Устройства оптоэлектроники.Контрольная работа Вариант: 04
-
Категории:
СибГУТИ, Устройство оптоэлектроники, Работа Контрольная
-
Добавлен:
09.04.2017
-
Размер:
120 KB
-
Покупок:
1
-
Добавил:
agentorange
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Контрольная работа.doc
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача No1.
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант 4: Лавинный фотодиод.
Задача No2.
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр.
Вариант 0:
Тип ПП материала: Ge;
Квантовая эффективность η=0,2;
Ширина запрещенной зоны ΔW=0,6 эВ;
Задача No3.
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего пароля (4).
Задача No4.
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр. Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Вариант 0:
Тип светодиода: АЛ102В;
Напряжение питания: Uпит = 5 В;
Номинал ограниченного сопротивления: Rогр = 510 Ом.
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант 4: Лавинный фотодиод.
Задача No2.
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр.
Вариант 0:
Тип ПП материала: Ge;
Квантовая эффективность η=0,2;
Ширина запрещенной зоны ΔW=0,6 эВ;
Задача No3.
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего пароля (4).
Задача No4.
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр. Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Вариант 0:
Тип светодиода: АЛ102В;
Напряжение питания: Uпит = 5 В;
Номинал ограниченного сопротивления: Rогр = 510 Ом.
Дополнительная информация
сдача 2017г. Зачет
Похожие материалы
Устройства оптоэлектроники, Контрольная работа. вариант №18
Sibur54
: 16 марта 2019
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача 2.
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Исходные данные:
Таблица 1.
Вариант Тип ПП материала Si Квантовая
эфф
Sibur54
: 16 марта 2019
150 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант №1
Gila
: 17 января 2019
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Исходные данные (вариант 01):
Вариант 1 Тип фотоприемника (ФП)
1 Фотодиод со структурой p-i-n
Gila
: 17 января 2019
200 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант 07.
seka
: 11 ноября 2018
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
(Фототранзистор)
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность фотоприемника. Изобразить вид спектральной характеристики и указать на ней . Данные берем из таблицы 1.
Таблица 1
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность Ширина запрещенной зоны
0 Ge 0,2 0,6
Задача №3
Изобразить принципиальную схему вк
seka
: 11 ноября 2018
70 руб.
Устройство оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант №9
Rufus
: 11 октября 2017
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемников
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффектив-ность, Ширина запрещен-
Rufus
: 11 октября 2017
90 руб.
Устройство оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант 05
ElenaA
: 23 октября 2016
Задача No 1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
05 Фотодиод - транзистор
Задача No 2.
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр.
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность, h Ширина запрёщенной зоны ∆W, эВ
0 CdS 0,4 2,5
ElenaA
: 23 октября 2016
70 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант №12
rahatlukum1
: 13 августа 2016
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Для варианта 12 - фотодиод с барьером Шоттки.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемников
Вариант
rahatlukum1
: 13 августа 2016
250 руб.
Устройства оптоэлектроники, Контрольная работа, Вариант 01
Александр495
: 15 мая 2016
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Исходные данные (вариант 01):
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
1 Фотодиод со структурой p-i-n
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Исходные данные (вариант 01):
Вариант Тип ПП материалы Квантовая эффек
Александр495
: 15 мая 2016
180 руб.
Устройство оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант №2.
Антон133
: 3 апреля 2016
Вариант 02
1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Фотодиод с барьером Шоттки
2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Ge 0,2 0,6
3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводниковог
Антон133
: 3 апреля 2016
150 руб.
Другие работы
Электропитание устройств и систем связи. Лабораторная № 2. Вариант 3. 6 семестр
skaser
: 20 марта 2012
Лабораторная работа №2.
Исследование способов включения трехфазных трансформаторов
1. Цель работы
Изучение особенностей трехфазных трансформаторов при соединении обмоток звездой, треугольником и зигзагом.
2. Выполнение работы
2.1 Запустим файл Trans 3.1
Таблица 1. Исходные данные для трехфазного трансформатора
U1 =160 В f = 100 Гц N = 2 R1 = 10 Ом R2 = 3 Ом RH = 120 Ом
2.1.1 Выполним соединение вторичных обмоток трансформатора звездой с помощью переключателей S1, S2 и S3. Способ с
skaser
: 20 марта 2012
90 руб.
Малый Знаменский переулок
Aronitue9
: 25 августа 2013
Сегодня наше путешествие пройдет по Малому Знаменскому переулку, расположенному на Ваганьковском холме и носившему более пятидесяти лет громкие имена идеологов-коммунистов К.Маркса и Ф. Энгельса. Московский уголок, прячущий в себе многие архитектурные сокровища, связал вековые страницы истории любимого города. Название "Знаменский" происходит от названия церкви Знамения Божией Матери, уничтоженной в 30-е годы нашего столетия.
Если встать лицом к началу переулка, то по правую руку за густой зелен
Aronitue9
: 25 августа 2013
5 руб.
Производственный менеджмент. Билет №3
wwwsamatova83
: 6 апреля 2017
1. Состояние ионосферы необходимо постоянно исследовать, т.к.:
А) слои ионосферы обладают разной отражающей способностью в разное время суток;
Б) слои ионосферы обладают разной отражающей способностью в разных географических областях;
В) все ответы верны.
2. Максимально применимая частота в диапазоне КВ:
А) максимальная частота, отраженная от данного слоя;
Б) максимальная частота, отраженная от слоя под определенным углом по отношению к горизонту;
В) все ответы верны.
3. Преимущество симплекс
wwwsamatova83
: 6 апреля 2017
180 руб.
Совершенствование управления туристским бизнесом региона
Elfa254
: 23 марта 2013
Введение
Теоретические аспекты управления индустрией туризма
Современное состояние и тенденции развития и управления туристской от-расли за рубежом и в России
Система организационно-экономического взаимодействия
государственного регулирования и поддержки туристской отрасли
Экономические и управленческие механизмы взаимодействия туристско-рекреационной сферы с окружающей средой
Анализ управленческой деятельности туристского бизнеса в регионе (на примере турфирмы ООО «АТР»)
Общая характеристика т
Elfa254
: 23 марта 2013
5 руб.
