Устройства оптоэлектроники, Контрольная работа, Вариант 01
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Исходные данные (вариант 01):
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
1 Фотодиод со структурой p-i-n
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Исходные данные (вариант 01):
Вариант Тип ПП материалы Квантовая эффективность,
Ширина запрещенной зоны , эВ
0 Ge 0,2 0,6
Задача № 3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего пароля. Результаты оформить в виде таблицы истинности.
Исходные данные (вариант 01):
Входной код: 110=00012
Задача № 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр. Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны, соответствующую максимуму спектрального распределения.
Исходные данные (вариант 01):
№ варианта Тип светодиода Напряжение питание Uпит, В Номинал ограничительного сопротивления, Ом
0 АЛ102В 5 510
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Исходные данные (вариант 01):
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
1 Фотодиод со структурой p-i-n
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Исходные данные (вариант 01):
Вариант Тип ПП материалы Квантовая эффективность,
Ширина запрещенной зоны , эВ
0 Ge 0,2 0,6
Задача № 3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего пароля. Результаты оформить в виде таблицы истинности.
Исходные данные (вариант 01):
Входной код: 110=00012
Задача № 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр. Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны, соответствующую максимуму спектрального распределения.
Исходные данные (вариант 01):
№ варианта Тип светодиода Напряжение питание Uпит, В Номинал ограничительного сопротивления, Ом
0 АЛ102В 5 510
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 27.04.2016
Рецензия:Уважаемый
Игнатов Александр Николаевич
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 27.04.2016
Рецензия:Уважаемый
Игнатов Александр Николаевич
Похожие материалы
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант 01
Иван77717
: 26 мая 2015
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
1 Фотодиод со структурой р-i-n
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
69 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа Вариант 01
domicelia
: 10 апреля 2011
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и сост
170 руб.
Устройства оптоэлектроники, Зачетная работа, Вариант 01
Александр495
: 17 мая 2016
Вопросы к зачету:
Раздел: Физические основы оптоэлектроники.
1. Энергетические характеристики оптического излучения.
Раздел Излучатели.
2. Устройство и принцип действия полупроводникового монолазера.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3. Устройство и принцип действия фотоприёмника на основе полевого транзистора с p-n переходом.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4. Плазменные панели.
100 руб.
Итоговая работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 01.
gerts
: 6 декабря 2015
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Энергетические параметры.
Раздел Излучатели.
2.Структурная схема лазера.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фототранзистора.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия жидкокристаллического индикатора на основе «Твист эффекта».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
99 руб.
Устройство оптоэлектроники Контрольная работа
Галилео
: 15 марта 2018
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника фотодиод с гетероструктурой. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. и т.д.
40 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа
Сергейds
: 6 февраля 2014
Задача №1: Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника.
Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант №07 – Фототранзистор
Работа фотоприемников основана на использовании внутреннего фотоэффекта в твердых телах.
Поглощаемые полупроводником кванты освобождают носители заряда либо атомов решетки,
либо атомов примеси.
Поскольку для каждого из этих переходов требуется некоторая минимальная энергия, характерная для данного материала, ка
59 руб.
Контрольная работа по устройству оптоэлектроники
Богарт
: 2 июня 2011
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
5 Составной фототранзистор
199 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
karimoverkin
: 11 июня 2017
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Фотодиод с гетероструктурой
Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны.
Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
100 руб.
Другие работы
Курсовая работа по дисциплине: Радиоприемные устройства систем радиосвязи и радиодоступа. Вариант 04
IT-STUDHELP
: 5 апреля 2022
Содержание
1. Задание на курсовое проектирование..........................................3
2. Введение, определяющее цели,
задачи и особенности проектирования............................................4
3. Обоснование и эскизный расчет структурной схемы
проектируемого приемника
3.1. Расчет фильтрующих цепей преселектора............................5
3.1.1. Определение полосы пропускания преселектора..................5
3.1.2. Расчет числа контуров преселектора.................................6
500 руб.
Химия (1-й семестр. Зачет)
mahaha
: 25 апреля 2016
Химическая кинетика и равновесие. Химическое равновесие. Смещение равновесия в зависимости от температуры, давления, концентрации веществ. Принцип Ле-Шателье. Приведите примеры
50 руб.
Технологический процесс восстановления крестовины карданного вала
stiffi
: 10 апреля 2013
предмет "Технология производства и ремонта автомобилей",БНТУ. преподавалель Буйкус, специальность 2-370106 ТЭА. Контрольная работа. По объёму равна курсовому проекту колледжа. Чертежей нет (преподаватель не требует).
Женевская инициатива" в решении палестино-израильского конфликта
Elfa254
: 12 января 2014
Спустя три года после провала мирных переговоров с Палестинской администрацией и начала новой волны террора и насилия появилось уже немало мирных инициатив, самой громкой из которых была, пожалуй, «Дорожная карта». И хотя ее основной инициатор – американская администрация – по-прежнему продолжает заявлять о своей поддержке этого плана урегулирования, большинство аналитиков сходится во мнении, что «Дорожная карта» уже является частью истории ближневосточного миротворчества, богатой на самые разны
15 руб.