Лабораторная работа № 2 «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников». Вариант 04.

Цена:
80 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon физика лр4вар.docx

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Лабораторная работа 6.8
Тема: "Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников"
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны

1. Установим силу тока через образец I = 5,4 мА (согласно варианта).

2. Изменим температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесем в таблицу №1 в отчете по лабораторной работе.
........................

Контрольные вопросы

1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от ?

3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.

Дополнительная информация

Год сдачи: 2016 в соответствии с новыми методическими указаниями! Будьте внимательны!
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8 «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников» 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
User chita261 : 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Теоретические сведения и ход работы: В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно, |q+| = |q-| = e и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n Тогда (2)
User Murlishka : 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10 Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы: Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
User AndrewZ54 : 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны 2. Теоретическое введение Электропроводность материалов определяется выражением: где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
User qawsedrftgyhujik : 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны ВЫВОД В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( ) Контрольные вопросы 1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника. 2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
User DenKnyaz : 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
User vereney : 25 ноября 2010
30 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8 2сем вариант 7. 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны. Контрольные вопросы 1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника. 2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от 1 / T .? 3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
User gerold66 : 22 октября 2009
49 руб.
Материя форма и сущность
Введение…………………………………………………………………………….. 3 1 Понятие материи……………………………….......……………….. 4 2 Основные формы существования матери..................... 7 Заключение………………………………………………................ 12 Список используемых источников .............................13
User @ulana55_ : 10 февраля 2019
500 руб.
Физика. Спецглавы. Лабораторная работа № 4 (6.8). Вариант № 5
Электропроводность материалов определяется выражением: 1. где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, µ+ и µ- - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда. В задаче исследуется собственная электропроводность полупроводника. Положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. |q+| = |q-
User ankomii : 30 апреля 2015
100 руб.
Агрегат А-50. Лебёдка. Установка А50 Кинематическая схема. Вал подъёмный. Бочка барабана. Корпус. Обод. Диск зубчатый. Диск ведомый. Втулка ведомая. Диск. Звёздочка. Пружина растяжения. Фланец-Оборудование для капитального ремонта, обработки пласта, бурен
1) Разбуривания цементной пробки в трубах от 5 до 6 дюймов и связанных с этим процессом операций (спуска и подъёма бурильных труб, промывки скважин и т. д.); 2) Спуска и подъема насосно-компрессорных труб; 3) Установки эксплуатационного оборудования на устье скважин; 4) Проведение ремонтных работ и работ по ликвидации аварий; 5) Проведение буровых работ. Установка А50 предназначена для работы в условиях умеренного и холодного макроклиматических районов по ГОСТ 16350-80. Кли
1392 руб.
Агрегат А-50. Лебёдка. Установка А50 Кинематическая схема. Вал подъёмный. Бочка барабана. Корпус. Обод. Диск зубчатый. Диск ведомый. Втулка ведомая. Диск. Звёздочка. Пружина растяжения. Фланец-Оборудование для капитального ремонта, обработки пласта, бурен
Производство наружных стеновых панелей по конвейерной технологии
Работа по ПиА Содержание Введение………………………………………………………………………… 1.Основные свойства готовой продукции, сырья и вспомогательных материалов……………………………………………………………………… 2.Технологическая схема процесса…………………………………………… 3.Режим работы завода и основных цехов…………………………………… 4.Материальные расчеты процесса…………………………………………… 5.Выбор и составление спецификации оборудования………………………. 6.Контроль и автоматизация процесса……………………………………….. 7.Охрана окружающей среды………………………………………………… 9.Техника безопасности………………
User Yulia19 : 9 декабря 2008
Производство наружных стеновых панелей по конвейерной технологии
up Наверх