……………………....11
3. Расчет электрических нагрузок на втором уровне системы электро- снабжения………………………………………………………………….16
3.1.Разработка вариантов схем цехового
20 руб.