Лабораторная работа №6.8 по дисциплине: Физика (специальные главы) Тема: «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников». Вариант №3
Состав работы
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
1. Цель работы.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Теоретические сведения.
3. Описание лабораторной установки.
4. Выполнение задания
Сила тока через образец равна: 4,6 мА
5. Вывод.
6. Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln(σ) от 1/Т?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
7. Список литературы.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Теоретические сведения.
3. Описание лабораторной установки.
4. Выполнение задания
Сила тока через образец равна: 4,6 мА
5. Вывод.
6. Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln(σ) от 1/Т?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
7. Список литературы.
Дополнительная информация
Зачет без замечаний!
Дата сдачи: декабрь 2016 г.
Преподаватель: Стрельцов А.И.
Если по каким-либо причинам не примут работу, исправлю БЕСПЛАТНО.
Помогу с другим вариантом.
Выполняю работы на заказ по следующим специальностям:
МТС, АЭС, МРМ, ПОВТиАС, ПМ, ФиК и др.
E-mail: help-sibguti@yandex.ru
Дата сдачи: декабрь 2016 г.
Преподаватель: Стрельцов А.И.
Если по каким-либо причинам не примут работу, исправлю БЕСПЛАТНО.
Помогу с другим вариантом.
Выполняю работы на заказ по следующим специальностям:
МТС, АЭС, МРМ, ПОВТиАС, ПМ, ФиК и др.
E-mail: help-sibguti@yandex.ru
Похожие материалы
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Саша78
: 9 апреля 2020
Вариант 09
Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
100 руб.
Лабораторная работа №6.8 по дисциплине: Физика (специальные главы) Тема: «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников». Вариант №3
Roma967
: 7 октября 2015
1. Цель работы.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Теоретические сведения.
3. Описание лабораторной установки.
4. Выполнение задания
Сила тока через образец равна: I=4,6 мА (Вариант No3).
5. Вывод.
6. Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln(σ)
250 руб.
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
50 руб.
Другие работы
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физика (часть 1-я). Тема: «Изучение характеристик электростатического поля». Вариант №9
IT-STUDHELP
: 30 января 2017
Лабораторная работа № 1
«Изучение характеристик электростатического поля»
Исходные данные:
Вариант 9
Координаты первой точки: x=8 см, y=13 см;
Координаты второй точки: x=10 см, y=13 см;
Координаты третьей точки: x=12 см, y=13 см.
Цель работы:
1. Изобразить графически сечение эквипотенциальных поверхностей электростатического поля, созданного заданной конфигурацией электрических зарядов
2. Используя изображение эквипотенциальных поверхностей, построить силовые линии электростатического поля зад
300 руб.
Эффективность создания и функционирования ОАО на примере ОАО "Березовский сыродельный комбинат"
Qiwir
: 11 ноября 2013
СОДЕРЖАНИЕ
Введение
1. Современное состояние и перспективы развития молочного подкомплекса республики Беларусь
1.1 Современное состояние молочного подкомплекса Республики Беларусь
1.2 Резервы роста экономической эффективности молочной промышленности Республики Беларусь
1.3 Проблемы оптимизации сырьевых зон молокоперерабатывающих организаций
1.4 Проблемы современной молокоперерабатывающей отрасли, качество сырье и продукции
2. Организационно-экономическая характеристика
предприятия ОАО «Б
5 руб.
Расчет и проектирование сетевого оборудования NGN/IMS. Вариант №8
catdog94
: 16 марта 2016
Исходные данные варианта 8
Для четных вариантов использование кодеков следующее:
• 30% вызовов – кодек G.711
• 30% вызовов – кодек G.723 I/r
• 20% вызовов – кодек G.723 h/r
• 20% вызовов – кодек G.729A.
n = 0,5.
Поправочные коэффициенты для четного варианта:
KPSTN=1.3; KISDN=1.8; KV5=1.9; KPBX=1.8; KSHM=2
Содержание
Введение 4
Исходные данные варианта 8 5
1 Проектирование распределенного абонентского концентратора 6
1.1 Расчет шлюза доступа 6
2 Расчет оборудования распределенного транзитного
400 руб.
Гидромеханика ПетрГУ 2014 Задача 2 Вариант 31
Z24
: 8 марта 2026
Увеличение давления происходит при внезапном расширении трубы от d до D (рис. 2), которому соответствует разность показаний пьезометров Δh, установленных в сечениях трубы 1-1 и 2-2. Учитывая местные потери hм на внезапное расширение трубы, определить скорости υ1, υ2 и расход жидкости Q.
180 руб.