Разработка интегрального устройства. Вариант №2
Состав работы
|
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Разработать принципиальную схему усилителя на основе полевых и биполярных транзисторов и реализовать устройство в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИС). Вариант 02.
Единственная правильно сделанная курсовая из выложенных в сети.
Резензент: Фадеева Наталья Евгеньевна
Оценка: 3
СОДЕРЖАНИЕ стр.
Техническое задание…………………………………………………………….2
Исходные данные…………………………………………………………..........2
Введение……………………………………………………………………….....3
1.Разработка структурной схемы………………………………………….........4
2.Разработка принципиальной схемы…………………………………………..6
3.Разработка интегральной микросхемы……………………………………….8
3.1.Выбор навесных элементов и расчёт конфигурации плёночных
элементов…………………………………………………………………......8
3.2.Разработка топологии……………………………………………………….14
3.3.Этапы изготовления устройства в виде гибридной интегральной
микросхемы………………………………………………………………….19
Заключение………………………………………………………………………24
Список литературы……………………………………………………………...25
ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ
Разработать принципиальную схему усилителя на основе полевых и биполярных транзисторов и реализовать устройство в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИС).
ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ
1. Напряжение источника питания UПИТ = 9 В.
2. Коэффициент усиления по напряжению: Кu = 6.
3. Входное сопротивление: RВХ = 5,1 МОм.
4. Выходное сопротивление: RН = 1 кОм.
5. Выходное номинальное напряжение UНОМ = 1 В.
6. Нижняя рабочая частота: fН = 50 Гц.
7. Верхняя рабочая частота: FВ = 10 кГц.
8. Коэффициент искажений на нижней частоте: МН = 2 дБ.
9. Коэффициент искажений на верхней частоте: МВ = 2 дБ.
10. Тип входа: Н (несимметричный).
11. Тип выхода: Н (несимметричный).
Единственная правильно сделанная курсовая из выложенных в сети.
Резензент: Фадеева Наталья Евгеньевна
Оценка: 3
СОДЕРЖАНИЕ стр.
Техническое задание…………………………………………………………….2
Исходные данные…………………………………………………………..........2
Введение……………………………………………………………………….....3
1.Разработка структурной схемы………………………………………….........4
2.Разработка принципиальной схемы…………………………………………..6
3.Разработка интегральной микросхемы……………………………………….8
3.1.Выбор навесных элементов и расчёт конфигурации плёночных
элементов…………………………………………………………………......8
3.2.Разработка топологии……………………………………………………….14
3.3.Этапы изготовления устройства в виде гибридной интегральной
микросхемы………………………………………………………………….19
Заключение………………………………………………………………………24
Список литературы……………………………………………………………...25
ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ
Разработать принципиальную схему усилителя на основе полевых и биполярных транзисторов и реализовать устройство в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИС).
ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ
1. Напряжение источника питания UПИТ = 9 В.
2. Коэффициент усиления по напряжению: Кu = 6.
3. Входное сопротивление: RВХ = 5,1 МОм.
4. Выходное сопротивление: RН = 1 кОм.
5. Выходное номинальное напряжение UНОМ = 1 В.
6. Нижняя рабочая частота: fН = 50 Гц.
7. Верхняя рабочая частота: FВ = 10 кГц.
8. Коэффициент искажений на нижней частоте: МН = 2 дБ.
9. Коэффициент искажений на верхней частоте: МВ = 2 дБ.
10. Тип входа: Н (несимметричный).
11. Тип выхода: Н (несимметричный).
Похожие материалы
Разработка интегрального устройства
KPanda
: 5 декабря 2019
Вариант №2
Техническое задание:
1. Напряжение источника питания Uп = +9 В.
2. Коэффициент усиления по напряжению Кu = 6.
3. Входное сопротивление Rвх = 5,1 МОм.
4. Сопротивление нагрузки Rн = 1 кОм.
5. Номинальное выходное напряжение Uном = 1 В.
6. Нижняя рабочая частота fн = 50 Гц
7. Верхняя рабочая частота fв = 10 кГц.
8. Коэффициент частотных искажений на нижней рабочей частоте Мн=2 дБ.
9. Коэффициент частотных искажений на верхней рабочей частоте Мв=2 дБ.
10. Тип входа – несимметричный, ти
1000 руб.
Электроника. Разработка интегрального устройства
7059520
: 10 марта 2015
Содержание
Техническое задание…………………………………………………………….3
Введение………………………………………………………………………….4
1. Разработка структурной и принципиальной схем устройства ………..5
2. Расчет элементов принципиальной схемы……………………………...7
3. Расчет амплитудно-частотной характеристики..…………………….....9
4. Разработка интегральной микросхемы…………………………………12
4.1.Выбор навесных элементов и расчет конфигурации
пленочных элементов…………………………………………….……....12
50 руб.
Курсовая работа Разработка интегрального устройства
Виктория30
: 30 ноября 2022
Содержание
Техническое задание ................................................................................................3
Введение ...................................................................................................................4
1 Разработка структурной и принципиальной схем устройства............................5
2 Расчет элементов принципиальной схемы...........................................................8
2.1 Расчет выходного каскада VT2 .........................
250 руб.
