Устройства оптоэлектроники. Зачет. Билет 17
-
Категории:
ДО СИБГУТИ, Устройство оптоэлектроники, Работа Зачетная
-
Добавлен:
25.08.2016
-
Размер:
186 KB
-
Покупок:
0
-
Добавил:
FreeForMe
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
D6740F92-FB04-4616-AD1A-A54748913B7C.doc
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Закон Снеллиуса.
Раздел Излучатели.
2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа.
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Закон Снеллиуса.
Раздел Излучатели.
2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа.
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Зачет
Оценка:Зачет
Дата оценки: 01.06.2016
Рецензия:Уважаемый ,Обрашаю Ваше внимание что германий и кремний не подходят для изготовления светодиодов
Игнатов Александр Николаевич
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Зачет
Оценка:Зачет
Дата оценки: 01.06.2016
Рецензия:Уважаемый ,Обрашаю Ваше внимание что германий и кремний не подходят для изготовления светодиодов
Игнатов Александр Николаевич
Похожие материалы
500 руб.
Устройства оптоэлектроники. Зачёт
Gila
: 17 января 2019
Раздел: Физические основы оптоэлектроники.
1.Закон Снеллиуса.
Раздел Излучатели.
2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа.
Gila
: 17 января 2019
210 руб.
Зачет. «Устройства оптоэлектроники»
svh
: 1 октября 2016
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Излучатели на основе моноперехода.
Раздел: Излучатели.
2.Ввод излучения в световоды.
Раздел: «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия сканистора.
Раздел: «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптических устройств считывания информации.
svh
: 1 октября 2016
220 руб.
Зачет. Устройства оптоэлектроники
MK
: 16 сентября 2016
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1. Классификация оптоэлектронных приборов и устройств.
Раздел Излучатели.
2.Светодиодные источники повышенной яркости и белого света.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фоторезистора.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного блокинг-генератора.
MK
: 16 сентября 2016
120 руб.
Устройства оптоэлектроники. Зачет
flash089
: 17 июня 2016
Устройства оптоэлектроники. Зачет
1.Механизм генерации излучения в полупроводниках
2.Формирователь с активным низким уровнем.
3.Фотоприёмник со структурой МДП.
4.Электрическая модель оптрона
flash089
: 17 июня 2016
200 руб.
Устройство Оптоэлектроники. Зачет.
Rufus
: 26 мая 2016
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Типы электронных переходов.
Раздел Излучатели.
2.Конструкция и схема включения светоизлучающего диода.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фотодиодов с гетероструктурой.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного аналогового регулятора.
Rufus
: 26 мая 2016
150 руб.
Устройства оптоэлектроники. Зачет
sanmix10077
: 30 января 2016
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Типы электронных переходов.
Раздел Излучатели.
2.Конструкция и схема включения светоизлучающего диода.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фотодиодов с гетероструктурой.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного аналогового регулятора.
sanmix10077
: 30 января 2016
200 руб.
Зачет. Устройства оптоэлектроники
Teuserer
: 4 января 2016
Вопросы к зачету
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Закон Снеллиуса.
Раздел Излучатели.
2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа.
Teuserer
: 4 января 2016
100 руб.
Другие работы
Изучение характеристик электростатического поля
Dresk
: 21 мая 2010
Изучение характеристик электростатического поля
Цель работы
Исследовать электростатическое поле, графически изобразить сечение эквипотенциальных поверхностей и силовые линии для некоторых конфигураций поля.
Основные теоретические сведения
Любое заряженное тело создает в пространстве вокруг себя электромагнитное поле и взаимодействует с внешним электромагнитным полем. Поле, создаваемое неподвижными зарядами, называется электростатическим. Знание характеристик электрического поля требуется при ра
Dresk
: 21 мая 2010
Механика жидкости и газа ВлГУ Контрольное задание 1 Задача 2 Вариант 8
Z24
: 22 декабря 2025
Определить силу давления S, на которую должно быть рассчитано запорное устройство квадратной крышки, поворачивающейся вокруг горизонтальной оси O и закрывающей отверстие в боковой плоской стенке сосуда, если в сосуде находится жидкость Ж, а давление в верхней части сосуда рм (рис. 12, табл. 2).
Z24
: 22 декабря 2025
150 руб.
Гидравлика УГНТУ Салават Задача 1 Вариант е
Z24
: 23 декабря 2025
Определить скорость υ скольжения прямоугольной пластины (a×b×c) по наклонной плоскости под углом β, если между пластиной и плоскостью находится слой масла A (рисунок 13). Толщина слоя масла δ, температура масла T, плотность материала пластины ρ. Данные для решения задачи в соответствии с вариантом задания выбрать из табл.1.
Указание. При решении задачи применяется формула Ньютона. Поскольку слой масла тонкий, можно считать, что скорость в нем изменяется по прямолинейному закону.
Z24
: 23 декабря 2025
150 руб.
Инфляция в России и за рубежом
alfFRED
: 27 февраля 2014
Введение 3
1 История, сущность и причины инфляции, ее виды и показатели 5
1.1 Из истории инфляции и инфляционных процессов 5
1.2 Сущность инфляции 7
1.3 Причины возникновения инфляции 9
1.4 Виды инфляции 15
1.5 Показатели инфляции 20
2 Последствия инфляции, мировой опыт борьбы с инфляцией 27
2.1 Социально-экономические последствия инфляции 27
2.2 Антиинфляционная политика 30
2.3 Практика антиинфляционных мероприятий в отдельных странах 32
2.4 Этапы формирования и модель антиинфляционной политики
alfFRED
: 27 февраля 2014
10 руб.
