Теория электрических цепей (часть 2) Лабораторные работы №4,5,6, вариант 3.

Цена:
89 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon
material.view.file_icon
material.view.file_icon
material.view.file_icon

Описание

Лаб работа№4
Исследование реактивных двухполюсников.


Цель работы:
Исследование зависимости входного сопротивления реактивного двухполюсника от частоты.

Подготовка к выполнению работы:
При подготовке к работе необходимо изучить теорию реактивных двухполюсников, методы их анализа и синтеза (параграфы 4.5 и 16.6 электронного учебника).

Экспериментальная часть:


1. Соберем схему реактивного двухполюсника (рисунок 1а, 1б).
E= 1 В, f= 1кГц, R0 = 10 кОм, L1 = L2 = 1 мГн, C1 = 63,536 нФ,
С2 = 15,831 нФ, С = (100+3x5)=115 нФ.


лаб работа №5
Исследование пассивных четырехполюсников

Цель работы:

Экспериментальное исследование свойств пассивных линейных четырехполюсников.

Подготовка к выполнению работы:

При подготовке к работе необходимо усвоить типы четырехполюсников, уравнения передачи в различных формах, параметры-коэффициенты, характеристические параметры, рабочие меры передачи, методы их расчета (глава 12 электронного учебника).

Экспериментальная часть:

1. Схему пассивного резистивного четырехполюсника (рисунок 1а и 1б)

Е = 10 В, f = 1 кГц,
R1 = 100 Ом, R2 = 200 Ом, R3 = 300 Ом, R4 = 130 Ом


Лаб работа №6
Исследование амплитудных корректоров.



Цель работы:

Исследование частотной характеристики ослабления пассивного однозвенного амплитудного корректора второго порядка и активного однозвенного корректора первого порядка.

Подготовка к выполнению работы:

При подготовке к работе изучить теорию амплитудных и фазовых корректоров, методы расчета элементов и частотных характеристик (глава 18 электронного учебника).

Исследование пассивного однозвенного амплитудного корректора.
Экспериментальная часть:


1. Схема амплитудного корректора (рис. 1)

