Устройства оптоэлектроники, Контрольная работа, Вариант 01
-
Категории:
******* Не известно, Устройство оптоэлектроники, Работа Контрольная
-
Добавлен:
15.05.2016
-
Размер:
256 KB
-
Покупок:
7
-
Добавил:
Александр495
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
УО контрольная.doc
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Исходные данные (вариант 01):
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
1 Фотодиод со структурой p-i-n
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Исходные данные (вариант 01):
Вариант Тип ПП материалы Квантовая эффективность,
Ширина запрещенной зоны , эВ
0 Ge 0,2 0,6
Задача № 3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего пароля. Результаты оформить в виде таблицы истинности.
Исходные данные (вариант 01):
Входной код: 110=00012
Задача № 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр. Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны, соответствующую максимуму спектрального распределения.
Исходные данные (вариант 01):
№ варианта Тип светодиода Напряжение питание Uпит, В Номинал ограничительного сопротивления, Ом
0 АЛ102В 5 510
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Исходные данные (вариант 01):
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
1 Фотодиод со структурой p-i-n
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Исходные данные (вариант 01):
Вариант Тип ПП материалы Квантовая эффективность,
Ширина запрещенной зоны , эВ
0 Ge 0,2 0,6
Задача № 3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего пароля. Результаты оформить в виде таблицы истинности.
Исходные данные (вариант 01):
Входной код: 110=00012
Задача № 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр. Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны, соответствующую максимуму спектрального распределения.
Исходные данные (вариант 01):
№ варианта Тип светодиода Напряжение питание Uпит, В Номинал ограничительного сопротивления, Ом
0 АЛ102В 5 510
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 27.04.2016
Рецензия:Уважаемый
Игнатов Александр Николаевич
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 27.04.2016
Рецензия:Уважаемый
Игнатов Александр Николаевич
Похожие материалы
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант 01
Иван77717
: 26 мая 2015
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
1 Фотодиод со структурой р-i-n
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Иван77717
: 26 мая 2015
69 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа Вариант 01
domicelia
: 10 апреля 2011
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и сост
domicelia
: 10 апреля 2011
170 руб.
Устройство оптоэлектроники Контрольная работа
Галилео
: 15 марта 2018
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника фотодиод с гетероструктурой. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. и т.д.
Галилео
: 15 марта 2018
40 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа
Сергейds
: 6 февраля 2014
Задача №1: Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника.
Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант №07 – Фототранзистор
Работа фотоприемников основана на использовании внутреннего фотоэффекта в твердых телах.
Поглощаемые полупроводником кванты освобождают носители заряда либо атомов решетки,
либо атомов примеси.
Поскольку для каждого из этих переходов требуется некоторая минимальная энергия, характерная для данного материала, ка
Сергейds
: 6 февраля 2014
59 руб.
Контрольная работа по устройству оптоэлектроники
Богарт
: 2 июня 2011
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
5 Составной фототранзистор
Богарт
: 2 июня 2011
199 руб.
Устройства оптоэлектроники, Зачетная работа, Вариант 01
Александр495
: 17 мая 2016
Вопросы к зачету:
Раздел: Физические основы оптоэлектроники.
1. Энергетические характеристики оптического излучения.
Раздел Излучатели.
2. Устройство и принцип действия полупроводникового монолазера.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3. Устройство и принцип действия фотоприёмника на основе полевого транзистора с p-n переходом.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4. Плазменные панели.
Александр495
: 17 мая 2016
100 руб.
Итоговая работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 01.
gerts
: 6 декабря 2015
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Энергетические параметры.
Раздел Излучатели.
2.Структурная схема лазера.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фототранзистора.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия жидкокристаллического индикатора на основе «Твист эффекта».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
gerts
: 6 декабря 2015
99 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
karimoverkin
: 11 июня 2017
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Фотодиод с гетероструктурой
Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны.
Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
karimoverkin
: 11 июня 2017
100 руб.
Другие работы
Мониторинг территорий нефтегазовых промыслов методом почвотестирования
Aronitue9
: 11 марта 2013
В основе мониторинга региональных территорий развития нефтегазовых регионов России - почва, как важнейший компонент биогеоценоза, являющаяся "зеркалом ландшафта", что позволяет выполнять контроль экологических сценариев антропогенеза и техногенеза на ландшафтно-геосистемном уровне. Экологическое значение почвы на ландшафтном уровне - это ее центральное место в ландшафтных системах и тесная связь с остальными компонентами ландшафта, водными и воздушными потоками вещества. Опасность накопления мик
Aronitue9
: 11 марта 2013
5 руб.
Люлька для подъема людей для обслуживания системы верхнего привода СВП-Чертеж-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа
https://vk.com/aleksey.nakonechnyy27
: 25 мая 2016
Люлька для подъема людей для обслуживания системы верхнего привода СВП-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Чертеж-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа
https://vk.com/aleksey.nakonechnyy27
: 25 мая 2016
297 руб.
Одномерные и многомерные стили руководства
alfFRED
: 24 марта 2014
Содержание
Введение стр. 3
1 «Одномерные» стили руководства стр. 5
1.1 Теория Х стр. 6
1.2 Теория Y стр. 7
1.3 Модель К. Левина стр. 9
1.4 Модель Лайкерта стр. 13
2 «Многомерные» стили руководства» стр.15
2.1 «Управленческая решетка» Р. Блейка и М. Мутона стр. 15
2.2 Модель Р. Танненбаума , У. Шмидта, стр. 16
эффективности руководства Ф. Фидлера,
«путь–цель»Т.МитчелаиР.Хауса 2.3Модель жизненного цикла П. Херси
К. Бланшара, принятия решения руководителем
Врума – Йеттона. стр. 19
2.4 Классификация
alfFRED
: 24 марта 2014
10 руб.
Гидравлика и теплотехника ТОГУ Термодинамика Задача 22 Вариант 0
Z24
: 4 марта 2026
Какое количество воздуха необходимо пропустить через сушильную камеру, чтобы от материала, помещенного в нее, отвести 1 т воды? Наружный воздух при барометрическом давлении В=745 мм рт. ст., имея температуру t1=10°С и относительную влажность φ1=50%, в калорифере подогревается до температуры t2, а затем воздух поступает в сушильную камеру и выходит из нее при относительной влажности φ2=90%. Решение задачи проиллюстрировать в ld-диаграмме.
Z24
: 4 марта 2026
150 руб.
