Курсовая работа на тему: «Разработка интегрального устройства». Вариант №68, 19

Цена:
600 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 8BE469A6-8496-44B5-973A-69E9C70B3492.docx [ 1 MB ]
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Курсовая работа по дисциплине: Электроника на тему: "Разработка интегрального аналоговго устройства" Вариант 49

Техническое задание:
Разработать принципиальную схему и выполнить расчет двухкаскадной схемы усилителя с использованием полевого и биполярного транзисторов.
Исходные данные
Uпит,В +15
Кu 10
Rвх, МОм 10
RH,к0м 2
Uном, В 3
fн, Гц 15
fв, кГц 20
Мв дБ 1
Мн дБ 1
Тип входа Н
Тип выхода С

Содержание:
Техническое задание
Введение
1. Разработка структурной схемы
2. Разработка принципиальной схемы
3. Разработка интегральной микросхемы
3.1. Выбор навесных элементов и расчет конфигурации пленочных элементов
3.2. Разработка топологии
3.3. Этапы изготовления устройства в виде гибридной интегральной микросхемы
Заключение
Список литературы

Дополнительная информация

2014, СибГУТИ,
Предмет: Электроник­а
Вид работы: Курсовая работа
Оценка: Хорошо

Похожие материалы

Курсовая работа на тему: «Разработка интегрального устройства». Вариант 45
Курсовая работа по дисциплине: Электроника на тему: "Разработка интегрального аналоговго устройства" Вариант 45 Техническое задание: Разработать принципиальную схему и выполнить расчет двухкаскадной схемы усилителя с использованием полевого и биполярного транзисторов. Исходные данные Uпит,В +15 Кu 8 Rвх, МОм 5,1 RH,к0м 10 Uном, В 3 fн, кГц 100 fв, кГц 6,3 Мв дБ 3 Мн дБ 2 Тип входа Н Тип выхода Н Содержание: Техническое задание Введение 1. Разработка структурной схемы 2. Разработка при
СибГУТИ Электроника Работа Курсовая
User Apollo : 13 января 2017
600 руб.
Курсовая работа на тему: «Разработка интегрального устройства». Вариант №49
Курсовая работа по дисциплине: Электроника на тему: "Разработка интегрального аналоговго устройства" Вариант 49 Техническое задание: Разработать принципиальную схему и выполнить расчет двухкаскадной схемы усилителя с использованием полевого и биполярного транзисторов. Исходные данные Uпит,В +15 Кu 10 Rвх, МОм 10 RH,к0м 2 Uном, В 3 fн, Гц 15 fв, кГц 20 Мв дБ 1 Мн дБ 1 Тип входа Н Тип выхода С Содержание: Техническое задание Введение 1. Разработка структурной схемы 2. Разработка принципиа
СибГУТИ Электроника Работа Контрольная
User Apollo : 13 января 2017
600 руб.
Курсовая работа на тему: «Разработка интегрального устройства». Вариант 59
Курсовая работа по дисциплине: Электроника на тему: "Разработка интегрального аналоговго устройства" Вариант 59 Техническое задание: Разработать принципиальную схему и выполнить расчет двухкаскадной схемы усилителя с использованием полевого и биполярного транзисторов. Исходные данные Uпит,В -12 Кu 8 Rвх, МОм 0,33 RH,к0м 2 Uном, В 2 fн, Гц 50 fв, кГц 10 Мв дБ 1 Мн дБ 1 Тип входа Н Тип выхода Н Содержание: Техническое задание Введение 1. Разработка структурной схемы 2. Разработка принципиа
СибГУТИ Электроника Работа Курсовая
User Apollo : 13 января 2017
600 руб.
Курсовая работа Электроника РАЗРАБОТКА ИНТЕГРАЛЬНОГО УСТРОЙСТВА Вариант 68
Цель курсовой работы Научиться: - осуществлять правильный выбор типов и структур биполярных и полевых тран-зисторов; - производить электрический расчет схем простейших устройств; - приобрести навыки в составлении топологии интегральных микросхем. Выбор варианта Номер варианта определяется двумя последними цифрами пароля, либо номер варианта задает преподаватель. Варианты заданий приведены в приложении П.1. Содержание курсовой работы Техническое задание Введение 1. Разработка структурной и принци
СибГУТИ Электроника Работа Курсовая
User Lezvix : 20 апреля 2021
200 руб.
Курсовая работа Электроника РАЗРАБОТКА ИНТЕГРАЛЬНОГО УСТРОЙСТВА Вариант 68
Курсовая работа на тему: «Разработка интегрального устройства». Вариант №24, №73
Курсовая работа по дисциплине: Электроника на тему: "Разработка интегрального аналоговго устройства" Вариант 24, 73 Техническое задание: Разработать принципиальную схему и выполнить расчет двухкаскадной схемы усилителя с использованием полевого и биполярного транзисторов. Исходные данные Uпит,В +15 Кu 5 Rвх, МОм 1 RH,к0м 2 Uном, В 3 fн, Гц 100 fв, кГц 6,3 Мв дБ 3 Мн дБ 3 Тип входа Н Тип выхода Н
СибГУТИ Электроника Работа Курсовая
User Apollo : 13 января 2017
600 руб.
Курсовая работа на тему: «Разработка интегрального устройства». Вариант №20, №69
Курсовая работа по дисциплине: Электроника на тему: "Разработка интегрального аналоговго устройства" Вариант 20, 69 Техническое задание: Разработать принципиальную схему и выполнить расчет двухкаскадной схемы усилителя с использованием полевого и биполярного транзисторов. Исходные данные Uпит,В +9 Кu 11 Rвх, МОм 4,7 RH,к0м 0,2 Uном, В 0,5 fн, Гц 50 fв, кГц 10 Мв дБ 2 Мн дБ 2 Тип входа Н Тип выхода С
СибГУТИ Электроника Работа Курсовая
User Apollo : 13 января 2017
600 руб.
Курсовая работа на тему: «Разработка интегрального устройства». Вариант №50, №01
Курсовая работа по дисциплине: Электроника на тему: "Разработка интегрального аналоговго устройства" Вариант 50, 01 Техническое задание: Разработать принципиальную схему и выполнить расчет двухкаскадной схемы усилителя с использованием полевого и биполярного транзисторов. Исходные данные Uпит,В +12 Кu 8 Rвх, МОм 2 RH,к0м 0,6 Uном, В 2 fн, Гц 20 fв, кГц 15 Мв дБ 1 Мн дБ 1 Тип входа Н Тип выхода С
СибГУТИ Электроника Работа Курсовая
User Apollo : 13 января 2017
600 руб.
Курсовая работа на тему: «Разработка интегрального устройства». Вариант №32, 81
Курсовая работа по дисциплине: Электроника на тему: "Разработка интегрального аналоговго устройства" Вариант 32, 81 Техническое задание: Разработать принципиальную схему и выполнить расчет двухкаскадной схемы усилителя с использованием полевого и биполярного транзисторов. Исходные данные Uпит,В +9 Кu 7 Rвх, МОм 1,1 RH,к0м 0,6 Uном, В 1 fн, Гц 15 fв, кГц 15 Мв дБ 2 Мн дБ 1 Тип входа Н Тип выхода Н
СибГУТИ Электроника Работа Курсовая
User Apollo : 13 января 2017
600 руб.

