Контрольная работа По дисциплине: устройство оптоэлектроники. Вариант №5.
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача 1.
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Тип фотоприёмника (ФП): фотодиод-транзистор.
Задача 2.
Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней l гр.
Исходные данные.
Тип ПП материала: Ge.
Квантовая эффективность: h = 0,2.
Ширина запрещённой зоны: DW = 0,6 эВ.
Задача 3.
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры 5.
Задача 4.
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Исходные данные.
Тип светодиода: АЛ102В.
Напряжение питания: Uпит = 5 В.
Номинал ограничительного сопротивления: 510 Ом.
Имеются электрические и световые справочные параметры светодиода АЛ102В при Токр=25о:
1. Сила света не менее 0,2 мкд;
2. Цвет свечения зелёный;
3. Максимум спектрального распределения излучения на длине волны 0,53 мкм.
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Тип фотоприёмника (ФП): фотодиод-транзистор.
Задача 2.
Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней l гр.
Исходные данные.
Тип ПП материала: Ge.
Квантовая эффективность: h = 0,2.
Ширина запрещённой зоны: DW = 0,6 эВ.
Задача 3.
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры 5.
Задача 4.
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Исходные данные.
Тип светодиода: АЛ102В.
Напряжение питания: Uпит = 5 В.
Номинал ограничительного сопротивления: 510 Ом.
Имеются электрические и световые справочные параметры светодиода АЛ102В при Токр=25о:
1. Сила света не менее 0,2 мкд;
2. Цвет свечения зелёный;
3. Максимум спектрального распределения излучения на длине волны 0,53 мкм.
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Устройство оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа
Оценка: Зачет
Дата оценки: 17.09.2016
Рецензия:Уважаемый С*
Игнатов Александр Николаевич
Оценена Ваша работа по предмету: Устройство оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа
Оценка: Зачет
Дата оценки: 17.09.2016
Рецензия:Уважаемый С*
Игнатов Александр Николаевич
Похожие материалы
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант №5
SibGOODy
: 17 марта 2018
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Последняя цифра пароля: 5
Тип фотоприемника: Фотодиод-транзистор
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр.
Предпоследняя цифра пароля: 0
Тип ПП материала: Ge
Квантовая эффективность n: 0,2
Ширина запрещенной зоны
400 руб.
Контрольная работа по дисциплине: «Устройства оптоэлектроники». Вариант №5.
freelancer
: 23 апреля 2016
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
5 Фотодиод-транзистор
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 3.
Таблица 3.
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
karimoverkin
: 11 июня 2017
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Фотодиод с гетероструктурой
Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны.
Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники”
Dctjnkbxyj789
: 11 февраля 2017
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
0 Фотодиод на основе р-n перехода
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника.
Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр.
Исходные данные
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемн
35 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
nvm1604
: 27 января 2016
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
9 Фоторезистор
Решение:
Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра.
В фоторезисторах используется явление изменения сопротивления вещества под действием инфракрасно
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
lebed-e-va
: 28 апреля 2015
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант 4.
Тип фотоприемника (ФП): Лавинный фотодиод
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
ART1800
: 8 мая 2013
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Заданный тип - Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикат
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: устройства оптоэлектроники. Вариант №5. (4-й семестр).
ua9zct
: 17 марта 2015
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
По условию задания, в соответствии с номером варианта (05), задан фотодиод- транзистор.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр.
По условию данные в задаче соответствуют варианту No0.
Тип ПП материала Ge
50 руб.
Другие работы
Архив 3D моделей (детали, сборки)
Рики-Тики-Та
: 13 марта 2012
В архиве представлено большое количество 3D-моделй, выполненных в Компас. Студенческие чертежи.
Разное:
Шкив.m3d
Шестерня. m3d
Шатун. m3d
Фланец. m3d
Тройник. m3d
Рычаг. m3d
Ролик натяжной.m3d
Розетка. m3d
Панель. m3d
Опора. m3d
Маховик.rn3d
Крышка.rn3d
Вентилятор.m3d
Блок.m3d
МГТУ МАМИ:
Ступица - сборка
Подвеска - ссборка
Разное
МГАУ им. Горячкина:
Сборка двухступенчатого цилиндрического редуктора
МАИ им. Орджоникидзе:
Картер
110 руб.
Гидравлика и гидравлические машины 2009 ДВГУПС Задача 1.2.2 Вариант 7
Z24
: 25 октября 2025
В вертикальном цилиндрическом резервуаре, имеющем диаметр D, хранится нефть, вес ее G, плотность ρ=850 кг/м³, коэффициент температурного расширения βt=0,00072 1/ºC. Расширение стенок резервуара не учитывать. Требуется определить объем нефти в резервуаре при температуре 0 ºC и изменение уровня нефти в резервуаре, если температура повысится до T, ºC.
165 руб.
ГОСТ 9168-80 Бумага для глубокой печати. Технические условия
evelin
: 28 июня 2013
Настоящий стандарт распространяется на бумагу,
предназначенную для печатания многокрасочных
иллюстрационно-текстовых изданий и
иллюстрационной изобразительной продукции
способом глубокой печати на рулонных и листовых
машинах, и устанавливает требования к бумаге для
глубокой печати, изготавливаемой для нужд народного
хозяйства и экспорта
4 руб.
Мультисервисные сети связи (часть 2) Билет № 19
Sunshine
: 29 марта 2020
1. Алгоритмы маршрутизации. Критерии оптимальности выбора маршрута.
2. Методы и технологии обеспечения информационной безопасности в мультисервисных сетях.
3. Маркировка трафика согласно "Базовым правилам QoS".
100 руб.