Курсовая работа по дисциплине: Электроника. Вариант №3

Цена:
1000 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 2C9C930A-6D7B-44C0-A2BE-F93D49D61ED7.doc
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Тема: «Разработка интегрального аналогового устройства»

Содержание
Задание 3
Введение 4
1. Разработка структурной схемы 5
2. Разработка принципиальной схемы 7
3. Разработка интегральной микросхемы. 15
3.1. Выбор навесных элементов и расчет конфигурации пленочных элементов 15
3.2. Разработка топологии. 18
3.3. Этапы изготовления устройства в виде гибридной интегральной микросхемы. 20
Заключение 24
Список литературы 25

Задание
Разработать принципиальную схему и выполнить расчет двухкаскадной схемы усилителя с использованием полевого и биполярного транзисторов.

Исходные данные для заданного варианта сведены в таблицу 1.
№ варианта: 03
Uпит=-15 В
Ku=9
Rвх=1 МОм
Rн=10 кОм
Uном=3 В
fн=300 Гц
fв=3,4 кГц
Mн=3 дБ
Mв=3 дБ
Тип входа - Н
Тип выхода - С

Дополнительная информация

Оценка - отлично!
Дата сдачи: октябрь 2016 г.
Помогу с другим вариантом.

Выполняю работы на заказ по следующим специальностям:
МТС, АЭС, МРМ, ПОВТиАС, ПМ, ФиК и др.
E-mail: help-sibguti@yandex.ru
Курсовая работа по дисциплине: Электроника. Вариант №3.
1. Разработать электрическую схему аналогового устройства (Усилителя низкой частоты) на основе биполярных и полевых транзисторов. 2. Произвести расчет принципиальной схемы и разработать топологию устройства в виде гибридной интегральной микросхемы. Осуществить подбор пассивных компонентов. 3. Произвести правильный выбор типов и структур биполярных и полевых транзисторов. Техническое задание (см. скриншот).
User ДО Сибгути : 14 февраля 2016
200 руб.
Курсовая работа по дисциплине: Электроника. Вариант №3. promo
Курсовая работа по дисциплине: Электроника. Вариант № 3
Техническое задание 1. Напряжение питания Uпит=-15В 2. Коэффициент усиления по напряжению Кu=10 3. Входное сопротивление Rвх=3,3 МОм 4. Сопротивление нагрузки RH=0,6 кОм к0м 5. Номинальное выходное напряжение Uном=3 В 6. Нижняя рабочая частота fн=20Гц 7. Верхняя рабочая частота 8. Коэффициент частотных искажении на нижней рабочей частоте Мн=1 дБ 9. Коэффициент частотных искажении на верхней рабочей частоте Мв=1 дБ 10. Тип входа - несимметричный, тип выхода симмитричный
User JuliaRass : 21 октября 2012
150 руб.
Курсовая работа По дисциплине: Электроника
Содержание. Техническое задание. Введение. 1. Разработка структурной схемы. 2. Разработка принципиальной схемы. 3. Разработка интегральной микросхемы. 3.1. Выбор навесных элементов и расчет конфигурации пленочных элементов. 3.2. Разработка топологии. 3.3. Этапы изготовления устройства в виде гибридной интегральной микросхемы. Заключение. Список литературы. Техническое задание. Напряжение питания, В +9 Кu 4 Rвх, Мом 0,82 Rn, кОм 0,2 Uном, В 1 Fн, Гц 20 Fв, кГц 15 Мн, дБ 1 Мв, дБ 1 Тип входа не
User ннааттаа : 1 сентября 2017
300 руб.
Курсовая работа по дисциплине: Электроника
1. Разработка структурной схемы. 2. Разработка принципиальной схемы. 3. Расчет амплитудно-частотной характеристики Определим значения емкостей разделительных конденсаторов учитывая, что в приведенных ниже формулах коэффициент частотных искажений выбирается в разах ( , значение в разах ):
User karimoverkin : 11 июня 2017
250 руб.
Курсовая работа по дисциплине: Электроника
1 часть. Электрический расчет цифровой схемы. Задана схема ЛЭ на ТТЛ (транзисторно-транзисторная логика). Необходимо для 3-х комбинаций входных сигналов провести электрический расчет схемы. Значения входных сигналов Входы 1 2 3 4 0 1 1 1 0 0 1 0 1 1 0 0 II часть. Разработка топологии ИМС.
User Лесник : 5 апреля 2017
70 руб.
Курсовая работа по дисциплине: Электроника
Курсовая работа по дисциплине: Электроника