"Разработка интегрального устройства". Вариант №45
b1nom
: 14 января 2018
1. Напряжение источника питания Uп = +15 В.
2. Коэффициент усиления по напряжению Кu = 8.
3. Входное сопротивление Rвх = 5,1 МОм.
4. Сопротивление нагрузки Rн = 10 кОм.
5. Номинальное выходное напряжение Uном = 3 В.
6. Нижняя рабочая частота fн = 100 Гц
7. Верхняя рабочая частота fв = 6,3 кГц.
8. Коэффициент частотных искажений на нижней рабочей частоте Мн=2 дБ.
9. Коэффициент частотных искажений на верхней рабочей частоте Мв=3 дБ.
10. Тип входа – несимметричный, тип выхода – несимметричный.
Т
700 руб.
Разработка интегрального устройства. Вариант №26
SibgutiKR
: 15 апреля 2016
Разработать принципиальную схему усилителя на основе полевых и биполярных транзисторов и реализовать устройство в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИС). Вариант 26.
Единственная правильно сделанная курсовая из выложенных в сети.
Резензент: Фадеева Наталья Евгеньевна
Оценка: 5
СОДЕРЖАНИЕ стр.
Техническое задание…………………………………………………………….2
Исходные данные…………………………………………………………..........2
Введение……………………………
1200 руб.
Курсовая работа. Разработка интегрального устройства
xtrail
: 17 марта 2013
Содержание
Техническое задание…………………………………………………………….3
Введение………………………………………………………………………….4
1. Разработка структурной и принципиальной схем устройства ………..5
2. Расчет элементов принципиальной схемы……………………………...7
3. Расчет амплитудно-частотной характеристики..…………………….....9
4. Разработка интегральной микросхемы…………………………………12
4.1.Выбор навесных элементов и расчет конфигурации
пленочных элементов…………………………………………….……....12
250 руб.
Разработка интегрального устройства. Вариант 00
ДО Сибгути
: 27 января 2013
Содержание
Техническое задание…………………………………………………………….3
Введение………………………………………………………………………….4
1. Разработка структурной и принципиальной схем устройства ………..5
2. Расчет элементов принципиальной схемы……………………………...7
3. Расчет амплитудно-частотной характеристики..…………………….....9
4. Разработка интегральной микросхемы…………………………………12
4.1.Выбор навесных элементов и расчет конфигурации
пленочных элементов…………………………………………….……....12
150 руб.
Курсовая Разработка интегрального устройства. Вариант №37
SibgutiKR
: 15 апреля 2016
Разработать принципиальную схему усилителя на основе полевых и биполярных транзисторов и реализовать устройство в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИС). Вариант 37.
Единственная правильно сделанная курсовая из выложенных в сети.
Резензент: Фадеева Наталья Евгеньевна
Оценка: 4
стр.
Техническое задание…………………………………………………………….2
Исходные данные…………………………………………………………..........2
Введение……………………………………………………………………….....3
1.Разработка структу
1200 руб.
Другие работы
Теплотехника Задача 13.126 Вариант 51
Z24
: 4 февраля 2026
1 кг водяного пара с начальным давлением р1 и степенью сухости х1 изотермически расширяется. При этом к нему подводится определенное количество теплоты q. Пользуясь is — диаграммой водяного пара определить параметры конечного состояния пара, работу расширения, изменение внутренней энергии, энтальпии и энтропии. Аналогично решить эту задачу, при условии изобарного расширения водяного пара. Изобразить процессы в рυ-, Ts- и is — диаграммах.
250 руб.
Техническая термодинамика КГУ 2020 Задача 1 Вариант 32
Z24
: 12 января 2026
Смесь, состоящая из М1 киломолей азота и М2 киломолей кислорода с начальными параметрами р1 = 1 МПа и Т1 = 1000 К, расширяется до давления р2. Расширение может осуществляться по изотерме, адиабате и политропе с показателем n. Определить газовую постоянную смеси, ее массу и начальный объем, конечные параметры смеси, работу расширения и теплоту, участвующую в процессе.
Дать сводную таблицу результатов и анализ ее. Показать процессы в рυ и Ts — диаграммах. Данные необходимые для решения задачи,
250 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 1). Контрольная работа. Вариант 10
Jul87
: 14 мая 2023
Задача 1
Задача посвящена анализу переходного процесса в цепи первого порядка, содержащей резисторы, конденсатор или индуктивность. В момент времени t = 0 происходит переключение ключа К, в результате чего в цепи возникает переходной процесс.
Задача 2
Задача посвящена временному и частотному (спектральному) методам расчета реакции цепей на сигналы произвольной формы. В качестве такого сигнала используется импульс прямоугольной формы (видеоимпульс).
Электрические схемы цепей (рис. 6) содержат емк
600 руб.
Клапан предохранительный ПМИГ.ХХХХХХ.012 СБ (Вариант 12)
romman12
: 29 октября 2022
Задание вариант 12 ПМИГ.ХХХХХХ.012 СБ Клапан предохранительный
вариант 12 Клапан предохранительный деталировка
вариант 12 Клапан предохранительный чертежи
вариант 12 Клапан предохранительный сборочный чертеж
Задание по созданию чертежей деталей и сборок
220 руб.