Лабораторная работа №6.8 по дисциплине: Физика (специальные главы) Тема: «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников». Вариант №3
-
Категории:
ДО СИБГУТИ, Физика , Работа Лабораторная
-
Добавлен:
29.12.2016
-
Размер:
322 KB
-
Покупок:
5
-
Добавил:
Учеба "Под ключ"
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
3C55B187-51EF-4F22-A383-D191950F297E.doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
1. Цель работы.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Теоретические сведения.
3. Описание лабораторной установки.
4. Выполнение задания
Сила тока через образец равна: 4,6 мА
5. Вывод.
6. Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln(σ) от 1/Т?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
7. Список литературы.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Теоретические сведения.
3. Описание лабораторной установки.
4. Выполнение задания
Сила тока через образец равна: 4,6 мА
5. Вывод.
6. Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln(σ) от 1/Т?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
7. Список литературы.
Дополнительная информация
Зачет без замечаний!
Дата сдачи: декабрь 2016 г.
Преподаватель: Стрельцов А.И.
Если по каким-либо причинам не примут работу, исправлю БЕСПЛАТНО.
Помогу с другим вариантом.
Выполняю работы на заказ по следующим специальностям:
МТС, АЭС, МРМ, ПОВТиАС, ПМ, ФиК и др.
E-mail: help-sibguti@yandex.ru
Дата сдачи: декабрь 2016 г.
Преподаватель: Стрельцов А.И.
Если по каким-либо причинам не примут работу, исправлю БЕСПЛАТНО.
Помогу с другим вариантом.
Выполняю работы на заказ по следующим специальностям:
МТС, АЭС, МРМ, ПОВТиАС, ПМ, ФиК и др.
E-mail: help-sibguti@yandex.ru
Похожие материалы
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Саша78
: 9 апреля 2020
Вариант 09
Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
Саша78
: 9 апреля 2020
100 руб.
Лабораторная работа №6.8 по дисциплине: Физика (специальные главы) Тема: «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников». Вариант №3
Roma967
: 7 октября 2015
1. Цель работы.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Теоретические сведения.
3. Описание лабораторной установки.
4. Выполнение задания
Сила тока через образец равна: I=4,6 мА (Вариант No3).
5. Вывод.
6. Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln(σ)
Roma967
: 7 октября 2015
250 руб.
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
chita261
: 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
Murlishka
: 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
AndrewZ54
: 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
50 руб.
Другие работы
Храмы-памятники Москвы
evelin
: 25 августа 2013
Когда автор настоящей публикации продиктовал название ее по телефону своему товарищу, тот переспросил “храмы и памятники?”. Это характерно. Понятие храм-памятник встречается чаще в узком кругу специалистов. Когда сегодня мы слышим слово “памятник”, то чаще всего представляем себе всеми любимого бронзового Пушкина, склонившего голову на главной улице города или иной скульптурный монумент. С другой стороны, если речь идет о сохранении старины, то все согласятся, что любой старый храм — тоже памятн
evelin
: 25 августа 2013
5 руб.
Физические ограничения существования планетарных систем
Lokard
: 10 августа 2013
Ньютоном доказано математически, что стабильные орбиты могут существовать только если сила обратно пропорциональна квадрату расстояния. Данное условие является безусловной, но не единственной зависимостью определяющей возможность существования планетарных систем. Кроме условия доказанного Ньютоном, планетарная система изначально должна соответствовать Законам Сохранения Энергии в частности положению об устойчивом равновесии.
Если планетарная система не соответствует Законам Сохранения Энергии, з
Lokard
: 10 августа 2013
10 руб.
Технологический комплекс оборудования для бурения скважины №5 Семиренковском газоконденсатного месторождения ГКМ с разработкой забойного демпфера гашения пульсации давления бурового раствора (второе высшее 8А1)-Дипломная работа-Оборудование для бурения не
nakonechnyy.1992@list.ru
: 2 марта 2018
Технологический комплекс оборудования для бурения скважины №5 Семиренковском газоконденсатного месторождения ГКМ с разработкой забойного демпфера гашения пульсации давления бурового раствора (второе высшее 8А1)-Дипломная работа-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин-Текст пояснительной записки выполнен на Украинском языке вы можете легко его перевести на русский язык через Яндекс Переводчик ссылка на него https://translate.yandex.ru/?lang=uk-ru или с помощью любой другой программы д
nakonechnyy.1992@list.ru
: 2 марта 2018
2603 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Системы сигнализации и коммутации в беспроводных сетях. Вариант 04
SibGOODy
: 27 апреля 2023
Задание на контрольную работу
Вариант: 04
Теоретические вопросы:
1. Функции Z-интерфейса в ТфОП (PSTN).
2. Структура и состав запросов SIP. Формат запросов. Основные заголовки.
Задание 2
Отобразить профили (стеки) протоколов в плоскости С и U от терминала до терминала, согласно схемы, приведенной на рисунке в задании. Описать назначение элементов данной схемы, а также назначение протоколов и интерфейсов.
Задание 3
Изобразить в виде диаграммы основные процедуры реализации услуг IP-телефонии д
SibGOODy
: 27 апреля 2023
1300 руб.
