Лабораторная работа № 2 «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников». Вариант 04.
-
Категории:
ДО СИБГУТИ, Физика , Работа Лабораторная
-
Добавлен:
22.05.2016
-
Размер:
178 KB
-
Покупок:
6
-
Добавил:
freelancer
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
физика лр4вар.docx
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Лабораторная работа 6.8
Тема: "Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников"
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
1. Установим силу тока через образец I = 5,4 мА (согласно варианта).
2. Изменим температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесем в таблицу №1 в отчете по лабораторной работе.
........................
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от ?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Тема: "Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников"
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
1. Установим силу тока через образец I = 5,4 мА (согласно варианта).
2. Изменим температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесем в таблицу №1 в отчете по лабораторной работе.
........................
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от ?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Дополнительная информация
Год сдачи: 2016 в соответствии с новыми методическими указаниями! Будьте внимательны!
Похожие материалы
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
chita261
: 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
Murlishka
: 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
AndrewZ54
: 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
vereney
: 25 ноября 2010
30 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
gerold66
: 22 октября 2009
Лабораторная работа 6.8 2сем вариант 7.
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Контрольные вопросы
1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от 1 / T .?
3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
gerold66
: 22 октября 2009
49 руб.
Другие работы
Усовершенствование калибратора (расширителя) Винтового забойного двигателя ДО – 88 мобильной колтюбинговой установки М-10 -Агрегат для капитального ремонта скважины – Разработка внутрискважинного оборудования-Дипломная работа-Оборудование для капитально
https://vk.com/aleksey.nakonechnyy27
: 27 февраля 2016
Усовершенствование калибратора (расширителя) Винтового забойного двигателя ДО – 88 мобильной колтюбинговой установки М-10 -Агрегат для капитального ремонта скважины – Разработка внутрискважинного оборудования-Дипломная работа-Оборудование для капитального ремонта, обработки пласта, бурения и цементирования нефтяных и газовых скважин
АННОТАЦИЯ
В данном дипломном проекте проведен анализ геологических условий месторождения, в соответствии с которым выбран способ ремонта и скважинное оборудование
https://vk.com/aleksey.nakonechnyy27
: 27 февраля 2016
3485 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Мультисервисные сети связи. Вариант №10.
ДО Сибгути
: 16 марта 2018
ЗАДАНИЕ 1.
Вариант №10. Сравнение технологий RPR (IEEE 802.17) и SRP-DPT (Cisco).
ЗАДАНИЕ 2.
1. Отобразить на рисунке те элементы сети (рис 2.1), которые включены в маршрут ТА1-АТС1-АТС3-TGW-ядро сети IP/MPLS-sw6-sw13-DSLAM-ADSLmodem-TA7(SIP), согласно варианту № 10 (10-9=1).
ЗАДАНИЕ 3.
Дать характеристику каждому протоколу и интерфейсу согласно варианту
ДО Сибгути
: 16 марта 2018
100 руб.
Термодинамика и теплопередача ТюмГНГУ Техническая термодинамика Задача 1 Вариант 24
Z24
: 9 января 2026
Считая теплоемкость идеального газа зависящей от температуры, определить: параметры газа в начальном и конечном состояниях, изменение внутренней энергии, теплоту, участвующую в процессе и работу расширения.
Исходные данные, необходимые для решения задачи, выбрать из табл.2,1., зависимость величины теплоемкости от температуры приведена в приложении 1.
Z24
: 9 января 2026
180 руб.
Системное программное обеспечение. Вариант 0
AlexBrookman
: 3 февраля 2019
Написать и отладить программу на языке ассемблера. В программе описать процедуру, которая вычисляет число неотрицательных элементов в массиве. Параметры передавать следующим образом:
в ВХ – смещение массива;
в СХ – число элементов в массиве;
в АХ – результат вычислений (число неотрицательных элементов).
В основной программе вызвать описанную процедуру для двух разных массивов.
AlexBrookman
: 3 февраля 2019
190 руб.
