Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники

Цена:
100 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon Оптоэлектроника.doc

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.

Фотодиод с гетероструктурой
Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны.
Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники”
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант Тип фотоприемника (ФП) 0 Фотодиод на основе р-n перехода Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр. Исходные данные Таблица 2. Варианты и данные фотоприемн
User Dctjnkbxyj789 : 11 февраля 2017
35 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант Тип фотоприемника (ФП) 9 Фоторезистор Решение: Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра. В фоторезисторах используется явление изменения сопротивления вещества под действием инфракрасно
User nvm1604 : 27 января 2016
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Вариант 4. Тип фотоприемника (ФП): Лавинный фотодиод
User lebed-e-va : 28 апреля 2015
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Заданный тип - Лавинный фотодиод Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. Задача No3 Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикат
User ART1800 : 8 мая 2013
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 30
Номер варианта для решения первой и третьей задач должен соответствовать последней цифре Вашего пароля, номер варианта при решении второй и четвертой задач должен соответствовать предпоследней цифре вашего пароля. Задача №1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Последняя цифра пароля: 0 Тип фотоприемника (ФП): Фотодиод на основе p-n-перехода Задача №2 Определить длинноволновую границу фотоэ
User Учеба "Под ключ" : 4 сентября 2022
600 руб.
promo
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 07
Задача №1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1 – Исходные данные № варианта: 7 Тип фотоприемника: Фототранзистор Задача №2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр. Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2. № варианта: 0 Тип ПП материала: Ge Кван
User SibGOODy : 14 сентября 2018
400 руб.
promo
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 18
Задача №1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. № варианта: 8 Тип фотоприемника: Фототиристор Задача №2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр. Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2. № варианта: 1 Тип ПП материала: Si Квантовая эффективность, n: 0,7 Ши
User SibGOODy : 7 августа 2018
450 руб.
promo
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 09
Задача No1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. No варианта: 9 Тип фотоприемника: Фоторезистор Задача No2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ гр. Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2. Таблица 2. Исходные данные. No варианта: 0 Тип ПП материала: Ge
User SibGOODy : 15 июля 2018
400 руб.
promo
Контрольная работа по дисциплине "Правоведение" 2 семестр
Вариант №3 Контрольная работа По дисциплине: Правоведение 1.Понятие и условия наступления материальной ответственности работников за ущерб, причиненный работодателю. 2.Виды материальной ответственности. 3.Ограничение размера удержаний из заработной платы. Задача: Муниципальное образование (мэрия города К.) заключило договор на поставку материалов для ремонта помещения на сумму 320 000 рублей с ООО «Клин». Согласно договору, ООО «Клин» поставило товар в соответствии с условиями договора, а мэрия
User levis434 : 12 июля 2011
50 руб.
Зачётная работа по дисциплине "Электромагнитные поля и волны". Билет 12
Объемные резонаторы. Условие резонанса в объемных резонаторах. Режимы связи резонатора с нагрузкой. КПД объемного резонатора. Задача 1 Квадратная рамка с размером сторон 0,2 м создает максимальную амплитуду напряженности магнитного поля H = А/м на расстоянии 1 км на частоте f = 10 МГц. Определить: 1.Амплитуду напряженности электрического поля на том же расстоянии в направлении под углом 30 к оси рамки. 2.Ампли
User alex-180672 : 12 апреля 2012
111 руб.
Контрольная работа №4 по дисциплине: «Электротехника и электроника». Вариант №2
Задача 4.1 Задача посвящена расчету параметров четырехполюсника (ЧП) и анализу прохождения сигналов через него в согласованном и несогласованном режимах работы. 1. Общая схема (рис.1) и схему ЧП (рис. 2) для 02 варианта. 2. Табличные числовые данные для 02 варианта. Схема ЧП, приведенная на рис. 2, содержит резистор с сопротивлением R2=2 кОм, R1=2 кОм, конденсатор с емкостью C=20нФ,E=10 В . В общей схеме включения (рис.1) дан источник сигнала с ЭДС, е(t) = Emsin(t + u), частота f = 5 кГц и вну
300 руб.
Устройство ввода аналоговой информации
Введение 1. Общий принцип работы АЦП 1.1 Метод Oversampli 1.2 Классификация АЦП 1.3 Квантование амплитуды аналогового сигнала, разрядность АЦП 7 2. Принцип работы интерфейса USB 2.1 Обзор архитектуры USB-порта 2.2 Протокол передачи данных USB-порта 2.3 Драйвер D2XX 3. Функциональная схема АЦП с интерфейсом USB 4. Электрическая схема АЦП с интерфейсом USB 4.1 Выбор микросхем для реализации USB 4.2 Выбор микросхем для реализации АЦП 4.3 Реализация входа АЦП на базе операционног
User alfFRED : 6 октября 2013
10 руб.
up Наверх