Физика (спецглавы). 2-й семестр. Лабораторная работа. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Вариант №4.

1. Цель работы

Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
3. Описание лабораторной установки
Схема лабораторной установки приведена на рис.1.

Сила тока источника (1) не зависит от сопротивления нагрузки. Нагрузкой источника является образец (2). Сила тока, протекающего через образец, регистрируется миллиамперметром (3), а напряжение на образце измеряется при помощи вольтметра (4). Образец наклеен на электроизолирующую теплопроводную пластину и помещен в печь (5) с маслом. Туда же помещен термометр (6) для измерения температуры образца.

4. Задание
Выполняется по вариантам.
Вариант Сила тока, мА
4 5,4
1. Установить силу тока через образец в соответствии с вариантом. Записать силу тока в отчет по лабораторной работе.
2. Изменяйте температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесите в таблицу в отчете по лабораторной работе.
3. Вычислить по формуле (10) электропроводности образца при всех температурах. Прологарифмировать полученные значения электропроводности.
4. Вычислите абсолютные температуры образца Т= t+273, К. Все данные занесите в таблицу измерений.
5. Построить график зависимости ln от 1 Т.
6. На графике выбрать две точки в диапазоне температур от 400С до 800С. Определить для этих точек по графику величины ln и 1 и вычислить по формуле (8) ширину запрещенной зоны полупроводника.


5. Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.

2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln от ?

3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.

Работа сдана в мае 2017г. Зачтено. Преподаватель Грищенко И.В.