Устройства оптоэлектроники.Контрольная работа Вариант: 04

Цена:
100 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon Контрольная работа.doc

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Задача No1.
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант 4: Лавинный фотодиод.
Задача No2.
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр.
Вариант 0:
Тип ПП материала: Ge;
Квантовая эффективность η=0,2;
Ширина запрещенной зоны ΔW=0,6 эВ;
Задача No3.
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего пароля (4).
Задача No4.
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр. Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Вариант 0:
Тип светодиода: АЛ102В;
Напряжение питания: Uпит = 5 В;
Номинал ограниченного сопротивления: Rогр = 510 Ом.

Дополнительная информация

сдача 2017г. Зачет
Устройства оптоэлектроники, Контрольная работа. вариант №18
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Задача 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней . Исходные данные: Таблица 1. Вариант Тип ПП материала Si Квантовая эфф
User Sibur54 : 16 марта 2019
150 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Исходные данные (вариант 01): Вариант 1 Тип фотоприемника (ФП) 1 Фотодиод со структурой p-i-n
User Gila : 17 января 2019
200 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант 07.
Задача №1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. (Фототранзистор) Задача №2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность фотоприемника. Изобразить вид спектральной характеристики и указать на ней . Данные берем из таблицы 1. Таблица 1 Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность Ширина запрещенной зоны 0 Ge 0,2 0,6 Задача №3 Изобразить принципиальную схему вк
User seka : 11 ноября 2018
70 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант 07.
Устройство оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант №9
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2. Таблица 2. Варианты и данные фотоприемников Вариант Тип ПП материала Квантовая эффектив-ность, Ширина запрещен-
User Rufus : 11 октября 2017
90 руб.
Устройство оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант 05
Задача No 1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Вариант Тип фотоприемника (ФП) 05 Фотодиод - транзистор Задача No 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр. Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность, h Ширина запрёщенной зоны ∆W, эВ 0 CdS 0,4 2,5
User ElenaA : 23 октября 2016
70 руб.
Устройство оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант 05
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант №12
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Для варианта 12 - фотодиод с барьером Шоттки. Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2. Таблица 2. Варианты и данные фотоприемников Вариант
User rahatlukum1 : 13 августа 2016
250 руб.
Устройства оптоэлектроники, Контрольная работа, Вариант 01
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Исходные данные (вариант 01): Вариант Тип фотоприемника (ФП) 1 Фотодиод со структурой p-i-n Задача № 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней . Исходные данные (вариант 01): Вариант Тип ПП материалы Квантовая эффек
User Александр495 : 15 мая 2016
180 руб.
Устройство оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант №2.
Вариант 02 1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Фотодиод с барьером Шоттки 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2. Ge 0,2 0,6 3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводниковог
User Антон133 : 3 апреля 2016
150 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Теория электрических цепей (часть 1). Билет №12
Билет № 12 по курсу ТЭЦ 1. Полиномиальная (степенная) аппроксимация ВАХ нелинейного элемента. Расчет спектрального состава реакции нелинейной цепи на гармоническое воздействие. 2. Задача. Дано (схему см. на скрине). E=40 В, R=20 Ом, L=10 мГн, C=25 мкФ Проанализировать и качественно построить график ic(t). 3. Задача. Схема и график входного напряжения (см. скрин). R=100 Ом, C=125 мкФ, Um=25 В, t1=20 мс, t2=40 мс. Найти пеерходную характеристику gu(t). Записать в общем виде uвых(t).
User Учеба "Под ключ" : 2 февраля 2018
600 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Теория электрических цепей (часть 1). Билет №12
Профессиональное самоопределение на разных этапах развития личности
Глава Ι Теоретические аспекты изучения особенностей профессионального самоопределения на разных этапах развития личности. 1.1. Основные подходы к определению понятия «профессиональное самоопределение». стр. 6 - 9 1.2. Особенности профессионального самоопределения на разных этапах развития личности. стр. 10 - 15 1.3. Профессиональное самоопределение старшеклассников.
User alfFRED : 11 октября 2013
5 руб.
Современная экономическая модель Индии - особенности и перспективы
Содержание. Введение…………………………………………………………………………….……………3 Общие показатели…………………………………………………………………..……………4 Сельское хозяйство…………………………………………………………………………..…..6 Промышленность………………………………………………………………………………...8 Внешняя торговля………………………………………………………………………………..9 Финансовый сектор………………………………………………………………………….....10 Проблемы индийской экономики……………………………………………………………..11 Заключение………………………………………………………………………………...……12 Список использованной литературы……………………...…………………………………..13 Введение За
User Lokard : 5 ноября 2013
10 руб.
Экзамен по радиосвязи
1. Назовите основные технические показатели радиопередатчиков. 2. В чем заключается принцип синхронизации далеко расположенных друг с другом источников видеосигнала?
User marvredina : 17 апреля 2016
50 руб.
up Наверх