Экзамен по дисциплине: Электроника. (Вариант см. задание)

Цена:
100 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 4726144A-6006-44B7-BB4E-E976F1D77D5C.rar [ 170 KB ]
material.view.file_icon Экзамен.doc [ 376 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».

1. Параметры полевого транзистора.

2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.

3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электроника
Вид работы: Экзамен
Оценка: Отлично
Дата оценки: 09.10.2016
Рецензия:Уважаемый С*
Игнатов Александр Николаевич

Похожие материалы

Экзамен по дисциплине: Электроника
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажи
******* Не известно Электроника Работа Экзаменационная
User oksana111 : 24 июля 2014
300 руб.
Экзамен по дисциплине "Электроника".
1.Дифференциальные Y-параметры полевых транзисторов. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 2.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ и пока
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User corner : 21 февраля 2013
150 руб.
Экзамен по дисциплине "Электроника".
Экзамен по дисциплине: Электроника
Экзаменационные вопросы: 1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характери-стики (ОУ). 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Ekaterina-Arbanakova : 11 февраля 2013
250 руб.
Экзамен по дисциплине: электроника.
Экзамен. По дисциплине: электроника. 1.Работа биполярных и полевых транзисторов с нагрузкой. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики Принципиальная схема базового элемента ДТЛ микросхемы. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User женя68 : 10 мая 2011
56 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника. СИБГУТИ. ДО
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встрое
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Rufus : 26 мая 2016
200 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника. СИБГУТИ. ДО
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Параметры полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером. Приведите в
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User dubhe : 7 марта 2015
300 руб.
promo
Экзамен по дисциплине «Электротехника и электроника»
1. Применение генераторов тока в ОУ. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необ
Электротехника СибГУТИ Работа Экзаменационная
User Hanifa : 3 октября 2012
70 руб.
Экзамен по дисциплине: « Электротехника и электроника»
1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ). 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные ха
СибГУТИ Билеты экзаменационные Электроника промышленная
User Dusya : 20 октября 2011
250 руб.

Другие работы

Контрольная работа по метматической логике и теориии алгоритмов. Вариант №17
1. Проверить выводимость в исчислении высказываний методом Куайна, методом редукции и методом резолюций. 2. Пусть Омега - множество людей. На множестве Омега заданы следующие предикаты: 1. E(x, y) = И <=> x и y – один и тот же человек; 2. P(x, y) = И <=> x родитель y; 3. C(x, y) = И <=> x и y – супруги; 4. M(x) = И <=> x – мужчина; 5. W(x) = И <=> x – женщина. С использованием этих предикатов записать формулы, выражающие следующие утверждения: X – правнук 3. Привести формулу к предваренной
СибГУТИ Логика Работа Контрольная
User kiana : 22 октября 2014
50 руб.
Суицидальное поведение как общественный феномен
Оглавление Введение Виды суицида Причины суицида Методы самоубийства Признаки суицида и депрессия Отношение окружающих к потенциальному самоубийце Заключение Введение Неуклонный рост случаев самоубийств, как и попыток к их совершению, наблюдаемый в большинстве стран мира, ставит данную проблему на одно из ведущих мест в современной науки. Проблема суицидов в разные возрастные периоды находится в центре внимания как отечественных, так и зарубежных исследователей, тем более, что значитель
Психология Работа
User alfFRED : 14 октября 2013
10 руб.
Термодинамика и теплопередача СамГУПС 2012 Задача 19 Вариант 5
Азот с начальным абсолютным давлением р1 и температурой t1 вытекает в количестве 0,2 кг/c через сопло в атмосферу (барометрическое давление В=750 мм рт. ст.). Определить тип сопла, скорость истечения и выходной диаметр сопла. Истечение считать адиабатным. Скоростью на входе в сопло и потерями на трение пренебречь.
Задачи Теплотехника
User Z24 : 10 ноября 2025
150 руб.
Термодинамика и теплопередача СамГУПС 2012 Задача 19 Вариант 5
Современное состояние проблемы прогноза землетрясений
Землетрясения в провинции Шенси Одна из крупнейших природных катастроф произошла в Средние века. 23 января 1556 года на территории Китая произошло землетрясение, погубившее 830000 человек. По современным оценкам сейсмологов его магнитуда равнялась 8.OR. Наибольшие бедствия выпали на долю густонаселенной провинции Шенси, где жилища местных крестьян представляли собой пещеры, вырытые в склонах лессовых холмов.Главный толчок случился ночью, и люди оказались заживо погребенными в своих домах под сд
Рефераты Экология и защита окружающей среды
User Elfa254 : 5 сентября 2013
up Наверх