Другие работы

Электротехника, электроника и схемотехника (4-й сем.) Экзамен
Вопрос 1. Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов. Вопрос 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. Вопрос 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передат
Электротехника СибГУТИ Работа Экзаменационная
User tpogih : 28 января 2015
100 руб.
Лабораторная работа по дискретной математике № 2. 1-й семестр 10-й вариант
2. Отношения и их свойства. Бинарное отношение R на конечном множестве A: RÍ A2 – задано списком упорядоченных пар вида (a,b), где a,bÎ A. Требования на множество – те же, что и раньше (в нем не должно встречаться повторяющихся элементов, кроме того, оно должно быть упорядочено по возрастанию). Программа должна определять свойства заданного отношения: рефлексивность, симметричность, антисимметричность, транзитивность (по материалам главы 1, п.1.3). Проверку свойств выполнять по матрице бинарного
СибГУТИ Работа Лабораторная Дискретная математика
User Despite : 15 мая 2015
60 руб.
Виды кредитных операций и кредитов
Содержание: ВВЕДЕНИЕ……………………………………………………………………….3 1. Основные понятия кредита и кредитных отношений……………………...4 1.1. Понятие, сущность и основные функции кредита ………………..4 1.2. Субъекты и объекты кредитных отношений ……………………...6 1.3. Формы и виды кредита ……………………………………………..8 2 Экономическая необходимость краткосрочного кредитования………….16 2.1. Порядок выдачи и погашения кредита …………………………...16 2.2. Кредитная документация, кредитный договор и формы обеспечения кредита ………………………………………………………
Банковское дело и кредитование Работа Контрольная
User Aronitue9 : 31 декабря 2011
10 руб.
Тепломассообмен КГУ Курган 2020 Задача 2 Вариант 14
Определить потери теплоты в единицу времени с 1 м длины горизонтально расположенной цилиндрической трубы, охлаждаемой свободным потоком воздуха, если температура стенки трубы tc, температура воздуха в помещении tв, а диаметр трубы d. Степень черноты трубы εс = 0,9.
Задачи Теплотехника
User Z24 : 12 января 2026
200 руб.
Тепломассообмен КГУ Курган 2020 Задача 2 Вариант 14
up Наверх