Контрольная работа По дисциплине: устройство оптоэлектроники. Вариант №5.
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача 1.
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Тип фотоприёмника (ФП): фотодиод-транзистор.
Задача 2.
Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней l гр.
Исходные данные.
Тип ПП материала: Ge.
Квантовая эффективность: h = 0,2.
Ширина запрещённой зоны: DW = 0,6 эВ.
Задача 3.
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры 5.
Задача 4.
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Исходные данные.
Тип светодиода: АЛ102В.
Напряжение питания: Uпит = 5 В.
Номинал ограничительного сопротивления: 510 Ом.
Имеются электрические и световые справочные параметры светодиода АЛ102В при Токр=25о:
1. Сила света не менее 0,2 мкд;
2. Цвет свечения зелёный;
3. Максимум спектрального распределения излучения на длине волны 0,53 мкм.
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Тип фотоприёмника (ФП): фотодиод-транзистор.
Задача 2.
Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней l гр.
Исходные данные.
Тип ПП материала: Ge.
Квантовая эффективность: h = 0,2.
Ширина запрещённой зоны: DW = 0,6 эВ.
Задача 3.
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры 5.
Задача 4.
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Исходные данные.
Тип светодиода: АЛ102В.
Напряжение питания: Uпит = 5 В.
Номинал ограничительного сопротивления: 510 Ом.
Имеются электрические и световые справочные параметры светодиода АЛ102В при Токр=25о:
1. Сила света не менее 0,2 мкд;
2. Цвет свечения зелёный;
3. Максимум спектрального распределения излучения на длине волны 0,53 мкм.
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Устройство оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа
Оценка: Зачет
Дата оценки: 17.09.2016
Рецензия:Уважаемый С*
Игнатов Александр Николаевич
Оценена Ваша работа по предмету: Устройство оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа
Оценка: Зачет
Дата оценки: 17.09.2016
Рецензия:Уважаемый С*
Игнатов Александр Николаевич
Похожие материалы
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант №5
SibGOODy
: 17 марта 2018
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Последняя цифра пароля: 5
Тип фотоприемника: Фотодиод-транзистор
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр.
Предпоследняя цифра пароля: 0
Тип ПП материала: Ge
Квантовая эффективность n: 0,2
Ширина запрещенной зоны
400 руб.
Контрольная работа по дисциплине: «Устройства оптоэлектроники». Вариант №5.
freelancer
: 23 апреля 2016
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
5 Фотодиод-транзистор
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 3.
Таблица 3.
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
karimoverkin
: 11 июня 2017
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Фотодиод с гетероструктурой
Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны.
Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники”
Dctjnkbxyj789
: 11 февраля 2017
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
0 Фотодиод на основе р-n перехода
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника.
Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр.
Исходные данные
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемн
35 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
nvm1604
: 27 января 2016
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
9 Фоторезистор
Решение:
Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра.
В фоторезисторах используется явление изменения сопротивления вещества под действием инфракрасно
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
lebed-e-va
: 28 апреля 2015
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант 4.
Тип фотоприемника (ФП): Лавинный фотодиод
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
ART1800
: 8 мая 2013
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Заданный тип - Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикат
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: устройства оптоэлектроники. Вариант №5. (4-й семестр).
ua9zct
: 17 марта 2015
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
По условию задания, в соответствии с номером варианта (05), задан фотодиод- транзистор.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр.
По условию данные в задаче соответствуют варианту No0.
Тип ПП материала Ge
50 руб.
Другие работы
Електрифікація технологічних процесів у телятнику на 120 голів
Рики-Тики-Та
: 30 января 2012
Зміст
Вступ 4
1.Загальна характеристика виробничого об’єкта 6
2.Технологічна частина
2.1 Обгрунтування та вибір технологічного процесу 7
2.1.1Приготування та роздача кормів 9
2.1.2Розрахунок водопостачання в телятнику 9
2.1.3Прибирання гною в телятнику
55 руб.
Вариант №4. Теория электромагнитной совместимости радиоэлектронных средств и систем. Курсовая работа
rmn77
: 16 сентября 2019
Вариант 4. Теория электромагнитной совместимости радиоэлектронных средств и систем. Курсовая работа
«Определение параметров сети наземного телевизионного вещания»
Задание на курсовую работу
По методике МСЭ-Р определить для цифровой наземной телевизионной сети:
1. Требуемое значение минимальной напряженности поля в точке приёма Е, дБмкВ/м.
2. радиус зоны обслуживания Rз, км, цифрового телевизионного вещательного передатчика;
3. координационное расстояние Rк, км, между двумя одинаковыми телевизи
120 руб.
Социология кейс
Mega1
: 18 июля 2020
Кейс
Ситуация № 1
На предприятии многие специалисты курят. Для того чтобы сделать «перекур» требуется пройти через всё здание в специально отвёдённое место во дворе строения. Этот переход занимает от 6 до 8 минут. Ко всему средний процесс курения составлял около 7 минут. Для того чтобы вернуться на своё рабочее место требуется ещё от 6 до 8 минут. Для того, чтобы решить проблему курения на предприятии специалисту Петру Смирнову руководитель организации дал задание провести социологическое иссл
350 руб.
Программно-конфигурируемые сети Контрольная работа Вариант 1
sibguti-help
: 22 октября 2024
Задание
1. Вариант задания определить двумя последними цифрами пароля. Если число, образованное этими цифрами, превышает 25, то номер вариант определяется суммой двух последних цифр пароля.
2. Построить модель замкнутой однородной СеМО, узлами которой являются узлы инфокоммуникационной системы, топология и параметры которой заданы в таблице 3.
Примечание 2: каналы, связывающие сетевые устройства, не моделируются узлами СеМО, но количество прилегающих к каждому устройству линий связи должно соот
750 руб.