Устройства оптоэлектроники, Контрольная работа, Вариант 01

Цена:
180 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 2211B790-1922-4EE9-A138-CAF7DA8E4012.rar [ 256 KB ]
material.view.file_icon УО контрольная.doc [ 435 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Задача № 1

Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.

Исходные данные (вариант 01):
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
1  Фотодиод со структурой p-i-n

Задача № 2
 
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Исходные данные (вариант 01):
Вариант Тип ПП материалы Квантовая эффективность,
Ширина запрещенной зоны , эВ

0 Ge 0,2 0,6

Задача № 3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего пароля. Результаты оформить в виде таблицы истинности.

Исходные данные (вариант 01):
Входной код: 110=00012


Задача № 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр. Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны, соответствующую максимуму спектрального распределения.

Исходные данные (вариант 01):
№ варианта Тип светодиода Напряжение питание Uпит, В Номинал ограничительного сопротивления, Ом
0 АЛ102В 5 510

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 27.04.2016
Рецензия:Уважаемый

Игнатов Александр Николаевич

Похожие материалы

Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант 01
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант Тип фотоприемника (ФП) 1 Фотодиод со структурой р-i-n Задача № 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Оптические мультисервисные сети СибГУТИ Работа Контрольная
User Иван77717 : 26 мая 2015
69 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа Вариант 01
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Задача № 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней . Задача №3 Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и сост
СибГУТИ Работа Контрольная Телекоммуникации
User domicelia : 10 апреля 2011
170 руб.
Устройства оптоэлектроники, Зачетная работа, Вариант 01
Вопросы к зачету: Раздел: Физические основы оптоэлектроники. 1. Энергетические характеристики оптического излучения. Раздел Излучатели. 2. Устройство и принцип действия полупроводникового монолазера. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства» 3. Устройство и принцип действия фотоприёмника на основе полевого транзистора с p-n переходом. Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств». 4. Плазменные панели.
******* Не известно Устройство оптоэлектроники Работа Зачетная
User Александр495 : 17 мая 2016
100 руб.
Итоговая работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 01.
Раздел: Физические основы оптоэлектроники 1.Энергетические параметры. Раздел Излучатели. 2.Структурная схема лазера. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства» 3.Устройство и принцип действия фототранзистора. Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств». 4.Устройство и принцип действия жидкокристаллического индикатора на основе «Твист эффекта». Раздел: Физические основы оптоэлектроники
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Зачетная
User gerts : 6 декабря 2015
99 руб.
Устройство оптоэлектроники Контрольная работа
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника фотодиод с гетероструктурой. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. и т.д.
СибГУТИ Оптоэлектроника и нанофотоника Работа Контрольная
User Галилео : 15 марта 2018
40 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа
Задача №1: Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Вариант №07 – Фототранзистор Работа фотоприемников основана на использовании внутреннего фотоэффекта в твердых телах. Поглощаемые полупроводником кванты освобождают носители заряда либо атомов решетки, либо атомов примеси. Поскольку для каждого из этих переходов требуется некоторая минимальная энергия, характерная для данного материала, ка
Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User Сергейds : 6 февраля 2014
59 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа
Контрольная работа по устройству оптоэлектроники
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант Тип фотоприемника (ФП) 5 Составной фототранзистор
СибГУТИ Электроника Работа Контрольная
User Богарт : 2 июня 2011
199 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача №1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Фотодиод с гетероструктурой Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны. Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User karimoverkin : 11 июня 2017
100 руб.

Другие работы

Гидравлика ИжГТУ 2007 Задача 3.3 Вариант 16
Найти расход Q воды (ν=10-6 м²/c), вытесняемой из бака А в бак B за счет избыточного давления роизб и протекающей по трубопроводу длиной L, диаметром d. Принять коэффициент сопротивления вентиля равным 5. Вид трубы взять из табл.3.1 на с.24. Задачу решить графоаналитическим способом. Найденный расход выразить в м³/c и л/c.
Задачи Гидравлика
User Z24 : 18 октября 2025
350 руб.
Гидравлика ИжГТУ 2007 Задача 3.3 Вариант 16
Электромагнитные поля и волны (ЭМП и В). Контрольная работа. Вариант №13. СибГути. Заочно ускоренное обучение
ЗАДАЧА №1 Плоская электромагнитная волна распространяется в безграничной немагнитной среде с относительной диэлектрической проницаемостью Е и удельной проводимостью б. Частота колебаний f ,амплитуда напряженности магнитного поля Нm. Определить: 1.Модуль и фазу волнового сопротивления среды. 2.Сдвиг фаз между составляющими поля Е и Н 3.Коэффициент затухания и фазовую постоянную. 4.Длину волны в среде и расстояние, на котором амплитуда волны затухает на 100 дБ. 5.Отношение плотностей тока прово
СибГУТИ Электромагнитные поля и волны Работа Контрольная
User TheMrAlexey : 22 мая 2016
50 руб.
Анализ и совершенствование управления оборотными средствами на предприятии ОАО Элеконд
Введение………………………………………………………………………………..3 1. Технико-экономическая характеристика предприятия…………………………...5 1.1. Экономическая среда и конкуренты……………………………………………..5 1.2. Правовой статус, состав и структура предприятия……………………………..7 1.3. Выпускаемая продукция и оказываемые услуги………………………………11 1.4. Анализ динамики экономических показателей………………………………..16 1.5. Анализ финансового состояния предприятия………………………………….24 2. Анализ управления оборотными средствами на предприятии………………….32 2.1.
Финансы Работа
User Lokard : 7 ноября 2013
10 руб.
Использование модели экономического цикла Самуэльсона-Хикса
ВВЕДЕНИЕ В различных направлениях проводятся теоретические исследования в области экономической динамики. Все динамические макромодели, как аналитические, так и допускающие лишь количественные исследования, можно условно разделить на две группы. К первой относятся модели экономического роста, ко второй - модели экономического цикла или, в более широком смысле, экономических колебаний. Изучением экономических циклов занимались такие выдающиеся экономисты как Самуэльсон Пол (труды по проблемам м
Математическое моделирование Работа
User alfFRED : 12 ноября 2012
10 руб.
up Наверх