Разработка интегрального устройства. Вариант №2

Разработать принципиальную схему усилителя на основе полевых и биполярных транзисторов и реализовать устройство в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИС). Вариант 02.

Единственная правильно сделанная курсовая из выложенных в сети.

Резензент: Фадеева Наталья Евгеньевна
Оценка: 3

СОДЕРЖАНИЕ стр.
Техническое задание…………………………………………………………….2
Исходные данные…………………………………………………………..........2
Введение……………………………………………………………………….....3
1.Разработка структурной схемы………………………………………….........4
2.Разработка принципиальной схемы…………………………………………..6
3.Разработка интегральной микросхемы……………………………………….8
3.1.Выбор навесных элементов и расчёт конфигурации плёночных
элементов…………………………………………………………………......8
3.2.Разработка топологии……………………………………………………….14
3.3.Этапы изготовления устройства в виде гибридной интегральной
микросхемы………………………………………………………………….19
Заключение………………………………………………………………………24
Список литературы……………………………………………………………...25
ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ
 Разработать принципиальную схему усилителя на основе полевых и биполярных транзисторов и реализовать устройство в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИС).
ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ
1. Напряжение источника питания UПИТ = 9 В.
2. Коэффициент усиления по напряжению: Кu = 6.
3. Входное сопротивление: RВХ = 5,1 МОм.
4. Выходное сопротивление: RН = 1 кОм.
5. Выходное номинальное напряжение UНОМ = 1 В.
6. Нижняя рабочая частота: fН = 50 Гц.
7. Верхняя рабочая частота: FВ = 10 кГц.
8. Коэффициент искажений на нижней частоте: МН = 2 дБ.
9. Коэффициент искажений на верхней частоте: МВ = 2 дБ.
10. Тип входа: Н (несимметричный).
11. Тип выхода: Н (несимметричный).