Лабораторная работа № 2 «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников». Вариант 04.
-
Категории:
ДО СИБГУТИ, Физика , Работа Лабораторная
-
Добавлен:
22.05.2016
-
Размер:
178 KB
-
Покупок:
6
-
Добавил:
freelancer
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
физика лр4вар.docx
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Лабораторная работа 6.8
Тема: "Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников"
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
1. Установим силу тока через образец I = 5,4 мА (согласно варианта).
2. Изменим температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесем в таблицу №1 в отчете по лабораторной работе.
........................
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от ?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Тема: "Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников"
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
1. Установим силу тока через образец I = 5,4 мА (согласно варианта).
2. Изменим температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесем в таблицу №1 в отчете по лабораторной работе.
........................
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от ?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Дополнительная информация
Год сдачи: 2016 в соответствии с новыми методическими указаниями! Будьте внимательны!
Похожие материалы
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
chita261
: 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
Murlishka
: 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
AndrewZ54
: 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
vereney
: 25 ноября 2010
30 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
gerold66
: 22 октября 2009
Лабораторная работа 6.8 2сем вариант 7.
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Контрольные вопросы
1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от 1 / T .?
3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
gerold66
: 22 октября 2009
49 руб.
Другие работы
ГОС Экзамен/ Теория электрической связи/ 2019 год сдачи
lisii
: 14 мая 2019
Перечень вопросов государственного экзамена по дисциплине
"Теория электрической связи"
1. Сообщения передаются 5-элементным двоичным кодом с равновероятными элементами по гауссовскому каналу связи сигналами дискретной фазовой модуляции при отношении сигнал/шум h2 = 4. Рассчитать вероятность неправильного приема кодовой комбинации. Для повышения помехоустойчивости используется корректирующий код (n,k) = (9,5), исправляющий однократные ошибки tош = 1. Рассчитать вероятность ошибочного декодиров
lisii
: 14 мая 2019
75 руб.
Проект станции технического обслуживания автомобилей с разработкой участка ремонта агрегатов силовой передачи ходовой части и рулевого управления
Рики-Тики-Та
: 23 марта 2018
1 АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКИХ ПОКАЗАТЕЛЕЙ ДЕЯТЕЛЬНОСТИ ПРЕДПРИЯТИЯ. ЦЕЛЬ И ЗАДАЧИ ПРОЕКТИРОВАНИЯ
2 ОРГАНИЗАЦИЯ РЕМОНТА И ТО АТТ ПРЕДПРИЯТИЯ
3 ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПОТРЕБНОСТИ В ЭНЕРГОРЕСУРСАХ
4 КОНСТРУКТОРСКАЯ ЧАСТЬ
5 ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЕ ОБОСНОВАНИЕ ПРОЕКТА
ВВЕДЕНИЕ
Задачей проектирования является развитие навыков и способности проектной организации предприятия технического сервиса и ремонтного производства. Такая проектная организация подразумевает графическую разработку плана предприятия с оптима
Рики-Тики-Та
: 23 марта 2018
825 руб.
Автоматизированные информационные технологии в учете денежных средств
evelin
: 3 августа 2013
Содержание
Введение
1 Теоретические основы информационного процесса обработки информации по учету кассовых операций
2 Обследование объекта автоматизации.
2.1.Экономическая характеристика учхоза ,,Кубань,,
2.2.Обследование учета кассовых операций
3. Использование компьютерных технологий при обработке информации по учету кассовых операций
3.1 Краткая характеристика программных средств
3.2 Обоснование выбора программы
3.3 Математическое описание алгоритма расчетов и описание последовательно
evelin
: 3 августа 2013
5 руб.
Проект установки ШГН для добычи 40м3/сут нефти высокой вязкости-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа
https://vk.com/aleksey.nakonechnyy27
: 9 марта 2016
Проект установки штангового глубинного насоса для добычи 40 кубометров в сутки нефти высокой вязкости.
Начнём
Нефтяная промышленность является одной из ведущих и быстро развивающихся отраслей нашего народного хозяйства. Наиболее распространённым видом механизированной добычи нефти являются штанговые глубинные насосные установки, коими в странах СНГ оборудовано около 60% общего фонда нефтяных скважин.
ЦЕЛЬЮ данной работы является выбор и обоснование конструкции насоса, для добычи высоковязкой не
https://vk.com/aleksey.nakonechnyy27
: 9 марта 2016
1392 руб.