Задание Целью курсовой работы является закрепление теоретического материала по второму разделу курса ЭТП и МЭ и приобретению навыков анализа ЦИМС и составления топологии гибридных ИМС. Содержание курсовой работы: Курсовая работа состоит из введения, двух основных разделов и заключения. Во введении необходимо кратко описать преимущества РЭА с использованием в качестве элементной базы интегральных микросхем. Первый раздел - электрический расчет цифровой схемы. Для трех комбинаций входных сигналов
User BuKToP89 : 31 марта 2016
90 руб.
Курсовая работа по дисциплине: Электроника
Курсовая работа по дисциплине: Электроника
Вариант 3. 1. Напряжение питания 2. Коэффициент усиления по напряжению 3. Входное сопротивление 4. Сопротивление нагрузки 5. Номинальное выходное напряжение 6. Нижняя рабочая частота 7. Верхняя рабочая частота 8. Коэффициент частотных искажении на нижней рабочей частоте 9. Коэффициент частотных искажении на верхней рабочей частоте 10. Тип входа - несимметричный, тип выхода симмитричный
User pvv1962 : 4 апреля 2015
250 руб.
Курсовая работа по дисциплине: Электроника
"Разработка интегрального аналогового устройства" Содержание курсовой работы Техническое задание 2 Введение 2 1. Разработка структурной схемы 3 2. Разработка принципиальной схемы 3 3. Разработка интегральной микросхемы 8 3.1. Выбор навесных элементов и расчет конфигурации пленочных элементов 8 3.2. Разработка топологии 9 3.3. Этапы изготовления устройства в виде гибридной интегральной микросхемы 11 Заключение 11 Список литературы 11
User pepol : 16 декабря 2014
85 руб.
Лабораторная работа 7.3 по дисциплине: «Физика»
«Определение длины электромагнитной волны методом дифракции Фраунгофера» Цель работы: Исследовать явление дифракции электромагнитных волн. С помощью дифракционной решетки проходящего света измерить длины электромагнитных волн видимого диапазона 1. Выбрать линзу “Л2”, задав фокусное расстояние L от 25 до 35 см. 2. Получить интерференционную картину на экране. 3. Установить красный светофильтр. Измерить расстояние l1 от середины максимума первого порядка до середины центрального максимума по шкале
User oksana111 : 3 марта 2013
100 руб.
Теория вероятности. Экзаменационня работа. Билет №12
Вопрос №1 Тема: Формула Байеса. Задача: Микросхема может принадлежать к одной из трёх партий с вероятностями 0.25, 0.25, 0.5 соответственно. Вероятности того, что микросхема проработает год, для этих партий равны соответственно 0.1, 0.2, 0.4. Определить вероятность того, что случайным образом выбранная микросхема принадлежит первой партии, если она проработала год. Вопрос №2 Тема: Свойства плотности распределения Дана плотность распределения с.в. Найти Р{1,5 < e < 2,5}. 0, если х <= 0 p(x) = x/
User Simplex : 9 ноября 2016
20 руб.
Термодинамика и теплопередача СамГУПС 2012 Задача 52 Вариант 6
Определить температуру поверхности трубы с наружным диаметром d, если линейная плотность результирующего потока излучением от нее составляет ql, а интегральная степень черноты поверхности ε. Температура окружающего воздуха tв = 17ºС.
User Z24 : 15 ноября 2025
150 руб.
Термодинамика и теплопередача СамГУПС 2012 Задача 52 Вариант 6
Контрольная работа №1. Теория телетрафика. Вариант 04
Шифр: 18.6.20.14.4.20.19 Задачи: 1. На однолинейную СМО поступает простейший поток вызовов с параметром 41 выз/час. Вызовы обслуживаются с ожиданием. Время обслуживания вызовов распределено: а)показательно со средним значением 70 c; модель обслуживания М/М/1; б)постоянно с h=t ; модель обслуживания М/Д/1. Допустимое время ожидания начала обслуживания - 140 с. Определить: для модели М/М/1 и М/Д/1 - функцию распределения времени ожидания начала обслуживания; ср
User Ася26 : 11 октября 2020
250 руб.
up Наверх