Экзамен по дисциплине: Электроника. СИБГУТИ. ДО
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
1.Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
Похожие материалы
Экзамен по дисциплине: Электроника. СИБГУТИ. ДО
dubhe
: 7 марта 2015
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Параметры полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером.
Приведите в
300 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника
oksana111
: 24 июля 2014
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажи
300 руб.
Экзамен по дисциплине "Электроника".
corner
: 21 февраля 2013
1.Дифференциальные Y-параметры полевых транзисторов.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
2.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и пока
150 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника
Ekaterina-Arbanakova
: 11 февраля 2013
Экзаменационные вопросы:
1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характери-стики (ОУ).
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа.
Приведите
250 руб.
Экзамен по дисциплине: электроника.
женя68
: 10 мая 2011
Экзамен.
По дисциплине: электроника.
1.Работа биполярных и полевых транзисторов с нагрузкой.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики Принципиальная схема базового элемента ДТЛ микросхемы.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа
56 руб.
Экзамен по дисциплине «Электротехника и электроника»
Hanifa
: 3 октября 2012
1. Применение генераторов тока в ОУ.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необ
70 руб.
Экзамен по дисциплине: « Электротехника и электроника»
Dusya
: 20 октября 2011
1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ).
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные ха
250 руб.
Экзамен по дисциплине: Информатика. СибГУТИ
edson
: 26 сентября 2011
Вопросы к экзамену:
1. Чем отличаются относительные и абсолютные ссылки на ячейки в Excel и приведите примеры использования
2. Составьте алгоритм для вычисления суммы 100 чисел.
60 руб.
Другие работы
Развитие креативности (Ответы на тест СИНЕРГИЯ / МТИ / МОИ)
AnastasyaM
: 24 марта 2024
Ответы на тест Развитие креативности - СИНЕРГИЯ, МОИ, МТИ.
Результат сдачи - 95-100 баллов.
Дата сдачи свежая.
Вопросы к тесту:
Неверно, что к основным характеристикам креативности можно отнести ...
нормативность мышления
культурную среду
вободу общение
К методам исследования креативности можно отнести ...
рисуночные методы
метод фокус-групп
метод «индивидуальной фотографии»
методику оценки творческого поведения
Творчество может быть ...
только коллективным
только художественным
инд
250 руб.
Физико-химические методы исследования бетонных образцов
Elfa254
: 28 сентября 2013
Оглавление
Введение
1. Что такое бетон
2. Причины коррозии бетона
3. Основные процессы коррозии бетона
4. Объемная защита. Модификация добавками
5. Характер действия добавок, их виды и возможность комплексной модификации
5.1 Пластифицирующие добавки
5.2 Гидрофобизирующие добавки
5.3 Добавки, регулирующие структуру и сроки схватывания-твердения
6. Поверхностная защита бетона
6.1 Очистка и защита замасленных поверхностей
6.2 Защита очистных соо
Теплотехника МГУПП 2015 Задача 1.1 Вариант 32
Z24
: 6 января 2026
В баллоне емкостью V при температуре t и давлении p содержится газовая смесь, объемный состав которой следующий: RO2, RN2 и RCO2.
Определить массу газа.
150 руб.
Проектирование привода цепного пластинчатого конвейера через трехступенчатый редуктор
Рики-Тики-Та
: 23 октября 2010
Введение 3
1. Кинематический расчет 4
1.1. Выбор электродвигателя 4
1.2. Определение частот вращения и крутящих моментов на валах привода 5
2. Расчет закрытых передач 7
2.1. Расчет быстроходной передачи 7
2.1.1. Выбор материала 7
2.1.2. Определение допускаемых контактных напряжений и напряжений изгиба 7
2.1.3 .проектный расчет 9
2.1.4 .проверочный расчет 11
2.2. Расчет тихоходной передачи 12
2.2.1. Выбор материала 12
2.2.2. Определение допускаемых контактных напряжений и напряжений изгиба 12
2.2
55 руб.