Экзамен по дисциплине: Электроника. СИБГУТИ. ДО
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
1.Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
Похожие материалы
Экзамен по дисциплине: Электроника. СИБГУТИ. ДО
dubhe
: 7 марта 2015
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Параметры полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером.
Приведите в
300 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника
oksana111
: 24 июля 2014
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажи
300 руб.
Экзамен по дисциплине "Электроника".
corner
: 21 февраля 2013
1.Дифференциальные Y-параметры полевых транзисторов.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
2.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и пока
150 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника
Ekaterina-Arbanakova
: 11 февраля 2013
Экзаменационные вопросы:
1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характери-стики (ОУ).
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа.
Приведите
250 руб.
Экзамен по дисциплине: электроника.
женя68
: 10 мая 2011
Экзамен.
По дисциплине: электроника.
1.Работа биполярных и полевых транзисторов с нагрузкой.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики Принципиальная схема базового элемента ДТЛ микросхемы.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа
56 руб.
Экзамен по дисциплине «Электротехника и электроника»
Hanifa
: 3 октября 2012
1. Применение генераторов тока в ОУ.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необ
70 руб.
Экзамен по дисциплине: « Электротехника и электроника»
Dusya
: 20 октября 2011
1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ).
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные ха
250 руб.
Экзамен по дисциплине: Информатика. СибГУТИ
edson
: 26 сентября 2011
Вопросы к экзамену:
1. Чем отличаются относительные и абсолютные ссылки на ячейки в Excel и приведите примеры использования
2. Составьте алгоритм для вычисления суммы 100 чисел.
60 руб.
Другие работы
Производственный менеджмент. Технико-экономический проект развития ГТС. Вариант №11 (по последней цифре пароля)
costafel
: 25 марта 2016
Выбор варианта контрольной работы производится по последней цифре пароля.
Исходные данные для каждого студента представлены в следующем виде:
Ёмкость проектируемой АТС, номеров ____ .
Количество соединительных линий от проектируемой АТС к другим АТС и УВС (исходящие/входящие):
АТС 1 ___ /___ УВС 1 ___ / __
АТС 2 ___ /___ УВС 2 ___ / __
АТС 3 ___ /___ УВС 3 ___ / __
Расстояние между проектируемой АТС и другими АТС и УВС:
АТС 1 ____
300 руб.
Экзамен по Маркетингу. Синергия. MBA
Глеб52
: 20 марта 2021
Задания для выполнения приведены ниже, максимальное количество баллов за правильное выполнение всех заданий – 51 балл.
Распределение баллов следующее:
Задание 1 – 26 баллов максимум.
Задание 2 – 25 баллов максимум.
Задание 1. Описание бренда и продукта компании с использованием модели RDB
Задание 1. Описание бренда и продукта компании с использованием модели RDB
1000 руб.
Теория систем и системный анализ. Вариант 13. Лабораторная работа 1.
Marina4
: 12 марта 2022
Задание лабораторной работы №1
Построение модели «черный ящик»
Цель работы: освоить построение модели типа "чёрный ящик ".
Исходные данные - ПВЭМ
Задачи работы
1.Опредилить главную и дополнительную цели заданной системы.
2.Опредилить существенные связи системы с объектами окружающей среды.
3.Опредилить и описать существенные входы и выходы системы.
4.Построить графическую модель чёрный ящик " заданной системы
5.Перечислить нежелательные входы и выходы системы.
6.Перечислить и установить основн
100 руб.
Гидравлика АКАДЕМИЯ ГРАЖДАНСКОЙ ЗАЩИТЫ Задача 6 Вариант 27
Z24
: 11 марта 2026
Определить повышение давления в трубопроводе длиной L, диаметром d и толщиной стенок δ при гидравлическом ударе, если расход воды Q, модули упругости стенок трубы Ет = 2⸱1011 Па и воды Еж = 2⸱109 Па. Время закрытия задвижки на трубопроводе tз.
150 руб.