Экзамен по дисциплине: Электроника. (Вариант см. задание)

Цена:
100 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 4726144A-6006-44B7-BB4E-E976F1D77D5C.rar [ 170 KB ]
material.view.file_icon Экзамен.doc [ 376 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».

1. Параметры полевого транзистора.

2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.

3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электроника
Вид работы: Экзамен
Оценка: Отлично
Дата оценки: 09.10.2016
Рецензия:Уважаемый С*
Игнатов Александр Николаевич

Похожие материалы

Экзамен по дисциплине: Электроника
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажи
******* Не известно Электроника Работа Экзаменационная
User oksana111 : 24 июля 2014
300 руб.
Экзамен по дисциплине "Электроника".
1.Дифференциальные Y-параметры полевых транзисторов. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 2.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ и пока
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User corner : 21 февраля 2013
150 руб.
Экзамен по дисциплине "Электроника".
Экзамен по дисциплине: Электроника
Экзаменационные вопросы: 1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характери-стики (ОУ). 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Ekaterina-Arbanakova : 11 февраля 2013
250 руб.
Экзамен по дисциплине: электроника.
Экзамен. По дисциплине: электроника. 1.Работа биполярных и полевых транзисторов с нагрузкой. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики Принципиальная схема базового элемента ДТЛ микросхемы. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User женя68 : 10 мая 2011
56 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника. СИБГУТИ. ДО
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встрое
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Rufus : 26 мая 2016
200 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника. СИБГУТИ. ДО
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Параметры полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером. Приведите в
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User dubhe : 7 марта 2015
300 руб.
promo
Экзамен по дисциплине «Электротехника и электроника»
1. Применение генераторов тока в ОУ. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необ
Электротехника СибГУТИ Работа Экзаменационная
User Hanifa : 3 октября 2012
70 руб.
Экзамен по дисциплине: « Электротехника и электроника»
1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ). 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные ха
СибГУТИ Билеты экзаменационные Электроника промышленная
User Dusya : 20 октября 2011
250 руб.

Другие работы

Распределенные системы. вариант №7
1. Выполнить установку необходимых системных и служебных программ и инструментальных средств для реализации облачных вычислений. 2. Создать проект облачного решения и изучить особенности его запуска и контроля состояния при помощи Compute Emulator. 3. Выполнить настройку хранилища данных Windows Azure Table, создать хранилище с простой структурой данных и добавить в него исходные данные. 4. Разработать хранилище Windows Azure Table с реляционной структурой данных; создать приложение, обеспечива
ДО СИБГУТИ Распределенные системы и технологии Работа Контрольная
User страстный : 28 августа 2020
1750 руб.
Распределенные системы. вариант №7
Совершенствование технологического процесса изготовления корпуса редуктора
СОДЕРЖАНИЕ Введение……………………………………………………………………… 4 1 Анализ исходных данных. Цель и задачи проекта……………………… 5 2 Совершенствование технологического процесса……………………….. 13 2.1 Анализ технологичности детали………. 13 2.2 Выбор метода получения заготовки ……………………………….. 13 2.3 Определение типа производства……………………………………. 14 2.4 Определение общих припусков……………………………………. 15 2.5 Выбор оборудования и определение его характеристик…………… 22 2.6 Расчет режимов резания…………………………..………………… 26 2
Диплом и связанное с ним Технология машиностроения
User Рики-Тики-Та : 4 декабря 2012
825 руб.
Антенно-фидерные устройства СВЧ диапазона- АФУ СВЧ. Вариант 37. СибГути. Заочно ускоренное обучение
Вариант 37 1.Линейная антенная решетка состоит из n (табл. 1) ненаправленных (изотропных) излучателей, которые расположены на расстоянии d1; друг от друга. Излучатели питаются синфазными токами одинаковой амплитуды. D1=0.45 n=8 ф1=35 2б. Антенна в виде параболоида вращения имеет угол раскрыва ψ0 (табл. 3) и коэффициент направленного действия Д (табл. 3) при длине волны λ и коэффициенте использования поверхности ν = 0.5. Необходимо определить: а) радиус раскрыва антенны R0 б) фокусное расстояние
СибГУТИ Антенно - фидерные устройства Работа Контрольная
User TheMrAlexey : 11 июня 2017
50 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Направляющие системы электросвязи. Билет: №13
1. Модовая дисперсия. 2. Электрооптические коммутаторы. 1. Модовая дисперсия. Модовая дисперсия связана с различным временем прохождения участка волокна световых мод, двигающихся по разным траекториям. В пределах числовой апертуры в многомодовое волокно может быть введено несколько сотен разрешенных мод. Все они будут распространяться по различным траекториям, имея различное время прохождения от источника до приемника. Суммарный импульс, полученный приемником сигнала, оказывается сильно растянут
Направляющие системы электросвязи СибГУТИ Работа Экзаменационная
User natin83 : 13 мая 2015
150 руб.
up Наверх