Лабораторная работа № 6.8 по дисциплине: Физика (часть 2-я). Тема: Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Вариант №1
Состав работы
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Вариант No1
Сила тока, мА = 3
Тема: Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников.
1. Цель работы.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
4. Задание
1. Установить силу тока через образец в соответствии с вариантом. Записать силу тока в отчет по лабораторной работе.
2. Изменяйте температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. 3. Полученные данные занесите в таблицу в отчете по лабораторной работе.
3. Вычислить по формуле (10) электропроводности образца при всех температурах. Прологарифмировать полученные значения электропроводности.
4. Вычислите абсолютные температуры образца Т= t+273, К. Все данные занесите в таблицу измерений.
5. Построить график зависимости lns от 1/ Т.
6. На графике выбрать две точки в диапазоне температур от 400С до 800С. Определить для этих точек по графику величины lns и 1/ T и вычислить по формуле (8) ширину запрещенной зоны полупроводника.
6. Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln(σ) от 1/Т?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Коментарии: Коментарии: Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физика (часть 2)
Вид работы: Лабораторная работа 2
Оценка:Зачет
Дата оценки: 28.12.2016
Рецензия:Уважаемый , Ваша лабораторная работа # 4 проверена. Экспериментальный результат правильный. В ответах на контрольные вопросы ошибки не найдены.
Сила тока, мА = 3
Тема: Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников.
1. Цель работы.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
4. Задание
1. Установить силу тока через образец в соответствии с вариантом. Записать силу тока в отчет по лабораторной работе.
2. Изменяйте температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. 3. Полученные данные занесите в таблицу в отчете по лабораторной работе.
3. Вычислить по формуле (10) электропроводности образца при всех температурах. Прологарифмировать полученные значения электропроводности.
4. Вычислите абсолютные температуры образца Т= t+273, К. Все данные занесите в таблицу измерений.
5. Построить график зависимости lns от 1/ Т.
6. На графике выбрать две точки в диапазоне температур от 400С до 800С. Определить для этих точек по графику величины lns и 1/ T и вычислить по формуле (8) ширину запрещенной зоны полупроводника.
6. Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln(σ) от 1/Т?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Коментарии: Коментарии: Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физика (часть 2)
Вид работы: Лабораторная работа 2
Оценка:Зачет
Дата оценки: 28.12.2016
Рецензия:Уважаемый , Ваша лабораторная работа # 4 проверена. Экспериментальный результат правильный. В ответах на контрольные вопросы ошибки не найдены.
Дополнительная информация
2016 год
Похожие материалы
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Саша78
: 9 апреля 2020
Вариант 09
Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
100 руб.
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
30 руб.
Другие работы
Упор 3112.018.000.000 ЧЕРТЕЖ
coolns
: 21 октября 2024
Упор 3112.018.000.000 сб
Упор 3112.018.000.000 спецификация
Упор 3112.018.000.000 3d сборка
Упор 3112.018.000.000 чертежи
Ось 3112.018.001.000
Вилка 3112.018.002.000
Ушко 3112.018.003.000
Шайба 3112.018.004.000
Корпус сварной 3112.018.100.000 сб
Корпус сварной 3112.018.100.000 спец
Проушина 3112.018.101.000
Плита верхняя 3112.018.102.000
Основание 3112.018.103.000
РАСЧЕТ РЕЗЬБОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ
1 Расчет болтового соединения
1.1 Действительное и упрощенное изображение болтового соединения
2 Расче
800 руб.
Теплотехника Задача 3.20 Вариант 68
Z24
: 7 ноября 2025
Состав газовой смеси, представляющей собой продукты сгорания топлива, задан (табл.1) объемными долями компонентов в процентах.
Определить:
1 Молекулярную массу и газовую постоянную смеси.
2 Удельный объем и плотность смеси при нормальных условиях.
3 Среднюю мольную, массовую и объемную теплоемкости смеси при постоянном давлении в интервале температур от 0 до t1,ºC и от 0 до t2,ºC.
4 Энтальпию 1 смеси при температуре t1 и t2,ºC.
5 Теплоту, отданную 1 кг смеси при изобарном охла
200 руб.
Экзаменационный билет По дисциплине: Операционные системы реального времени. Билет №1. 2022г.
Alexey312451
: 16 марта 2024
Экзаменационный билет No 1
1. Дать описание конкретных действий, которые выполняет приведённый ниже программный запрос с заданными фактическими параметрами:
h = CreateFileMapping (1000, 0, PAGE_READONLY, 0, 4096, 0);
2. Сформулировать основные различия между понятиями "процесс" и "нить" (вычислительная работа, пространство памяти, механизм создания).
3. Написать фрагмент программы, посылающий некоторой нити сообщение 12345 каждую секунду. Как можно остановить работу этой программы?
4.
100 руб.
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Технологии разработки программного обеспечения. Вариант 3
Учеба "Под ключ"
: 2 августа 2026
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №1
Тема: Установка и настройка Linux
Цель: Освоение техники установки ОС Linux и ее компонентов, изучение системных команд и команд работы с файлами и каталогами, распределение прав доступа в Linux и основы написание bash скриптов. Освоение работы с текстовыми файлами, процессами. Изучение настройки сети в Linux, освоение работы с пакетными менеджерами, установка периодических заданий через cron и подключение по SSH.
Вариант: 3
В ходе выполнения лабораторной работы бы
400 руб.