Лабораторная работа № 2 «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников». Вариант 04.
Состав работы
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Лабораторная работа 6.8
Тема: "Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников"
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
1. Установим силу тока через образец I = 5,4 мА (согласно варианта).
2. Изменим температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесем в таблицу №1 в отчете по лабораторной работе.
........................
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от ?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Тема: "Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников"
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
1. Установим силу тока через образец I = 5,4 мА (согласно варианта).
2. Изменим температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесем в таблицу №1 в отчете по лабораторной работе.
........................
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от ?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Дополнительная информация
Год сдачи: 2016 в соответствии с новыми методическими указаниями! Будьте внимательны!
Похожие материалы
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
30 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
gerold66
: 22 октября 2009
Лабораторная работа 6.8 2сем вариант 7.
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Контрольные вопросы
1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от 1 / T .?
3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
49 руб.
Другие работы
Материя форма и сущность
@ulana55_
: 10 февраля 2019
Введение…………………………………………………………………………….. 3
1 Понятие материи……………………………….......……………….. 4
2 Основные формы существования матери..................... 7
Заключение………………………………………………................ 12
Список используемых источников .............................13
500 руб.
Физика. Спецглавы. Лабораторная работа № 4 (6.8). Вариант № 5
ankomii
: 30 апреля 2015
Электропроводность материалов определяется выражением:
1.
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, µ+ и µ- - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда.
В задаче исследуется собственная электропроводность полупроводника. Положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. |q+| = |q-
100 руб.
Агрегат А-50. Лебёдка. Установка А50 Кинематическая схема. Вал подъёмный. Бочка барабана. Корпус. Обод. Диск зубчатый. Диск ведомый. Втулка ведомая. Диск. Звёздочка. Пружина растяжения. Фланец-Оборудование для капитального ремонта, обработки пласта, бурен
https://vk.com/aleksey.nakonechnyy27
: 14 марта 2016
1) Разбуривания цементной пробки в трубах от 5 до 6 дюймов и связанных с этим процессом операций (спуска и подъёма бурильных труб, промывки скважин и т. д.);
2) Спуска и подъема насосно-компрессорных труб;
3) Установки эксплуатационного оборудования на устье скважин;
4) Проведение ремонтных работ и работ по ликвидации аварий;
5) Проведение буровых работ.
Установка А50 предназначена для работы в условиях умеренного и холодного макроклиматических районов по ГОСТ 16350-80. Кли
1392 руб.
Производство наружных стеновых панелей по конвейерной технологии
Yulia19
: 9 декабря 2008
Работа по ПиА
Содержание
Введение…………………………………………………………………………
1.Основные свойства готовой продукции, сырья и вспомогательных материалов………………………………………………………………………
2.Технологическая схема процесса……………………………………………
3.Режим работы завода и основных цехов……………………………………
4.Материальные расчеты процесса……………………………………………
5.Выбор и составление спецификации оборудования……………………….
6.Контроль и автоматизация процесса………………………………………..
7.Охрана окружающей среды…………………………………………………
9.Техника безопасности………………