Лабораторная работа № 2 «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников». Вариант 04.
Состав работы
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Лабораторная работа 6.8
Тема: "Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников"
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
1. Установим силу тока через образец I = 5,4 мА (согласно варианта).
2. Изменим температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесем в таблицу №1 в отчете по лабораторной работе.
........................
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от ?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Тема: "Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников"
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
1. Установим силу тока через образец I = 5,4 мА (согласно варианта).
2. Изменим температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесем в таблицу №1 в отчете по лабораторной работе.
........................
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от ?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Дополнительная информация
Год сдачи: 2016 в соответствии с новыми методическими указаниями! Будьте внимательны!
Похожие материалы
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
30 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
gerold66
: 22 октября 2009
Лабораторная работа 6.8 2сем вариант 7.
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Контрольные вопросы
1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от 1 / T .?
3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
49 руб.
Другие работы
Контрольная работа по дисциплине «Цифровые сети интегрального обслуживания». Вариант № 4
aleks797
: 17 февраля 2013
Задание
По результатам измерений, представленных в виде текстового файла в шестнадцатеричных кодах, необходимо для каждого из сообщений подсистемы ISUP, представленных в конкретном варианте, в шестнадцатеричной форме, привести полную расшифровку сообщений в текстовом варианте.
Вариант 4.
100 руб.
Схемотехника телекоммуникационных устройств (вариант 04)
Дмитрий2010
: 26 января 2020
Задача 1
В каскаде ОЭ (рис. 1) используется транзистор, с известными параметрами h11э , h12э, h21э, h22э. Для конкретных значений элементов схемы: Rк, Rн, Rг, Rэ найти коэффициент усиления по напряжению и по току, входное и выходное сопротивление усилителя. Исходные данные выбираются по таблице 1, в соответствии с последней цифрой зачетной книжки.
Таблица 1
Последняя
цифра зачетки
h11э
Ом
h12э
h21э
h22э
мкСм
Rк
кОм
Rн
кОм
Rг
кОм
Rэ
кОм
0 1000 5⋅10-4 48 80 5,1 10 1 0,51
1 950 4
350 руб.
Пересечение плоскостей по методичке Липовки. Вариант №28
Чертежи
: 4 февраля 2021
Всё выполнено в программе Компас 3D v16.
В состав работы входит один файл – чертеж:
Вариант 28 – Пересечение плоскостей.
Работа выполнена по методичке Липовки Е.Р. "Начертательная геометрия", ред. 2012г.
ВАЖНО!!! Существует две методички разных годов редакции, координаты в них могут отличаться, но не во всех вариантах. Если хотя бы одна координата не сходится, то это совершенно другая работа и приобретение этой будет на свой страх и риск (координаты редко сверяют при проверке).
Чертеж оформле
80 руб.
Территориальные органы федеральных органов исполнительной власти: понятие, виды
Алёна51
: 1 ноября 2015
Введение 3
1. Органы исполнительной власти, как субъекты административного права РФ 6
1.1 Понятие и виды органов исполнительной власти в РФ 6
1.2 Основные функции и принципы исполнительной власти 15
2. Территориальные органы федеральных органов исполнительной власти 20
2.1 Понятие и правовая основа территориальных органов федеральных органов исполнительной власти в РФ 20
2.2 Органы исполнительной власти Алтайского края 28
3. Проблемы взаимодействия органов государственной власти субъекта РФ с те
300 руб.