Оптоэлектроника ( устройства оптоэлектроники ) Контрольная работа вариант №19
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Вариант No19
ЗАДАЧА 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Заданный тип – Фоторезистор.
ЗАДАЧА 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фото чувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Варианты и данные фотоприемников
Табл. 2.
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность, η Ширина запрещенной зоны ΔW, эВ
1 Si 0,7 1,12
ЗАДАЧА 3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего пароля (No9). Результаты оформить в виде таблицы истинности.
ЗАДАЧА 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные Вашего варианта указаны в табл. 4.
Варианты и исходные данные задачи No4.
Табл. 4.
No варианта Тип светодиода Напряжение питания Uпит, В Номинал ограничительного сопротивления, Ом
1 АЛ316А 9 680
ЗАДАЧА 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Заданный тип – Фоторезистор.
ЗАДАЧА 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фото чувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Варианты и данные фотоприемников
Табл. 2.
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность, η Ширина запрещенной зоны ΔW, эВ
1 Si 0,7 1,12
ЗАДАЧА 3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего пароля (No9). Результаты оформить в виде таблицы истинности.
ЗАДАЧА 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные Вашего варианта указаны в табл. 4.
Варианты и исходные данные задачи No4.
Табл. 4.
No варианта Тип светодиода Напряжение питания Uпит, В Номинал ограничительного сопротивления, Ом
1 АЛ316А 9 680
Похожие материалы
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант№19
58197
: 6 октября 2013
ЗАДАЧА 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Заданный тип – Фоторезистор.
ЗАДАЧА 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фото чувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней . Исходные данные для решения задачи приведены
50 руб.
Устройства оптоэлектроники
alru
: 22 сентября 2016
1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора
100 руб.
Устройства оптоэлектроники
arkadij
: 9 марта 2016
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Закон Снеллиуса.
Раздел Излучатели.
2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа
100 руб.
Устройства оптоэлектроники
arkadij
: 13 февраля 2016
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ гр.
тип ПП материала SI квантовая эфективность 0,7
Ширина запрещен-ной зоны W, эВ 1,12
500 руб.
Устройства оптоэлектроники
alyonka249
: 25 декабря 2015
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Закон Снеллиуса.
Раздел Излучатели.
2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа.
70 руб.
Устройства оптоэлектроники
женя68
: 6 декабря 2010
Контр. Раб.вариант No08.4 сем
Задача No1
Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника(ФП). Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприёмника.(фототиристор)
Задача No2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приёмника.Изобразить вид спектральной характеристики ФП и указать на ней λгр Тип ПП материала - Ge(германий)
Квантовая эффективной ŋ = 0,2 Ширина запрещённой зоны ∆W = 0,6 ЭВ.
Задача No3.
Изобразить принципиальную
80 руб.
Устройства оптоэлектроники
nat2744
: 13 ноября 2009
СибГУТИ. Контрольная работа. Вариант 10.
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника.
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответств
100 руб.
Оптоэлектроника ( устройства оптоэлектроники ) Зачет
andreyan
: 2 февраля 2017
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Закон Ламберта.
Раздел Излучатели.
2.Параметры светоизлучающего диода как компоненты электронных устройств.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Принцип работы полупроводниковых фотоприемных устройств.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Применение оптоэлектронных приборов для измерения высоких напряжений и управления устройствами большой мощности.
50 руб.
Другие работы
ООО «ЧТЗ-Уралтрак». Финансовый анализ
evelin
: 21 октября 2013
Введение............................................................................................................................................. 3
Глава 1. Организация финансового анализа ООО «ЧТЗ-Уралтрак»............................................. 5
1.1. Организация и функции финансово-экономических служб предприятия......................... 5
1.2. Общая характеристика анализа финансового состояния предприятия............................. 12
1.3. Направления анализа на предприятии О
5 руб.
Привод конвейера
kyxlik2
: 3 октября 2012
Содержание
1. Назначение устройство и область применения передач привода. 4
2. Выбор электродвигателя, разбивка общего передаточного отношения по ступеням, кинематический и силовой расчёт. 5
3. Расчёт открытых передач 8
4. Выбор материалов, назначение твёрдости, расчёт допускаемых напряжений. Расчёт геометрических параметров и проверочные расчёты зубчатых передач по напряжениям. 14
5. Разработка эскизного проекта 29
6. Проектный и проверочный расчёты валов привода 30
7. Расчет подшипников п
100 руб.
МЕТА-данные. Метки и карты изображений в HTML-документах
antikeks
: 21 мая 2014
Содержание
Введение 3
1. META-данные 4
1.1. Использование метаданных в Web-страницах 9
2. Метки и карты изображений в HTML-документах 11
Заключение 13
Список использованной литературы 14
200 руб.
Теплотехника СФУ 2017 Задача 5 Вариант 72
Z24
: 31 декабря 2026
Определить удельный лучистый тепловой поток q (Вт/м²) между двумя параллельно расположенными плоскими стенками, имеющими температуры t1 и t2 и степени черноты ε1 и ε2, если между ними нет экрана. Определить q при наличии экрана со степенью черноты εэ (с обеих сторон).
Ответить на вопросы.
Во сколько раз уменьшится тепловой поток, если принять в вашем варианте задачи εэ = ε1 по сравнению с потоком без экрана?
Для случая ε1 = ε2 определите, какой экран из таблицы 5 даст наихудший эффект, а ка
180 руб.