Контрольная работа по дисциплине: «Устройства оптоэлектроники». Вариант №5.
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
5 Фотодиод-транзистор
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 3.
Таблица 3. Варианты и данные фотоприемников
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность, Ширина запрещенной зоны W, эВ
0 Ge 0,2 0,6
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности (таб.4).
Таблица 4. Входной двоичный код и состояния выходов дешифратора.
Номер варианта Входной код Состояние выходов дешифратора
23 22 21 20 А В С Д Е F G
5 1 0 1 0 0 1 0 0 1 0 0
Задача No 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
No варианта Тип светодиода Напряжение питания Uпит, В Номинал ограничительного сопротивления, Ом
0 АЛ102В 5 510
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
5 Фотодиод-транзистор
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 3.
Таблица 3. Варианты и данные фотоприемников
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность, Ширина запрещенной зоны W, эВ
0 Ge 0,2 0,6
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности (таб.4).
Таблица 4. Входной двоичный код и состояния выходов дешифратора.
Номер варианта Входной код Состояние выходов дешифратора
23 22 21 20 А В С Д Е F G
5 1 0 1 0 0 1 0 0 1 0 0
Задача No 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
No варианта Тип светодиода Напряжение питания Uпит, В Номинал ограничительного сопротивления, Ом
0 АЛ102В 5 510
Дополнительная информация
Оценка: "зачет"
Год: 2015.
Год: 2015.
Похожие материалы
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант №5
SibGOODy
: 17 марта 2018
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Последняя цифра пароля: 5
Тип фотоприемника: Фотодиод-транзистор
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр.
Предпоследняя цифра пароля: 0
Тип ПП материала: Ge
Квантовая эффективность n: 0,2
Ширина запрещенной зоны
400 руб.
Контрольная работа По дисциплине: устройство оптоэлектроники. Вариант №5.
teacher-sib
: 20 октября 2016
Задача 1.
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Тип фотоприёмника (ФП): фотодиод-транзистор.
Задача 2.
Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней l гр.
Исходные данные.
Тип ПП материала: Ge.
Квантовая эффективность: h = 0,2.
Ширина запрещённой зоны: DW = 0,6 эВ.
Задача 3.
И
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
karimoverkin
: 11 июня 2017
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Фотодиод с гетероструктурой
Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны.
Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники”
Dctjnkbxyj789
: 11 февраля 2017
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
0 Фотодиод на основе р-n перехода
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника.
Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр.
Исходные данные
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемн
35 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
nvm1604
: 27 января 2016
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
9 Фоторезистор
Решение:
Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра.
В фоторезисторах используется явление изменения сопротивления вещества под действием инфракрасно
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
lebed-e-va
: 28 апреля 2015
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант 4.
Тип фотоприемника (ФП): Лавинный фотодиод
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
ART1800
: 8 мая 2013
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Заданный тип - Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикат
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: устройства оптоэлектроники. Вариант №5. (4-й семестр).
ua9zct
: 17 марта 2015
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
По условию задания, в соответствии с номером варианта (05), задан фотодиод- транзистор.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр.
По условию данные в задаче соответствуют варианту No0.
Тип ПП материала Ge
50 руб.
Другие работы
Направляющие среды электросвязи «Исследование собственных и дополнительных затуханий в оптических кабелях связи». Лабораторная работа № 1. Вариант №3.
Romashka23
: 30 мая 2021
1. Цель работы
Целью работы является проведение компьютерного эксперимента по исследованию собственных и дополнительных затуханий в оптических кабелях связи:
-собственных затуханий;
- затуханий в местах соединений оптических волокон;
- затуханий на микроизгибах и макроизгибах;
При следующих исходных данных:
tg δ=6∙10-12,
λ=0,85∙10-6 м=0,85∙10-9 км,
n1=1,4675
При исходных данных:
KP=0,8; λ=0,85;
При исходных данных:
С=0,9; K=0,76; λ=1,65;
При исходных данных:
NAприним=0,17; NAперед=0,20;
При
180 руб.
Основы теории цепей. Вариант №04
SibGOODy
: 8 января 2022
Задание на контрольную работу
Контрольная работа выполняется согласно номеру варианта: номер схемы соответствует двум последним цифрам Вашего пароля; номер варианта исходных данных соответствует последней цифре пароля; если последняя цифра пароля – 0 (например, 10, 20, 30 и т.д.), то номер варианта исходных данных выбирается по первой цифре пароля (1,2, 3…).
Контрольная работа по дисциплине «Основы теории цепей» содержит два индивидуальных задания.
Задание №1
1. Рассчитать схему методом наложе
1000 руб.
Электронная техника
8973555
: 1 февраля 2018
Задача 1
Выбрать выпрямительный диод средней мощности (). Привести условно-графическое обозначение и типовую вольт-амперную характеристику выбранного диода, укажите область его применения.
Выбрать диод для подстройки резонансной частоты колебательного контура (). Привести условно-графическое обозначение и типовую вольт-амперную характеристику выбранного диода, укажите область его применения.
Задача No2
1. Выберете биполярный транзистор большой мощности, со структурой р-п-р , приведите его ма
600 руб.
Механика жидкости и газа СПбГАСУ 2014 Задача 8 Вариант 37
Z24
: 1 января 2026
Из бачка I вода подается при постоянном уровне через цилиндрический насадок диаметром d1 = (0,3 + 0,02·y) м в емкость, разделенную на два отсека: II и III. В перегородке есть прямоугольное отверстие размерами a = (0,4 + 0,02·y) м, b = (0,2 + 0,01·z) м. Полный напор над центром тяжести наружного отверстия диаметром d2 = (0,4 + 0,01·z) м H = (4,0 + 0,1·y) м.
Определить расход Q и высоты уровней воды в отсеках II и III, т. е. h1, h2, h3 (рис. 8).
220 руб.