Дополнительная информация

зачет
Лабораторная работа №№ 4-6 Теория электрических цепей (часть 2-я). Вариант №3
Л4 1. Цель работы Исследование зависимости входного сопротивления реактивного двухполюсника от частоты. 2. Подготовка к выполнению работы При подготовке к работе необходимо изучить теорию реактивных двухполюсников, методы их анализа и синтеза (параграфы 4.5 и 16.6 электронного учебника). 3. Экспериментальная часть 3.1. Соберем схему реактивного двухполюсника (Рис. 1а, 1б). E = 1 В, f = 1кГц, R0 = 10 кОм, L1 = L2 = 1 мГн, C1 = 63,536 нФ, С2 = 15,831 нФ, С = 115 нФ. Л5 1. Цель работы Экспериме
User lisii : 23 марта 2019
75 руб.
Лабораторная работа №4 по дисциплине: Теория электрических цепей (часть 2-я). Вариант №3
Лабораторная работа №4 Тема: "Исследование реактивных двухполюсников" 1. Цель работы: Исследование зависимости входного сопротивления реактивного двухполюсника от частоты. 2. Подготовка к выполнению работы При подготовке к работе необходимо изучить теорию реактивных двухполюсников, методы их анализа и синтеза (параграфы 4.5 и 16.6 электронного учебника). 3. Экспериментальная часть 3.1. Соберем схему реактивного двухполюсника (см. рисунок 1), изображенного по 1-й форме Фостера. Установим: E =
User SibGOODy : 22 марта 2018
400 руб.
promo
Лабораторная работа № 4 по дисциплине: Теория электрических цепей (часть 2-я)
ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ ВХОДНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ РЕАКТИВНОГО ДВУХПОЛЮСНИКА ОТ ЧАСТОТЫ 1. Цель работы. Исследование зависимости входного сопротивления реактивного двухполюсника от частоты. 2. Подготовка к выполнению работы. При подготовке к работе необходимо изучим теорию реактивных двухполюсников, формы изображения, методы синтеза. 3. Экспериментальная часть. 3.1. Соберем схему реактивного двухполюсника (рис. 12, а), изображенного по 1-й форме Фостера. Установить: Е = 1 В, f = 1 кГц, R0
User lebed-e-va : 5 мая 2015
100 руб.
Лабораторные работы №4-6. Теория электрических цепей. Часть 2. Вариант 3. (2019)
Лабораторные работы №4-6. Теория электрических цепей. Часть 2. Вариант 3. (2019) Лабораторная работа № 4 Исследование реактивных двухполюсников Цель работы Исследование зависимости входного сопротивления реактивного двухполюсника от частоты. Подготовка к выполнению работы При подготовке к работе необходимо изучить теорию реактивных двухполюсников, методы их анализа и синтеза (параграфы 4.5 и 16.6 электронного учебника). Теоретическое исследование Исследовать работу схемы реактивного двухпол
User rmn77 : 3 октября 2019
140 руб.
Лабораторные работы №№4-6 по дисциплине: Теория электрических цепей (часть 2-я). Вариант №3
Лабораторная работа №4 Тема: "Исследование реактивных двухполюсников" 1. Цель работы: Исследование зависимости входного сопротивления реактивного двухполюсника от частоты. 2. Подготовка к выполнению работы При подготовке к работе необходимо изучить теорию реактивных двухполюсников, методы их анализа и синтеза (параграфы 4.5 и 16.6 электронного учебника). 3. Экспериментальная часть 3.1. Соберем схему реактивного двухполюсника (см. рисунок 1), изображенного по 1-й форме Фостера. Установим: E = 1В,
User SibGOODy : 22 марта 2018
1100 руб.
promo
1500 руб.
Теория электрических цепей часть 2.Лабораторная работа №4.Вариант 02
1. Цель работы Исследование зависимости входного сопротивления реактивного двухполюсника от частоты. 2. Подготовка к выполнению работы При подготовке к работе необходимо изучить теорию реактивных двухполюсников, методы их анализа и синтеза (параграфы 4.5 и 16.6 элек-тронного учебника). 3. Экспериментальная часть 3.1. Схема реактивного двухполюсника (рисунок 1, 2). E= 1 В, f = 1кГц, R0 = 10 кОм, L1 = L2 = 1 мГн, C1 = 63,536 нФ, С2 = 15,831 нФ, С = 110 нФ. Рисунок 1 - Схема реактивно
User кайлорен : 2 декабря 2019
200 руб.
Теория электрических цепей (часть 2). Лабораторная работа №4. Вариант: 07
Лабораторная работа № 4 Исследование реактивных двухполюсников 1. Цель работы Исследование зависимости входного сопротивления реактивного двухполюсника от частоты Исследовать работу схемы реактивного двухполюсника, реализованного по 1-й форме Фостера (рисунок 4.1, а). Задать E = 1 В, R0 = 10 кОм, L1 = L2 = 1 мГн, C1 = 63,536 нФ, С2 = 15,831 нФ, С = (100+Nx5) нФ, где N- номер варианта (последняя цифра пароля).
User seka : 10 июня 2019
80 руб.
Место оффшорного бизнеса в системе международных экономических отношений
Введение………………………………………………………………………………………...3 Глава 1. Место оффшорного бизнеса в системе международных экономических отношений Развитие оффшорных зон и оффшорного бизнеса…...................6 1.2. Классификация оффшорных юрисдикций и оффшорных компаний…………………………………………............................13 1.3. Процесс регистрации оффшорных компаний ….......................20 Глава 2. Механизм функционирования и регулирования оффшорного бизнеса 2.1. Механизм функционирования оффшорного бизнеса……...
User alfFRED : 20 ноября 2013
10 руб.
Контрольная работа по базе данных. Вариант №8
Задание №1 Задана окружность с центром в точке O(0,0) и радиусом R_0 и прямая y=ax+b. Определить, пересекаются ли прямая и окружность. Если пересекаются, найти точку пересечения. Задание №2 Вводится последовательность из N произвольных чисел. Найти наибольшее число в последовательности. Если таких чисел несколько, определить, сколько их Задание №3 Для хранения координат точки на плоскости используется тип данных TCoord. Для четырех точек, заданных своими координатами, определить, являются
User Анастасия66 : 13 мая 2017
200 руб.
Основні риси та якості педагога в сучасній школі
За словами видатного педагога К.Д.Ушинського вчитель відіграє у навчанні і вихованні вирішальну роль, що його (вчителя) особистість впливає на дитячу свідомість набагато більше, ніж це можна досягнути іншими методами. Тож я спробую визначити в своєму рефераті основні якості особистості вчителя. До цієї теми зверталося чимало вчених, педагогів. Всі вони по своєму бачили ці риси, але в цілому їхні погляди мали один характер, ніби доповнювали один одного. Школі сьогодення потріб
User evelin : 24 октября 2013
10 руб.
Проектирование железобетонных подпорных стен уголкового профиля
Содержание. 1. Исходные данные 1.1Конструкция подпорной стены. 1.2 Инженерно-геологические условия площадки. 2. Анализ инженерно – геологических условий площадки. 3. Глубина заложения стены. 4. Расчет подпорной стены и ее грунтового основания по предельным состояниям. 4.1 Общие положения. 4.2 Определение активного давления грунта. 4.2.1 Активное давление от действия веса грунта засыпки. 4.2.2 Давление грунта на стену от внешней нагр
User Рики-Тики-Та : 14 июня 2012
55 руб.
up Наверх