Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.

Цена:
100 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 8ECECF8F-F03B-4339-B3AA-563D07F27AB1.rar [203 KB]
material.view.file_icon Экзамен.docx [Office 2010, 13 стр., 226 KB]

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».

1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.

2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.

3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2)
Вид работы: Экзамен
Оценка:Отлично
Дата оценки: 09.05.2016
Рецензия:Уважаемый ...........,Вы правильно ответили на вопросы

Игнатов Александр Николаевич

Похожие материалы

Электротехника, Электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,
Электротехника, электроника и схемотехника ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные
User Алексей134 : 4 марта 2021
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточн
Электротехника ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная
User SibGUTI2 : 9 мая 2016
100 руб.
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2)
1. Статические характеристики полевого транзистора. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные ха
Электротехника ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные
User aikys : 18 июня 2016
65 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики Б
Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Билеты экзаменационные
User Илья272 : 11 июня 2021
500 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1. Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
******* Не известно Электротехника, электроника и схемотехника Работа Контрольная
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Экзамен. Билет 7.
1. Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2. Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и пока
Электротехника, электроника и схемотехника ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная
User nik200511 : 20 января 2024
83 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). ВАРИАНТ №5. Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Дифференциальные Y-параметры полевых транзисторов. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 2.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Пр
Электротехника и электроника ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная
User 321 : 19 октября 2019
300 руб.
promo
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Экзамен. Билет №12.
1. Полевые транзисторы. Устройство. Типы. Режимы работы. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзис
Электротехника СибГУТИ Работа Экзаменационная
User Cole82 : 5 июня 2015
21 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Экзамен. Билет №12.

Другие работы

Тепломассообмен КГУ Курган 2020 Задача 2 Вариант 10
Определить потери теплоты в единицу времени с 1 м длины горизонтально расположенной цилиндрической трубы, охлаждаемой свободным потоком воздуха, если температура стенки трубы tc, температура воздуха в помещении tв, а диаметр трубы d. Степень черноты трубы εс = 0,9.
Задачи Теплотехника
User Z24 : 12 января 2026
200 руб.
Тепломассообмен КГУ Курган 2020 Задача 2 Вариант 10
Метрология, стандартизация и сертификация. Вариант №4
Для определения расстояния до места повреждения кабельной линии связи был использован импульсный рефлектометр. С его помощью получено n результатов однократных измерений (результатов наблюдений) расстояния до места повреждения. Считая, что случайная составляющая погрешности рефлектометра распределена по нормальному закону, определить: 1. Результат измерения с многократными наблюдениями расстояния до места повреждения кабеля . 2. Оценку среднего квадратического отклонения (СКО) погрешности р
Метрология и стандартизация СибГУТИ Работа Контрольная
User sifonius : 21 апреля 2017
150 руб.
Экзамен по дисциплине: Теория сложностей вычислительных процессов и структур. Билет №2.
Билет №2 (Все задачи решаются «вручную») 1. С помощью алгоритма Форда-Беллмана найти кратчайшие расстояния от вершины 2 (нумерация вершин начинается с 0) до всех остальных вершин связного взвешенного неориентированного графа, имеющего 5 вершин. Граф задан матрицей весов дуг, соединяющих всевозможные пары вершин. 2. Имеется склад, на котором присутствует некоторый ассортимент товаров. Запас каждого товара неограничен. У каждого товара своя стоимость Ci и масса mi. Методом динамического программ
ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные Теория сложностей вычисл. процессов и структур
User freelancer : 17 августа 2016
70 руб.
Экзамен по дисциплине: Теория сложностей вычислительных процессов и структур. Билет №2.
Поиск оптимального содержания пигмента в покрытиях на основе алкидного лака ПФ-060
СОДЕРЖАНИЕ Нормативные ссылки Обозначения и сокращения Введение 1 Аналитический обзор 1.1 Защита от коррозии 1.2 Силикаты 1.3 Природные силикаты 1.4 Искусственные силикаты 1.5 Строение силикатов 1.6 Свойства силикатов 1.6.1 Основные физические свойства 1.6.2 Противокоррозионные свойства 1.7 Область применения силикатов 1.7.1 Силикатные краски 1.7.2 Жидкие стекла 1.7.3 Полимер-силикатные композиты 1.7.4 Силикатные добавки 1.7.5 Силиконовые смолы 1.7.6 Силикатные наполнители 1.
Рефераты Химия
User Elfa254 : 28 сентября 2013
10 руб.
up Наверх