Зачетная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Билет 5.
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Вопросы к зачету:
Раздел: Физические основы оптоэлектроники.
1. Энергетические характеристики оптического излучения.
Раздел Излучатели.
2. Устройство и принцип действия полупроводникового монолазера.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3. Устройство и принцип действия фотоприёмника на основе полевого транзистора с p-n переходом.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4. Плазменные панели.
Раздел: Физические основы оптоэлектроники.
1. Энергетические характеристики оптического излучения.
Раздел Излучатели.
2. Устройство и принцип действия полупроводникового монолазера.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3. Устройство и принцип действия фотоприёмника на основе полевого транзистора с p-n переходом.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4. Плазменные панели.
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Зачет
Оценка:Зачет
Дата оценки: 09.04.2016
Рецензия:Уважаемый С*
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Зачет
Оценка:Зачет
Дата оценки: 09.04.2016
Рецензия:Уважаемый С*
Похожие материалы
Зачетная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Билет №5
Roma967
: 12 декабря 2015
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Энергетические характеристики оптического излучения.
Раздел Излучатели.
2.Устройство и принцип действия полупроводникового монолазера.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фотоприёмника на основе полевого транзистора с p-n переходом.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Плазменные панели.
350 руб.
Зачётная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Билет: №5.
Доцент
: 24 января 2015
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Энергетические характеристики оптического излучения.
Раздел Излучатели.
2.Устройство и принцип действия полупроводникового монолазера.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фотоприёмника на основе полевого транзистора с p-n переходом.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Плазменные панели.
50 руб.
Зачетная работа по дисциплине: «Устройства оптоэлектроники»
te86
: 10 июня 2013
1.Диаграмма направленности излучателя.
2. Электрическая модель светоизлучающего диода
3. Характеристики и параметры фотоприемников.
4. Устройство и принцип действия оптоэлектронных фильтров.
200 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Устройство оптоэлектроники
alexkrt
: 9 ноября 2012
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Особенности оптической электроники.
Раздел Излучатели.
2.Светодиодные источники повышенной яркости и белого света.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фототиристора.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного генератора изменяющегося напряжения.
150 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Устройство оптоэлектроники
yans
: 6 ноября 2012
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Закон Снеллиуса.
Раздел Излучатели.
2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа.
РАБОТА ВЫПОЛНЕНА САМОСТОЯТЕ
350 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Билет №13
Учеба "Под ключ"
: 4 сентября 2022
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1. Закон Ламберта.
Раздел Излучатели.
2. Параметры светоизлучающего диода как компоненты электронных устройств.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3. Принцип работы полупроводниковых фотоприемных устройств.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4. Применение оптоэлектронных приборов для измерения высоких напряжений и управления устройствами большой мощности.
400 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Билет №18
Учеба "Под ключ"
: 4 сентября 2022
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1. Определение числовой апертуры.
Раздел Излучатели.
2. Процессы в излучателе на основе моно p-n перехода.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3. Устройство и принцип действия фотодиодов с барьером Шоттки.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4. Устройство и принцип действия оптоэлектронного аналогового ключа.
400 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Билет №11
SibGOODy
: 7 августа 2018
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1. Излучатели на основе моноперехода.
Раздел Излучатели.
2. Ввод излучения в световоды.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3. Устройство и принцип действия сканистора.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4. Устройство и принцип действия оптических устройств считывания информации.
400 руб.
Другие работы
Рынок ИТ
elementpio
: 2 сентября 2012
Содержание
Введение 3
1. Рынок информации: особенности и проблемы развития 4
1.1. Информация как экономический ресурс 4
1.2. Информационный продукт и его особенности 5
1.3. Виды информационных товаров и услуг 6
1.4. Соотношение затрат и результатов производства информации 6
1.5. Особенности структуры и регулирования информационного рынка 7
1.6. Спрос, предложение и ценообразование на рынке информации 10
2. Новые информационные технологии 12
2.1. Инструментальные информационные технологии 12
2.
50 руб.
Термодинамика и теплопередача СамГУПС 2012 Задача 9 Вариант 5
Z24
: 7 ноября 2025
Начальные параметры 1 м³ азота р1 и t1. Определить конечные параметры газа (V2, p2, t2), если в процессе адиабатного расширения газа его внутренняя энергия уменьшилась на ΔU, кДж. Определить также удельное значение изменения энтальпии газа в процессе. Теплоемкость азота принять не зависящей от температуры.
150 руб.
Лабораторные работы №4-6. Теория электрических цепей. Часть 2. Вариант 5. (2019)
rmn77
: 3 октября 2019
Лабораторная работа No 4
Исследование реактивных двухполюсников
Цель работы
Исследование зависимости входного сопротивления реактивного двухполюсника от частоты.
Подготовка к выполнению работы
При подготовке к работе необходимо изучить теорию реактивных двухполюсников, методы их анализа и синтеза (параграфы 4.5 и 16.6 электронного учебника).
Теоретическое исследование
Исследовать работу схемы реактивного двухполюсника, реализованного по 1-й форме Фостера (рисунок 4.1, а). Задать E = 1 В, R0
600 руб.
Экзаменационная работа по матанализу 1 курс 1 семестр Билет№2
Jurgen
: 12 марта 2011
Билет № 2
1. Действия над комплексными числами в тригонометрической и показательной формах.
2. Понятие производной функции. Геометрический смысл её. Связь между непрерывностью и дифференцируемостью функции.
3. Найти асимптоты кривой
4. Найти экстремумы функции
5. Найти интеграл
6. Вычислить интеграл
7. Исследовать сходимость интеграла
8. Найти площадь фигуры, ограниченной линиями
и
150 руб.