Экзамен по дисциплине: Электроника. (Вариант см. задание)

Цена:
100 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 4726144A-6006-44B7-BB4E-E976F1D77D5C.rar [ 170 KB ]
material.view.file_icon Экзамен.doc [ 376 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».

1. Параметры полевого транзистора.

2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.

3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электроника
Вид работы: Экзамен
Оценка: Отлично
Дата оценки: 09.10.2016
Рецензия:Уважаемый С*
Игнатов Александр Николаевич

Похожие материалы

Экзамен по дисциплине: Электроника
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажи
******* Не известно Электроника Работа Экзаменационная
User oksana111 : 24 июля 2014
300 руб.
Экзамен по дисциплине "Электроника".
1.Дифференциальные Y-параметры полевых транзисторов. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 2.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ и пока
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User corner : 21 февраля 2013
150 руб.
Экзамен по дисциплине "Электроника".
Экзамен по дисциплине: Электроника
Экзаменационные вопросы: 1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характери-стики (ОУ). 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Ekaterina-Arbanakova : 11 февраля 2013
250 руб.
Экзамен по дисциплине: электроника.
Экзамен. По дисциплине: электроника. 1.Работа биполярных и полевых транзисторов с нагрузкой. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики Принципиальная схема базового элемента ДТЛ микросхемы. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User женя68 : 10 мая 2011
56 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника. СИБГУТИ. ДО
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встрое
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Rufus : 26 мая 2016
200 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника. СИБГУТИ. ДО
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Параметры полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером. Приведите в
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User dubhe : 7 марта 2015
300 руб.
promo
Экзамен по дисциплине «Электротехника и электроника»
1. Применение генераторов тока в ОУ. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необ
Электротехника СибГУТИ Работа Экзаменационная
User Hanifa : 3 октября 2012
70 руб.
Экзамен по дисциплине: « Электротехника и электроника»
1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ). 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные ха
СибГУТИ Билеты экзаменационные Электроника промышленная
User Dusya : 20 октября 2011
250 руб.

Другие работы

Осуществление Москвой столичных функций
«Столицей Российской Федерации является город Москва. Статус столицы устанавливается федеральным законом» (из Конституции РФ). Что подразумевается под статусом столицы? Как определяются, устанавливаются и материализуются столичные функции? Чем измеряется или оценивается степень их выполнения? Как методами градостроительного планирования городские власти и разработчики Генплана могут способствовать осуществлению Москвой столичных функций? Вопросы, связанные со «столичностью» города, в течение мн
Рефераты География
User elementpio : 26 августа 2013
Выпускная квалификационная работа. Использование протоколов семейства SIGTRAN на оборудование Элтекс при взаимодействии сетей ТФОП и IP
Использование протоколов семейства SIGTRAN на оборудование Элтекс при взаимодействии сетей ТФОП и IP Целью работы является: Разработка проекта учебной сети SIGTRAN, монтаж оборудования на полигоне новой техники. Разработка методических указаний. Решаемые задачи: Разработанные решения позволяют на кафедре МЭС и ОС создать новый учебный кластер для совершенствования технических навыков обучаемых. Основные результаты: Был разработан и реализован проект учебной сети SIGTRAN, произведен монтаж и нас
Диплом и связанное с ним СибГУТИ Дипломные проекты
User const30 : 8 августа 2018
1200 руб.
Математическое моделирование телекоммуникационных устройств и систем: Контрольная работа, вариант №2
Первая задача: для проверки умений использования численных методов моделирования необходимо решить элементарную оптимизационную задачу по выбору наилучшего сигнала (из двух вариантов) для канала на основе кабельной линии. Задача No1 Имеется кабельная линия связи с известной импульсной реакцией, заданной следующей последовательностью временных отсчетов. Эти временные отсчеты представлены в следующей таблице: No отсчета импульсной реакции 1 2 3 4 5 Величина отсчета 0,2 0,8 0,4 0,24 0,08 Из двух в
ДО СИБГУТИ Математическое моделирование Работа Контрольная
User Garrrik : 27 июля 2020
600 руб.
Контрольная работа. Дискретная математика. вариант 5
Контрольная работа Дискретная математика вариант 5 1 Задано универсальное множество и множества Найти результаты действий a) - д) и каждое действие проиллюстрировать с помощью диаграммы Эйлера-Венна. II. Ввести необходимые элементарные высказывания и записать логической формулой следующее предложение. “Если Петр - отец Павла, а Павел - отец Ивана, то Петр - дед Ивана”. III. Для булевой функции найти методом преобразования минимальную ДНФ. По таблице истинности построить СКНФ. По минимальной
ДО СИБГУТИ Работа Контрольная Дискретная математика
User backardy : 19 октября 2019
200 руб.
up Наверх