Устройства оптоэлектроники, Контрольная работа, Вариант 01

Цена:
180 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 2211B790-1922-4EE9-A138-CAF7DA8E4012.rar [ 256 KB ]
material.view.file_icon УО контрольная.doc [ 435 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Задача № 1

Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.

Исходные данные (вариант 01):
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
1  Фотодиод со структурой p-i-n

Задача № 2
 
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Исходные данные (вариант 01):
Вариант Тип ПП материалы Квантовая эффективность,
Ширина запрещенной зоны , эВ

0 Ge 0,2 0,6

Задача № 3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего пароля. Результаты оформить в виде таблицы истинности.

Исходные данные (вариант 01):
Входной код: 110=00012


Задача № 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр. Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны, соответствующую максимуму спектрального распределения.

Исходные данные (вариант 01):
№ варианта Тип светодиода Напряжение питание Uпит, В Номинал ограничительного сопротивления, Ом
0 АЛ102В 5 510

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 27.04.2016
Рецензия:Уважаемый

Игнатов Александр Николаевич

Похожие материалы

Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант 01
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант Тип фотоприемника (ФП) 1 Фотодиод со структурой р-i-n Задача № 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Оптические мультисервисные сети СибГУТИ Работа Контрольная
User Иван77717 : 26 мая 2015
69 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа Вариант 01
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Задача № 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней . Задача №3 Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и сост
СибГУТИ Работа Контрольная Телекоммуникации
User domicelia : 10 апреля 2011
170 руб.
Устройства оптоэлектроники, Зачетная работа, Вариант 01
Вопросы к зачету: Раздел: Физические основы оптоэлектроники. 1. Энергетические характеристики оптического излучения. Раздел Излучатели. 2. Устройство и принцип действия полупроводникового монолазера. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства» 3. Устройство и принцип действия фотоприёмника на основе полевого транзистора с p-n переходом. Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств». 4. Плазменные панели.
******* Не известно Устройство оптоэлектроники Работа Зачетная
User Александр495 : 17 мая 2016
100 руб.
Устройство оптоэлектроники Контрольная работа
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника фотодиод с гетероструктурой. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. и т.д.
СибГУТИ Оптоэлектроника и нанофотоника Работа Контрольная
User Галилео : 15 марта 2018
40 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа
Задача №1: Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Вариант №07 – Фототранзистор Работа фотоприемников основана на использовании внутреннего фотоэффекта в твердых телах. Поглощаемые полупроводником кванты освобождают носители заряда либо атомов решетки, либо атомов примеси. Поскольку для каждого из этих переходов требуется некоторая минимальная энергия, характерная для данного материала, ка
Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User Сергейds : 6 февраля 2014
59 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа
Контрольная работа по устройству оптоэлектроники
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант Тип фотоприемника (ФП) 5 Составной фототранзистор
СибГУТИ Электроника Работа Контрольная
User Богарт : 2 июня 2011
199 руб.
Итоговая работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 01.
Раздел: Физические основы оптоэлектроники 1.Энергетические параметры. Раздел Излучатели. 2.Структурная схема лазера. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства» 3.Устройство и принцип действия фототранзистора. Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств». 4.Устройство и принцип действия жидкокристаллического индикатора на основе «Твист эффекта». Раздел: Физические основы оптоэлектроники
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Зачетная
User gerts : 6 декабря 2015
99 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача №1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Фотодиод с гетероструктурой Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны. Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User karimoverkin : 11 июня 2017
100 руб.

Другие работы

Проблемы социальной политики и особенности её реализации в Республике Беларусь
ВВЕДЕНИЕ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 1. Сущность, цели и направления социальной политики . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6 2.Основные показатели результативности социальной политики . . . . . . . . . . . 10 Уровень жизни, качество жизни . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10 Потребительская корзина и потребительский бюджет. . . . . . . . . . 14 Социальная справедливость и кривая Л
Работа Экономика
User Lokard : 5 ноября 2013
20 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Системы сигнализации в сетях связи. Вариант 12
Вариант 12 TLink1B 12:01.318 000: 98 88 12 85 41 60 00 E8 9E 01 0C 02 04 02 8A 91 010: 1E 02 C2 01 00 TLink1A 12:01.338 000: 88 99 09 85 01 60 10 E8 9E 01 10 00 TLink1B 12:02.149 000: 99 89 33 85 41 60 00 58 A5 01 01 00 20 01 0A 00 010: 02 0A 08 83 90 83 21 65 31 70 0F 0A 06 83 13 29 020: 99 94 09 1D 03 80 90 A3 03 08 7D 02 91 81 1E 02 030: 85 83 08 01 00 00 TLink1B 12:02.267 000: 99 8A 0F 85 41 60 00 E8 3E 01 06 12 34 01 29 01 010:
СибГУТИ Системы сигнализации в сетях связи Работа Контрольная
User IT-STUDHELP : 14 мая 2022
700 руб.
promo
Полупроводниковые материалы в металлургии
Содержание: 1.Общие сведения 3 2.Металлургия германия и кремния 7 3.Применение полупроводников 3.1.Тепловые сопротивления (термисторы) 9 3.2.Фотосопротивления 11 3.3.Термоэлементы 12 3.4.Холодильники и нагреватели 12
Металлургия Работа
User VikkiROY : 1 ноября 2012
10 руб.
Микропроцессорные системы (часть 1) (ДВ 1.2). 3 вариант. Лабораторные работы.
Уважаемый студент, дистанционного обучения, Оценена Ваша работа по предмету: Микропроцессорные системы (часть 1) (ДВ 1.2) Вид работы: Лабораторная работа 3 (1 и 2) Оценка:Зачет Дата оценки: 20.12.2018 Рецензия:Уважаемая Мыгаль Варвара Сергеевна, Борисов Александр Васильевич
ДО СИБГУТИ Микропроцессорные системы управления Работа Лабораторная
User MayaMy : 23 февраля 2019
700 руб.
Микропроцессорные системы (часть 1) (ДВ 1.2). 3 вариант. Лабораторные работы.
up Наверх