Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon ФОЭ.doc

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Задача 1. Вариант 4.

Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1.
№ вар.  Тип БТ  ЕК, В RН, Ом IБ0, мкА  IБМ, мкА  f, МГц | H|  t К, пc
4  КТ605А  12  240  500  250  20  2,25  240

По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом.
Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току , напряжению и мощности и входное сопротивление усилителя . Найти полезную мощность в нагрузке , мощность, рассеиваемую в коллекторе , потребляемую мощность и коэффициент полезного действия .
Физические основы электроники
Задача 1 По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора; в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
User erboollat : 21 июня 2020
120 руб.
Физические основы электроники
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Отчет по работе: СНЯТИЕ ВОЛЬТАМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ДИОДОВ Д7Ж И Д220 ПРИ ПРЯМОМ ВКЛЮЧЕНИИ. Схемы для снятия характеристик диодов в прямом направлении приведены на рисунках: 1а и 1б
User erboollat : 21 июня 2020
100 руб.
Физические основы электроники
Электрические свойства полупроводников (ПП). Собственные и примесные ПП. Их электропроводность 2. Входные и выходные характеристики БТ в схеме с ОБ. Схема для снятия характеристик. Вид характеристик и их объяснение.
User erboollat : 21 июня 2020
130 руб.
Физические основы электроники
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА 1. Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора. Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой и общим эмиттером. 2. Отчет о работе ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА ДЛЯ СХЕМЫ С ОБЩЕЙ БАЗОЙ. На рисунке 1 приведена принципиальная схема для транзистора n-p-n для исследования его входных и выходных характеристик с общей базой.
User erboollat : 21 июня 2020
100 руб.
Физические основы электроники
Контрольная работа По дисциплине: Физические основы электроники Выполнил: Титова Ю.В. Группа: Т-61в Вариант: №01 Проверил: Савиных Валерий Леонидович Задача 1 По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, опреде
User Yuliyatitova : 1 апреля 2020
300 руб.
Физические основы электроники
Согласно номера варианта и статических характеристик биполярного транзистора выполнить графоаналитические расчеты для усилительного каскада по схеме с общим эмиттером (ОЭ) : а) записать исходные данные: марка транзистора КТ819 тип транзистора Биполярный напряжение источника питания коллекторной цепи ЕК =9 В; активное сопротивление нагрузки RН = 1,2 Ом; постоянная составляющая тока базы IБ0 =120мА; амплитудное значение переменной составляющей тока ( амплитуда усиливаемого сигнала) IБm = 100
User Фрося : 25 февраля 2020
1000 руб.
« Физические основы электроники »
Комплексное задание по дисциплине « Физические основы электроники » . 1. Содержание задач комплексного задания Задача №1. Согласно номера варианта и статических характеристик биполярного транзистора выполнить графоаналитические расчеты для усилительного каскада по схеме с общим эмиттером (ОЭ) : а) записать исходные данные: марка транзистора ________ тип транзистора ___________ напряжение источника питания коллекторной цепи ЕК =____В; активное сопротивление нагрузки RН = ______ Ом; постоянн
User Фрося : 25 февраля 2020
900 руб.
Физические основы электроники
2 вариант 1,2,3 лабораторные работы 1,2,3 лабораторные работы,2019 год 1 Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2 ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА. Цель работы Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). 3
User kombatowoz : 7 декабря 2019
200 руб.
Метрология, стандартизация, сертификация. Вариант №4
Выполнение контрольной работы позволяет усвоить основные понятия в области метрологии, определить исполнительные размеры калибров, оценить годность контрольно-измерительного приспособления методом расчета на точность. РПЗ Содержание Введение.................................................................................... 3 1 Расчет предельных и исполнительных размеров предельных калибров для гладких цилиндрических деталей................................................... 4 1.1 Расчет ка
User edd : 6 апреля 2013
100 руб.
Метрология, стандартизация, сертификация. Вариант №4
Шпоры для экзамена по микропроцессорным средствам
Специальность: Автоматизация технологических процессов и производств. Астраханский государственный технический университет, Астрахань, 2009. Структурная схема типового микропроцессора. Микро- ЭВМ 8086. Интерфейс. Определение интерфейса. Состав микропроцессорного комплекта. Микропроцессорный управляющий вычислительный комплекс. (МУВК). Язык ассемблера. Многокристальные секционированные микропроцессоры. Умножение двоичных чисел. Система команд МП КР580 ИК80. и т.д.
User alfFRED : 19 февраля 2015
20 руб.
Клапан 3D МЧ00.25.00.00
Учебник Боголюбов С.К. - "Чтение и деталирование сборочных чертежей" 3D модель Клапан МЧ00.25.00.00.
User megaassistant : 16 марта 2018
180 руб.
Клапан 3D МЧ00.25.00.00
Общественный и государственный строй Древней Спарты
План Введение. ....... 2 - 4 Становление Спартанского государства. ....... 5 - 17 1.1 Географическое положение древней Спарты. ....... 5 - 7 1.2 Миграция дорийских племен и завоевание Пелопоннеса. .. 8 - 12 1.3 Сложение социальных классов. ....... 12 - 17 2. Политический строй Спартанского государства. ....... 18 - 26 2.1 Царская власть. ....... 18 - 22 Герусия. ....... 23 Апелла. ....... 24 Эфорат. ....... 25 - 26 Общественный строй Спарты. ....... 27 - 31 Ар
User Slolka : 5 сентября 2013
10 руб.
up Наверх