Экзамен по дисциплине: Электроника. СИБГУТИ. ДО
Состав работы
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
1.Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
Похожие материалы
Экзамен по дисциплине: Электроника. СИБГУТИ. ДО
dubhe
: 7 марта 2015
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Параметры полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером.
Приведите в
300 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника
oksana111
: 24 июля 2014
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажи
300 руб.
Экзамен по дисциплине "Электроника".
corner
: 21 февраля 2013
1.Дифференциальные Y-параметры полевых транзисторов.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
2.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и пока
150 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника
Ekaterina-Arbanakova
: 11 февраля 2013
Экзаменационные вопросы:
1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характери-стики (ОУ).
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа.
Приведите
250 руб.
Экзамен по дисциплине: электроника.
женя68
: 10 мая 2011
Экзамен.
По дисциплине: электроника.
1.Работа биполярных и полевых транзисторов с нагрузкой.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики Принципиальная схема базового элемента ДТЛ микросхемы.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа
56 руб.
Экзамен по дисциплине «Электротехника и электроника»
Hanifa
: 3 октября 2012
1. Применение генераторов тока в ОУ.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необ
70 руб.
Экзамен по дисциплине: « Электротехника и электроника»
Dusya
: 20 октября 2011
1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ).
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные ха
250 руб.
Экзамен по дисциплине: Информатика. СибГУТИ
edson
: 26 сентября 2011
Вопросы к экзамену:
1. Чем отличаются относительные и абсолютные ссылки на ячейки в Excel и приведите примеры использования
2. Составьте алгоритм для вычисления суммы 100 чисел.
60 руб.
Другие работы
Потребности, блага, ресурсы. Проблема выбора в экономической системе.
Antipenko2016
: 14 декабря 2017
1)Введение………………………………………………………………3ст
2)Потребность…………………………………………………………..4ст
3)Блага…………………………………………………………………..6ст
4) Ресурсы……………………………………………………………….6ст
5)Проблема выбора в экономике………………………………………8ст
6)Литература …………………………………………………………….12ст
350 руб.
Усеченный цилиндр. Вариант 24 ЧЕРТЕЖ
coolns
: 4 мая 2026
Усеченный цилиндр. Вариант 24 ЧЕРТЕЖ
Задание 38
d = 62 мм
h = 68 мм
m = 33 мм
а° = 60 град
Выполнить чертеж усеченного цилиндра. Найти действительную величину контура сечения. Построить аксонометрическую проекцию и развертку поверхности усеченного цилиндра.
Чертеж выполнен на формате А3 + 3d модель + pdf (все на скриншотах показано и присутствует в архиве) выполнены в КОМПАС 3D.
Также открывать и просматривать, печатать чертежи и 3D-модели, выполненные в КОМПАСЕ можно просмотор
200 руб.
Теплотехника Задача 21.51 Вариант 04
Z24
: 24 января 2026
Воздушная холодильная установка работает при следующих параметрах: р1=0,1 МПа — давление перед компрессором и t1, ºC; после компрессора р2=0,5 МПа. Температура воздуха на выходе из охладителя t3, ºC. Определить: холодильный коэффициент, температуру воздуха, поступающего в холодильную камеру, количества тепла, передаваемого охлаждающей воде в теплообменнике (кВт), расход воздуха и теоретическую потребную мощность, если хладопроизводительность установки Q. Расчет иллюстрировать принципиальной схем
200 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Технологии транспортных сетей. Вариант 5
Учеба "Под ключ"
: 19 августа 2022
Задание
Для заданной топологии сети определить в каждом пункте тип мультиплексора, уровень STM и оптический интерфейс на участках сети, если передается следующая информация:
Таблица 1 - Расстояния между пунктами в км
Вариант: 5
АБ: 55
БВ: 37
ВГ: 21
ГД: 78
ДА: -
Таблица 2
Последняя цифра пароля: 5
Направления Е1 Е3 100BaseX
(FE) 1000BaseX
(GE)
А-Б 22 3 3 -
Б-В 77 2 2 1
А-Г 43 1 3 -
В-Д 21 3 2 -
Топология сети: Линейная
800 руб.