Контрольная работа по предмету: «Устройства оптоэлектроники». Вариант №5

Цена:
50 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 88070B87-9A23-4116-8FCD-FED27207280C.doc [ 179 KB ]
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.

Дополнительная информация

Зачет

Похожие материалы

Контрольная работа по предмету: Устройство оптоэлектроники
заочно ускоренное отделение; вариант-48;зачет; решения 4 задач... Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. Задача No3 Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Опи
СибГУТИ Электроника Работа Контрольная
User aa001t : 27 мая 2011
Контрольная работа по предмету "Устройство оптоэлектроники", Вариант 04.
Задача No 1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Тип фотоприемника – лавинный фотодиод. Задача No 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувстви-тельность приемника. Исходные данные для решения задачи: Тип ПП материала - Ge; Квантовая эффективность, η = 0,2; Ширина запрещенной зоны ΔW = 0,6 эВ. Задача No 3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного по
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User PiterBlood : 28 декабря 2014
200 руб.
Контрольная работа по предмету "Устройство оптоэлектроники", Вариант 04.
Контрольная работа №1 по предмету: «Устройства оптоэлектроники»
Задача No1: Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника Задача No2: Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней . Исходные данные: Таблица 2 Вариант - 1 Тип ПП материала - Si
ДО СИБГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User ннааттаа : 1 сентября 2017
300 руб.
Контрольная работа №1 по предмету: Устройства оптоэлектроники. Вариант №1
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Вариант и тип фотоприемника Вариант Тип фотоприемника (ФП) 1 Фотодиод со структурой р-i-n Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. Исходные данные для решения задачи приведены в таблице Вариант Ти
СибГУТИ Волоконно-оптические системы связи Работа Контрольная
User te86 : 22 ноября 2013
60 руб.
Контрольная работа «Устройства оптоэлектроники». ВАРИАНТ №5
Задача 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Тип фотоприемника (ФП): Фотодиод-транзистор Задача 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр. Тип ПП материала CdS Квантовая эффективность, η 0,4 Ширина запрещенной зоны ∆W, эВ 2,5 Задача 3 Изобразить принципиальную схему вк
******* Не известно Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User ANNA : 18 февраля 2019
120 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант №5
1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней . Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2. 3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. У
СибГУТИ Электроника Работа Контрольная
User chester : 8 октября 2013
300 руб.
Контрольная работа. Устройство оптоэлектроники. Вариант № 5
Задача № 1 фотодиод-транзистор Задача № 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней l гр. Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2. Ge 0,2 0,6 Задача №3 Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индика
СибГУТИ Электроника Работа Контрольная
User albanec174 : 9 апреля 2013
100 руб.
Устройства оптоэлектроники
1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. 3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User alru : 22 сентября 2016
100 руб.

Другие работы

ГОСТ 13151.5-89 (СТ СЭВ 1230-88) Ферромолибден. Метод определения кремния
Настоящий стандарт устанавливает гравиметрический метод определения кремния в ферромолибдене (при массовой доле кремния от 0,2 до 10,0%).
Справочные материалы Химия
User Elfa254 : 9 мая 2013
Механика жидкости и газа СПбГАСУ 2014 Задача 7 Вариант 50
Из резервуара при постоянном манометрическом давлении рм = (20 + 0,2·y) кПа и постоянном уровне H = (1,0 + 0,1·z) м вода вытекает по вертикальной трубе переменного сечения, нижний конец которой погружен в открытый резервуар. Определить расход Q в трубе и полное гидростатическое давление р2 в сечении 2 – 2, расположенном на высоте h = (0,5 + 0,02·y) = 0,58 м от свободной поверхности нижнего резервуара, если d1 = (50 + 5·z) = 95 мм, d2 = (75 + 2·y) = 83 мм (рис. 7). Учитывать только местные
Задачи
User Z24 : 1 января 2026
250 руб.
Механика жидкости и газа СПбГАСУ 2014 Задача 7 Вариант 50
Налоговая система Соединенных Штатов Америки
Бюджетное устройство американской федерации регламентируется Конституцией США, принятой в 1787 году. Бюджетное устройство США является федеративным и состоит из трёх уровней: 1. Федеральный бюджет; 2. Бюджеты 50 штатов – членов федерации; 3. Бюджетов 12,7 тыс. административных, хозяйственно-предпринимательских, культурно-просветительских и других местных подразделений (графств, муниципалитетов, тауншипов и т.п.). Федеральный бюджет в США представляет собой регулярно утверждаемую подробную смету
Налоги и налогообложение Работа
User Elfa254 : 26 октября 2013
20 руб.
Представление о своей работе у сотрудников исправительной колонии
Содержание Введение Глава 1. Теоретические аспекты представлений о работе 1.1 Формы проявления психики в трудовой деятельности 1.2 Психологическое понимание труда и профессии 1.3 Психологические особенности отношения к труду Глава 2. Описание методик исследования 2.1 Отношение к работе у сотрудников исправительной колонии 2.2 Анализ образного представления сотрудников исправительной колонии к своей работе Заключение Список литературы Введение В процессе исполнения работниками обязанн
Психология Работа
User Qiwir : 18 октября 2013
up Наверх