Лабораторная работа № 2 «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников». Вариант 04.

Цена:
80 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon физика лр4вар.docx

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Лабораторная работа 6.8
Тема: "Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников"
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны

1. Установим силу тока через образец I = 5,4 мА (согласно варианта).

2. Изменим температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесем в таблицу №1 в отчете по лабораторной работе.
........................

Контрольные вопросы

1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от ?

3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.

Дополнительная информация

Год сдачи: 2016 в соответствии с новыми методическими указаниями! Будьте внимательны!
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8 «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников» 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
User chita261 : 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Теоретические сведения и ход работы: В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно, |q+| = |q-| = e и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n Тогда (2)
User Murlishka : 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10 Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы: Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
User AndrewZ54 : 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны 2. Теоретическое введение Электропроводность материалов определяется выражением: где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
User qawsedrftgyhujik : 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны ВЫВОД В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( ) Контрольные вопросы 1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника. 2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
User DenKnyaz : 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
User vereney : 25 ноября 2010
30 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8 2сем вариант 7. 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны. Контрольные вопросы 1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника. 2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от 1 / T .? 3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
User gerold66 : 22 октября 2009
49 руб.
Контрольная работа по дисциплине «Цифровые сети интегрального обслуживания». Вариант № 4
Задание По результатам измерений, представленных в виде текстового файла в шестнадцатеричных кодах, необходимо для каждого из сообщений подсистемы ISUP, представленных в конкретном варианте, в шестнадцатеричной форме, привести полную расшифровку сообщений в текстовом варианте. Вариант 4.
User aleks797 : 17 февраля 2013
100 руб.
Схемотехника телекоммуникационных устройств (вариант 04)
Задача 1 В каскаде ОЭ (рис. 1) используется транзистор, с известными параметрами h11э , h12э, h21э, h22э. Для конкретных значений элементов схемы: Rк, Rн, Rг, Rэ найти коэффициент усиления по напряжению и по току, входное и выходное сопротивление усилителя. Исходные данные выбираются по таблице 1, в соответствии с последней цифрой зачетной книжки. Таблица 1 Последняя цифра зачетки h11э Ом h12э h21э h22э мкСм Rк кОм Rн кОм Rг кОм Rэ кОм 0 1000 5⋅10-4 48 80 5,1 10 1 0,51 1 950 4
User Дмитрий2010 : 26 января 2020
350 руб.
Пересечение плоскостей по методичке Липовки. Вариант №28
Всё выполнено в программе Компас 3D v16. В состав работы входит один файл – чертеж: Вариант 28 – Пересечение плоскостей. Работа выполнена по методичке Липовки Е.Р. "Начертательная геометрия", ред. 2012г. ВАЖНО!!! Существует две методички разных годов редакции, координаты в них могут отличаться, но не во всех вариантах. Если хотя бы одна координата не сходится, то это совершенно другая работа и приобретение этой будет на свой страх и риск (координаты редко сверяют при проверке). Чертеж оформле
User Чертежи : 4 февраля 2021
80 руб.
Пересечение плоскостей по методичке Липовки. Вариант №28
Территориальные органы федеральных органов исполнительной власти: понятие, виды
Введение 3 1. Органы исполнительной власти, как субъекты административного права РФ 6 1.1 Понятие и виды органов исполнительной власти в РФ 6 1.2 Основные функции и принципы исполнительной власти 15 2. Территориальные органы федеральных органов исполнительной власти 20 2.1 Понятие и правовая основа территориальных органов федеральных органов исполнительной власти в РФ 20 2.2 Органы исполнительной власти Алтайского края 28 3. Проблемы взаимодействия органов государственной власти субъекта РФ с те
User Алёна51 : 1 ноября 2015
300 руб.
up Наверх