Лабораторная работа № 2 «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников». Вариант 04.
-
Категории:
ДО СИБГУТИ, Физика , Работа Лабораторная
-
Добавлен:
22.05.2016
-
Размер:
178 KB
-
Покупок:
6
-
Добавил:
freelancer
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
физика лр4вар.docx
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Лабораторная работа 6.8
Тема: "Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников"
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
1. Установим силу тока через образец I = 5,4 мА (согласно варианта).
2. Изменим температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесем в таблицу №1 в отчете по лабораторной работе.
........................
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от ?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Тема: "Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников"
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
1. Установим силу тока через образец I = 5,4 мА (согласно варианта).
2. Изменим температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесем в таблицу №1 в отчете по лабораторной работе.
........................
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от ?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Дополнительная информация
Год сдачи: 2016 в соответствии с новыми методическими указаниями! Будьте внимательны!
Похожие материалы
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
chita261
: 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
Murlishka
: 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
AndrewZ54
: 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
vereney
: 25 ноября 2010
30 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
gerold66
: 22 октября 2009
Лабораторная работа 6.8 2сем вариант 7.
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Контрольные вопросы
1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от 1 / T .?
3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
gerold66
: 22 октября 2009
49 руб.
Другие работы
Моделирование и выполнение чертежа втулки. Вариант №28
bublegum
: 28 сентября 2020
Вариант 28 Моделирование и выполнение чертежа втулки
Моделирование и выполнение чертежа втулки
Задание
1. По заданной аксонометрической проекции
выполнить трехмерную модель Втулки
2. По модели создать и оформить
трехпроекционный ассоциативный чертеж и
дополнить его аксонометрией.
2.1. На месте главного вида построить фронтальный
разрез, соединив половину вида и половину разреза.
2.2. На месте вида слева построить профильный
разрез, соединив половину вида и половину разреза.
2.3. Нанести необх
bublegum
: 28 сентября 2020
60 руб.
АТП на 200 автомобилей ВАЗ-2107 с разработкой шиномонтажного участка
proekt-sto
: 5 марта 2022
Содержание
Введение 3
Исходные данные 4
Функциональная схема 5
1. Технологический раздел АТП 6
Корректировка нормативов ресурсного пробега и периодичности ТО 6
1.2. Расчет коэффициента технической готовности 7
1.3. Расчет годовых пробегов подвижного состава и производственной программы ТО 8
1.4. Корректирование нормативных трудоемкостей ЕО, ТО и ТР 10
1.5. Расчет годовых объемов работ ЕО, ТО и ТР 11
1.6. Распре
proekt-sto
: 5 марта 2022
200 руб.
Механика жидкости и газа СПбГАСУ 2014 Задача 9 Вариант 94
Z24
: 2 января 2026
Трубопровод, питаемый от водонапорной башни, имеет участок AB с параллельным соединением труб, длины которых l1 = (400 + 5·y) м, l2 = (200 + 2·z) м, l3 = (300 + 5·y) м. Длина участка BC l4 = (500 + 4·z) м. Диаметры ветвей трубопровода: d1 мм, d2 = d3 мм, d4 мм. Трубы стальные. Напор в конце трубопровода, в точке C, НС = 10 м. Расход в третьей ветви Q3 = (30 + 0,1·z) л/с.
Определить расходы на участках 1, 2 и BC и пьезометрический напор в точке A НA (рис. 9).
Z24
: 2 января 2026
250 руб.
Экзамен по дисциплине: «Логика». Билет №15
xtrail
: 26 января 2014
1. Определите вид понятия (по содержанию: положительное/отрицательное, конкретное/абстрактное, соотносительное/безотносительное, собирательное/разделительное; по объему: единичное, общее, пустое)
2. Определить отношения понятий. Изобразить графически.
3. Провести обобщение понятия (не менее трех уровней).
4. Провести ограничение понятия (не менее трех уровней).
5. Проведите операцию деления данного понятия по видообразующему признаку, укажите основание деления:
6. Оценить логическую правильность
xtrail
: 26 января 2014
150 руб.
