Электроника. Курсовая работа. Вариант №37.

Курсовая работа:

РАЗРАБОТКА ИНТЕГРАЛЬНОГО АНАЛОГОВОГО УСТРОЙСТВА

Цель работы

1. Научиться составлять электрические схемы аналоговых устройств на основе биполярных и полевых транзисторов

2. Осуществлять правильный выбор типов и структур биполярных и полевых транзисторов.

3. Производить электрический расчет схем простейших аналоговых устройств.

4. Приобрести навыки в составлении топологии аналоговых интегральных микросхем.

Выбор варианта

Номер варианта определяется двумя последними цифрами пароля. Варианты заданий приведены в приложении П.1.

Содержание курсовой работы

Техническое задание.

Введение

1. Разработка структурной схемы.

2. Разработка принципиальной схемы.

3. Разработка интегральной микросхемы.

3.1. Выбор навесных элементов и расчет конфигурации пленочных элементов.

3.2. Разработка топологии.

3.3. Этапы изготовления устройства в виде гибридной интегральной микросхемы.

Заключение.

Список литературы.

Требования по оформлению курсовой работы

1. Графики и чертежи выполняются с соблюдением правил черчения и ГОСТ. Все графики, чертежи, рисунки и таблицы должны быть пронумерованы.

2. Расчетные формулы должны приводиться в тексте работы в общем виде с объяснением буквенных обозначений. Все числовые значения необходимо подставлять в формулы в основных единицах (Вольт, Ампер, Ом, секунда и т. д.), либо указывать единицы измерения . Результаты расчета должны приводиться с указанием единицы измерения полученной величины.

3. Пояснения должны быть достаточно полными для описания выполняемых действий.

4. В конце работы должна быть перечислена литература, использованная при проектировании.

МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ

ПО ВЫПОЛНЕНИЮ КУРСОВОЙ РАБОТЫ

Во введении указывается назначение и описываются возможности применения разрабатываемого устройства. Обосновывается необходимость реализации устройства в виде гибридной интегральной микросхемы.

Первый раздел посвящен разработке структурной схемы устройства.

Структурная схема составляется на основе типовой схемы приведенной, например, в [2]. В общем случае техническому заданию соответствует двухкаскадная схема усилителя с использованием полевого и биполярного транзисторов. Следует указать какие коэффициенты передачи должны иметь входное устройство, первый каскад, второй каскад и выходное устройство. Здесь же следует определить какие частотные искажения допускаются в каждом каскаде. Используя справочную литературу [5, 6 и др.] производят выбор активных элементов усилителя. Следует обратить внимание на то, что структуры транзисторов должны соответствовать полярности источника питания, указанного в техническом задании. Семейства ВАХ ПТ широкого применения приведены в приложении П.2 и П.З. Данные о бескорпусных БТ и ПТ приведены в приложении П.4.

Второй раздел посвящен разработке принципиальной схемы устройства.

На рисунке 1 изображена классическая схема двухкаскадного усилителя. Первый каскад выполнен на полевом транзисторе, что позволяет добиться высокого входного сопротивления и, следовательно, осуществлять работу с высокомными источниками входного сигнала. Необходимый режим работы первого каскада обеспечивается элементом автоматического смещения:

резистором RИ. Следует отметить, что по постоянному току нагрузкой первого каскада является сумма сопротивлений Rс и RИ. Для исключения отрицательной обратной связи по переменному току, и, следовательно, получения максимального коэффициента усиления первого каскада сопротивление RИ шунтируется емкостью Си. Сопротивление емкости на нижней рабочей частоте должно быть существенно меньше сопротивления Rи. Согласно расчетам, это условие обычно обеспечивается применением электролитического конденсатора большей емкости. Второй каскад работает автономно от первого. Это обеспечивается разделительным конденсатором Cp2. Однако в этом случае усложняется схема второго каскада. Для установки режима VT2 здесь требуется высокоомные резисторы Rд1 и Rд2.

Использование конденсаторов Си и Ср2, а также резисторов RД1 и RД2 усложняет топологию гибридной ИМС и удорожает ее стоимость. Ниже рассматриваются некоторые перспективные варианты схем, свободные от указанных недостатков.

Здесь приводятся принципиальные схемы разрабатываемого устройства с симметричным и несимметричным выходами. В схемах желательно иметь минимальное количество элементов. Это возможно при работе полевого транзистора при нулевом смещении и использовании гальванической связи между каскадами.

...............................................................

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электроника
Вид работы: Курсовая работа
Оценка:Отлично
Дата оценки: 05.04.2016


Игнатов Александр Николаевич