Лабораторная работа № 2 «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников». Вариант 04.
-
Категории:
ДО СИБГУТИ, Физика , Работа Лабораторная
-
Добавлен:
22.05.2016
-
Размер:
178 KB
-
Покупок:
6
-
Добавил:
freelancer
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
физика лр4вар.docx
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Лабораторная работа 6.8
Тема: "Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников"
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
1. Установим силу тока через образец I = 5,4 мА (согласно варианта).
2. Изменим температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесем в таблицу №1 в отчете по лабораторной работе.
........................
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от ?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Тема: "Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников"
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
1. Установим силу тока через образец I = 5,4 мА (согласно варианта).
2. Изменим температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесем в таблицу №1 в отчете по лабораторной работе.
........................
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от ?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Дополнительная информация
Год сдачи: 2016 в соответствии с новыми методическими указаниями! Будьте внимательны!
Похожие материалы
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
chita261
: 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
Murlishka
: 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
AndrewZ54
: 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
vereney
: 25 ноября 2010
30 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
gerold66
: 22 октября 2009
Лабораторная работа 6.8 2сем вариант 7.
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Контрольные вопросы
1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от 1 / T .?
3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
gerold66
: 22 октября 2009
49 руб.
Другие работы
Отчеты по лабораторным работам по Технологической оснастке
fluk
: 24 октября 2009
Отчеты лаборатрных работ+реферат:"Приводы механизмов зажима деталей в приспособлениях автоматических линий и агрегатных станков. Элементы контроля установки деталей.Специализированные наладочные приспособления для станков с ЧПУ фрезерно-сверлильно-расточной группы.Патроны для закрепления зубчатых колес при шлифовании отверстий."
fluk
: 24 октября 2009
Экзаменационная работа по дисциплине: Электромагнитные поля и волны. Билет №13
Roma967
: 1 мая 2016
Билет №13
Граничные условия для нормальных и касательных составляющих векторов электрического и магнитного полей.
Задача 1
Плоская электромагнитная волна с частотой f = 1200 МГц падает по нормали из вакуума на границу раздела с реальной средой. Параметры среды: Ea=E0*E, ma=m0*m , E= 2,2, m=1, E0= 8,85*10^(-12)Ф/м, m0=4pi*10^(-7)Гн/м. Удельная проводимость q=0,02Сим/м. Амплитуда напряженности электрического поля волны Em = 2 В/м.
1.Определить амплитуду отраженной волны.
2.Определить амплитуду п
Roma967
: 1 мая 2016
500 руб.
Экзамен. По дисциплине: «Системы коммутации (часть 2)». Билет № 8
Колька
: 18 января 2019
1. Абонентская сигнализация на местных телефонных сетях. Состав и сущность линейных сигналов.
2. Технологии абонентского доступа на цифровых сетях связи. Цифровые технологии хDSL.
Колька
: 18 января 2019
50 руб.
Гидравлика и нефтегазовая гидромеханика Хабаровск ТОГУ Задача 20 Вариант 6
Z24
: 24 ноября 2025
На трубопроводе установлен пьезометр (рис.19). После полного открытия вентиля в конце трубопровода разница уровней воды в резервуаре и пьезометре составила h. Определить расход воды, проходящей через трубопровод диаметром d и длиной l. Колена стандартные, трубы стальные, новые.
Z24
: 24 ноября 2025
200 руб.
