Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант №9

Цена:
200 руб.

Состав работы

material.view.file_icon F5F975B1-CAB5-44BB-BA16-DC3DB6777FD6.zip [181 KB]
material.view.file_icon КР №1.doc [Office 2010, 11 стр., 420 KB]

Необходимые программы

Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Задача № 1
 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
9 Фоторезистор


+еще 3 задачи.

Похожие материалы

Контрольная работа по дисциплине: Устройство оптоэлектроники. Вариант № 9
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2. Таблица 2. Варианты и данные фотоприемников Вариант Тип ПП материала Квантовая эффектив-ность, Ширина запрещен-
Радиоэлектроника СибГУТИ Работа Контрольная
User alexkrt : 9 ноября 2012
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача №1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Фотодиод с гетероструктурой Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны. Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User karimoverkin : 11 июня 2017
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники”
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант Тип фотоприемника (ФП) 0 Фотодиод на основе р-n перехода Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр. Исходные данные Таблица 2. Варианты и данные фотоприемн
СибГУТИ Электроника Работа Контрольная
User Dctjnkbxyj789 : 11 февраля 2017
35 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант Тип фотоприемника (ФП) 9 Фоторезистор Решение: Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра. В фоторезисторах используется явление изменения сопротивления вещества под действием инфракрасно
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User nvm1604 : 27 января 2016
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Вариант 4. Тип фотоприемника (ФП): Лавинный фотодиод
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User lebed-e-va : 28 апреля 2015
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Заданный тип - Лавинный фотодиод Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. Задача No3 Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикат
СибГУТИ Электроника Работа Контрольная
User ART1800 : 8 мая 2013
150 руб.
Устройства оптоэлектроники. Вариант №9
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. ............
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User ilgam013 : 21 мая 2014
180 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 30
Номер варианта для решения первой и третьей задач должен соответствовать последней цифре Вашего пароля, номер варианта при решении второй и четвертой задач должен соответствовать предпоследней цифре вашего пароля. Задача №1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Последняя цифра пароля: 0 Тип фотоприемника (ФП): Фотодиод на основе p-n-перехода Задача №2 Определить длинноволновую границу фотоэ
ДО СИБГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User Учеба "Под ключ" : 4 сентября 2022
600 руб.
promo

Другие работы

Задачи по физике. Вариант №1
Вариант 1 Задача 1 Скорость распространения упругой волны в среде 300 м/с. Найти разность фаз колебаний точек М и Р, от стоящих от источника на расстоянии 60м и 45м. Фаза колебаний точки М в момент времени 0,3 с после начала колебаний равна . Начальная фаза колебаний источника равна нулю. Задача 2 Определите перемещение зеркала в интерферометре Майкельсона, если интерференционная картина сместилась на полос. Опыт проводился со светом с длиной волны нм. Задача 3 Расстояние между четверт
Задачи СибГУТИ Физика
User ДО Сибгути : 1 октября 2013
100 руб.
Теплотехника 21.03.01 КубГТУ Задача 4 Вариант 63
Метан в количестве V м³/с и с температурой tм1 охлаждается в рекуперативном противоточном теплообменнике воздухом до tм2=20ºС. Температура воздуха на входе в теплообменник tв1=10ºС, а на выходе tв2. Коэффициент теплоотдачи от метана к поверхности нагрева – α1, а от поверхности нагрева к воздуху – α2. Поверхность нагрева изготовлена из стальных труб (λ = 40 Вт/(м·К)) толщиной – δ = 0,002 м. Определить: необходимую поверхность теплообмена и расход воздуха.
Задачи Теплотехника
User Z24 : 24 января 2026
200 руб.
Теплотехника 21.03.01 КубГТУ Задача 4 Вариант 63
Дискретная математика Билет №8
1. Проверить, является ли отношением эквивалентности на множестве всех прямых на плоскости отношение «параллельных прямых». Зачтено хорошо
СибГУТИ Работа Зачетная Дискретная математика
User Vlangf : 10 февраля 2015
30 руб.
Курсовой проект по дисциплине: Космические и наземные системы радиосвязи. Вариант 03
«Проект цифровой радиорелейной линии» Исходные данные для проектирования Исходные данные приведены в таблице И1. Таблица И1 – Протяженность ЦРРЛ и объем информации Длина РРЛ, км: 70 Объем информации (каналы ТЧ или цифровые потоки): Е2 Длина пролета, R0, км: 18 Число выделяемых каналов (потоков): 35 Число вводимых каналов (потоков): 35 Тип АТС: аналоговая Конфигурация системы: Выбирается после проведения расчета качественных показателей Примечания: 1. Типы АТС одинаковы для всех станций ЦРРЛ;
Космические и наземные системы радиосвязи ДО СИБГУТИ Работа Курсовая
User Учеба "Под ключ" : 19 марта 2022
1500 руб.
promo
up Наверх