Вариант №4. Физические основы электроники

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon kr_var-04.docx
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Дан биполярный транзистор КТ605А
По статическим характеристикам (рис.1.1 и рис.1.2) заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя Rвх. Найти полезную мощность в нагрузке Pп , мощность, рассеиваемую в коллекторе Pк, потребляемую мощность Рпотр и коэффициент полезного действия η.

Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Находим h-параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1.
Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты│Н21│/ h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.

Дополнительная информация

2016 Зачет
Вариант №4. Физические основы электроники
Задача 1: Дан биполярный транзистор КТ605А Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1. Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты│Н21│/ h21=F(f) для различных схем включения транзисторов. Задача 4: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По выходным характеристикам п
User MK : 24 мая 2016
220 руб.
Физические основы электроники
Электрические свойства полупроводников (ПП). Собственные и примесные ПП. Их электропроводность 2. Входные и выходные характеристики БТ в схеме с ОБ. Схема для снятия характеристик. Вид характеристик и их объяснение.
User erboollat : 21 июня 2020
130 руб.
Физические основы электроники
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Отчет по работе: СНЯТИЕ ВОЛЬТАМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ДИОДОВ Д7Ж И Д220 ПРИ ПРЯМОМ ВКЛЮЧЕНИИ. Схемы для снятия характеристик диодов в прямом направлении приведены на рисунках: 1а и 1б
User erboollat : 21 июня 2020
100 руб.
Физические основы электроники
Задача 1 По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора; в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
User erboollat : 21 июня 2020
120 руб.
Физические основы электроники
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА 1. Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора. Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой и общим эмиттером. 2. Отчет о работе ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА ДЛЯ СХЕМЫ С ОБЩЕЙ БАЗОЙ. На рисунке 1 приведена принципиальная схема для транзистора n-p-n для исследования его входных и выходных характеристик с общей базой.
User erboollat : 21 июня 2020
100 руб.
Физические основы электроники
Контрольная работа По дисциплине: Физические основы электроники Выполнил: Титова Ю.В. Группа: Т-61в Вариант: №01 Проверил: Савиных Валерий Леонидович Задача 1 По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, опреде
User Yuliyatitova : 1 апреля 2020
300 руб.
« Физические основы электроники »
Комплексное задание по дисциплине « Физические основы электроники » . 1. Содержание задач комплексного задания Задача №1. Согласно номера варианта и статических характеристик биполярного транзистора выполнить графоаналитические расчеты для усилительного каскада по схеме с общим эмиттером (ОЭ) : а) записать исходные данные: марка транзистора ________ тип транзистора ___________ напряжение источника питания коллекторной цепи ЕК =____В; активное сопротивление нагрузки RН = ______ Ом; постоянн
User Фрося : 25 февраля 2020
900 руб.
Физические основы электроники
Согласно номера варианта и статических характеристик биполярного транзистора выполнить графоаналитические расчеты для усилительного каскада по схеме с общим эмиттером (ОЭ) : а) записать исходные данные: марка транзистора КТ819 тип транзистора Биполярный напряжение источника питания коллекторной цепи ЕК =9 В; активное сопротивление нагрузки RН = 1,2 Ом; постоянная составляющая тока базы IБ0 =120мА; амплитудное значение переменной составляющей тока ( амплитуда усиливаемого сигнала) IБm = 100
User Фрося : 25 февраля 2020
1000 руб.
Лабораторная работа № 3 по дисциплине "Базы данных". 4-й семестр. 6-й вариант
О Т Ч Е Т по лабораторной работе № 3 Создание многотабличных запросов Задание 1. Создание базы данных В работе необходимо создать базу данных, которая должна содержать информацию об успеваемости студентов на протяжении обучения в университете. Предполагаем, что информация о сдаче экзаменов для 8 студентов хранится в таблице Исходная, которая включает следующие поля: Номер студенческого билета, ФИО, Дата рождения, Домашний адрес, Телефон, Пол, Факультет, Группа, Предмет, Оценка, Дата сдачи эк
User mastar : 5 октября 2012
125 руб.
Инновационная инфраструктура
Введение Инфраструктура инновационной деятельности Практическая часть Условие задачи. Рассчитайте сумму вознаграждения за использование патента на изобретение нового прибора для определения параметров технологического процесса изготовления стекла. Прогнозная потребность в приборах составляет 500 шт. за 5 лет. Стоимость одного прибора — 50 тыс. руб. Величина роялти R = 15%. Доля вознаграждения от общей суммы отчислений — 35%. Заключение
User GnobYTEL : 11 сентября 2012
20 руб.
Расчет технико-экономических показателей механического цеха
Успешное функционирование предприятий любой формы собственности, производящих машиностроительную продукцию, в условиях регулируемой рыночной экономики связано, прежде всего, с ускоренным внедрением новой высокопроизводительной техники и передовых технологий, как основы повышения эффективности производства и роста прибыли предприятия. Внедрение технических новшеств сопряжено, как правило со значительными дополнительными затратами ресурсов, т.е. влечет за собой дополнительные издержки производства
User alfFRED : 3 ноября 2013
10 руб.
Основы проектирования предприятий РС, РВ и ТВ. Зачет. Вариант №3
ТЕСТ № 3 1. Условие, которое должно соблюдаться при составлении волнового расписания: 2. Графики радиопрогнозов используются для: а) определения значения оптимальной рабочей волны по часам суток; б) расчета рабочей волны; в) исследования состояния ионосферы. 3. Эллиптическую орбиту используют спутники: а) “Молния”; б) “Галс”; в) “Экран”. 4. Организовать систему непосредственного телевизионного вещания возможно при использовании спутника: а) “Горизонт”; б) “Экран” 1 класс
User Vladx : 26 апреля 2013
80 руб.
up Наверх