Лабораторная работа №6.8 по дисциплине: Физика (специальные главы) Тема: «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников». Вариант №3

Цена:
250 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 3C55B187-51EF-4F22-A383-D191950F297E.doc [ 322 KB ]
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

1. Цель работы.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.

2. Теоретические сведения.
3. Описание лабораторной установки.
4. Выполнение задания
Сила тока через образец равна: 4,6 мА
5. Вывод.

6. Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln(σ) от 1/Т?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.

7. Список литературы.

Дополнительная информация

Зачет без замечаний!
Дата сдачи: декабрь 2016 г.
Преподаватель: Стрельцов А.И.
Если по каким-либо причинам не примут работу, исправлю БЕСПЛАТНО.
Помогу с другим вариантом.

Выполняю работы на заказ по следующим специальностям:
МТС, АЭС, МРМ, ПОВТиАС, ПМ, ФиК и др.
E-mail: help-sibguti@yandex.ru

Похожие материалы

Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Вариант 09 Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
Физика Работа
User Саша78 : 9 апреля 2020
100 руб.
Лабораторная работа №6.8 по дисциплине: Физика (специальные главы) Тема: «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников». Вариант №3
1. Цель работы. Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны. 2. Теоретические сведения. 3. Описание лабораторной установки. 4. Выполнение задания Сила тока через образец равна: I=4,6 мА (Вариант No3). 5. Вывод. 6. Контрольные вопросы 1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника. 2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln(σ)
СибГУТИ Физика Работа Лабораторная
User Roma967 : 7 октября 2015
250 руб.
promo
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
******* Не известно Физика Работа Лабораторная
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8 «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников» 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
СибГУТИ Физика Работа Лабораторная
User chita261 : 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Теоретические сведения и ход работы: В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно, |q+| = |q-| = e и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n Тогда (2)
СибГУТИ Работа Лабораторная Физика. Физика математическая
User Murlishka : 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10 Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы: Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
СибГУТИ Физика и энергетика Работа Лабораторная
User AndrewZ54 : 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны 2. Теоретическое введение Электропроводность материалов определяется выражением: где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
СибГУТИ Работа Лабораторная Физика. Физика математическая
User qawsedrftgyhujik : 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны ВЫВОД В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( ) Контрольные вопросы 1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника. 2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
СибГУТИ Физика. Физика математическая Работа Контрольная
User DenKnyaz : 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников

Другие работы

Антропогенные факторы и их влияние на человека и окружающую среду
Введение 1. Человек и биосфера 2. Виды, источники, уровни антропогенных факторов 3. Влияние загрязнения окружающей среды на среду обитания и ее компоненты 3.1 Атмосфера 3.2 Гидросфера 3.3 Литосфера Заключение Список использованной литературы Введение Пытаясь разобраться в проблемах воздействия человека на окружающую среду, способах защиты от негативных проявлений этого воздействия, человечество создало множество наук и научных направлений, каждое из которых оперирует своей терминологией, исполь
Рефераты Экология и защита окружающей среды
User Aronitue9 : 17 марта 2013
5 руб.
Методичка по НГ. Кривые поверхности 2018г. РУТ(МИИТ)/Кривые поверхности №3477 2012г. РУТ(МИИТ). Вариант №36.
Для обучающихся ИТТСУ, ИУИТ и ВЕЧЕРНЕГО факультета. Домашняя работа «Кривые поверхности» состоит из двух задач: Задача No1. Построение проекций линии пересечения: б) двух поверхностей (варианты задания 33÷64). Задача No2. Построение развёртки поверхности вращении вариант 36
Чертежи Начертательная геометрия РУТ (МИИТ)
User werchak : 12 февраля 2021
550 руб.
Методичка по НГ. Кривые поверхности 2018г. РУТ(МИИТ)/Кривые поверхности №3477 2012г. РУТ(МИИТ). Вариант №36.
Реферат по дисциплине Основы инфокоммуникационных технологий. 8-й Вариант
1.Общая информация о видах электросвязи 2.Конференции
СибГУТИ Рефераты Основы инфокоммуникационных технологий
User kala4ev : 6 октября 2016
70 руб.
Глобальные экономические проблемы и международное сотрудничество в их решении
ОГЛАВЛЕНИЕ Введение …………………………………………………………………………...3 Глава 1. Глобальные проблемы экономики: сущность, виды, динамика. 1.1. Причины возникновения глобальных проблем.…………………………….5 1.2. Виды и сущность глобальных проблем…………………………...…………6 Глава 2. Влияние последствий глобальных проблем на динамику развития экономики. 2.1. Влияние последствий глобальных проблем на динамику развития мировой экономики ……………………...………………………………………………….12 2.2. Влияние последствий глобальных проблем на динамику развития э
Работа Экономика
User Elfa254 : 21 февраля 2014
5 руб.
up Наверх