Лабораторная работа № 6.8 по дисциплине: Физика (часть 2-я). Тема: Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Вариант №1

Цена:
150 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon лаб№2.docx
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Вариант No1
Сила тока, мА = 3

Тема: Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников.

1. Цель работы.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны

4. Задание
1. Установить силу тока через образец в соответствии с вариантом. Записать силу тока в отчет по лабораторной работе.
2. Изменяйте температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. 3. Полученные данные занесите в таблицу в отчете по лабораторной работе.
3. Вычислить по формуле (10) электропроводности образца при всех температурах. Прологарифмировать полученные значения электропроводности.
4. Вычислите абсолютные температуры образца Т= t+273, К. Все данные занесите в таблицу измерений.
5. Построить график зависимости lns от 1/ Т.
6. На графике выбрать две точки в диапазоне температур от 400С до 800С. Определить для этих точек по графику величины lns и 1/ T и вычислить по формуле (8) ширину запрещенной зоны полупроводника.

6. Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln(σ) от 1/Т?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.




Коментарии: Коментарии: Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физика (часть 2)
Вид работы: Лабораторная работа 2
Оценка:Зачет
Дата оценки: 28.12.2016
Рецензия:Уважаемый , Ваша лабораторная работа # 4 проверена. Экспериментальный результат правильный. В ответах на контрольные вопросы ошибки не найдены.

Дополнительная информация

2016 год
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Вариант 09 Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
User Саша78 : 9 апреля 2020
100 руб.
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8 «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников» 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
User chita261 : 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Теоретические сведения и ход работы: В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно, |q+| = |q-| = e и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n Тогда (2)
User Murlishka : 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10 Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы: Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
User AndrewZ54 : 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны 2. Теоретическое введение Электропроводность материалов определяется выражением: где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
User qawsedrftgyhujik : 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны ВЫВОД В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( ) Контрольные вопросы 1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника. 2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
User DenKnyaz : 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
User vereney : 25 ноября 2010
30 руб.
Лабораторная работа №2 по дисциплине: Распределенные системы в телекоммуникациях. Вариант 24. 2023 г
АБОРАТОРНАЯ РАБОТА 2. «ОЦЕНКА ОПТИЧЕСКОГО БЮДЖЕТА МОЩНОСТИ НА ОТДЕЛЬНЫХ УЧАСТКАХ СЕТИ СВЯЗИ» Приобретение практических навыков мониторинга оптического бюджета сети. Вариант №24
User ilya2213 : 1 октября 2023
800 руб.
Лабораторная работа №2 по дисциплине: Основа передачи дискретных сообщений на тему: «Циклические коды». Вариант №7
Сколько ячеек должен содержать регистр, формирующий проверочные элементы? Сколько требуется сумматоров? Перед первой ячейкой регистра деления на образующий полином должен состоять сумматор... Перед второй ячейкой регистра деления на образующий полином должен состоять сумматор... Перед третьей ячейкой регистра деления на образующий полином должен состоять сумматор... Сколько проверочных элементов (r) должна содержать данная схема? Требуется ли перевести переключатель в положении "2"? . . . .
User loly1414 : 4 марта 2014
150 руб.
Изучение принципов формирования STM-1
1. Сколько байт содержит сверхцикл контейнера С12? 2. Скорость сигналов контейнера С12 больше скорости поступающего цифрового потока. Какой вид согласования мспользуется? (Ответ вводите прописными буквами русского алфавита) 3. Какие байты указывают на изменение полезной нагрузки в VC12? .... .... 10. Чему равна скорость передачи виртуального контейнера VС12, кбит/c? Задачи 1. На передаче исходный сигнал имеет вид: 0110101101. Будет ли передаваться сигнал FEBE, если на приеме в битах В1 и В2
User chikist : 20 декабря 2011
90 руб.
Механізація лінія для виробництва комбікорму з розробкою преса-гранулятора для ВАТ «Сквирський хлібопродукт»
ЗМІСТ Завдання на виконання дипломного проекту………………….………… Реферат ......................................................................................................... Відомість проекту……………………………………………….…………. Вступ………………………………………………………………………… 1. Аналіз виробничо-економічної діяльності господарства 1.1. Характеристика і аналіз природного та демографічного середовища 1.2. Характеристика наявних переробних підприємств в регіоні 1.3. Характеристика сировинної бази господарства та регіону 1.
User DocentMark : 27 марта 2016
440 руб.
Механізація лінія для виробництва комбікорму з розробкою преса-гранулятора для ВАТ «Сквирський хлібопродукт»
up Наверх