Лабораторная работа № 6.8 по дисциплине: Физика (часть 2-я). Тема: Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Вариант №7
Состав работы
|
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Вариант No7
Сила тока, мА = 7,8
Тема: Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников.
1. Цель работы.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
4. Задание
1. Установить силу тока через образец в соответствии с вариантом. Записать силу тока в отчет по лабораторной работе.
2. Изменяйте температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. 3. Полученные данные занесите в таблицу в отчете по лабораторной работе.
3. Вычислить по формуле (10) электропроводности образца при всех температурах. Прологарифмировать полученные значения электропроводности.
4. Вычислите абсолютные температуры образца Т= t+273, К. Все данные занесите в таблицу измерений.
5. Построить график зависимости lns от 1/ Т.
6. На графике выбрать две точки в диапазоне температур от 400С до 800С. Определить для этих точек по графику величины lns и 1/ T и вычислить по формуле (8) ширину запрещенной зоны полупроводника.
6. Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln(σ) от 1/Т?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Сила тока, мА = 7,8
Тема: Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников.
1. Цель работы.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
4. Задание
1. Установить силу тока через образец в соответствии с вариантом. Записать силу тока в отчет по лабораторной работе.
2. Изменяйте температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. 3. Полученные данные занесите в таблицу в отчете по лабораторной работе.
3. Вычислить по формуле (10) электропроводности образца при всех температурах. Прологарифмировать полученные значения электропроводности.
4. Вычислите абсолютные температуры образца Т= t+273, К. Все данные занесите в таблицу измерений.
5. Построить график зависимости lns от 1/ Т.
6. На графике выбрать две точки в диапазоне температур от 400С до 800С. Определить для этих точек по графику величины lns и 1/ T и вычислить по формуле (8) ширину запрещенной зоны полупроводника.
6. Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln(σ) от 1/Т?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Дополнительная информация
Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физика (часть 2)
Вид работы: Лабораторная работа 2
Оценка:Зачет
Дата оценки: 17.05.2017
Рецензия:Уважаемый , Ваша лабораторная работа # 4 проверена. Экспериментальный результат правильный. В ответах на контрольные вопросы ошибки не найдены.
Работа зачтена.
Стрельцов Александр Иванович
Помогу с выполнением других работ и дисциплин.
E-mail: sneroy20@gmail.com
Оценена Ваша работа по предмету: Физика (часть 2)
Вид работы: Лабораторная работа 2
Оценка:Зачет
Дата оценки: 17.05.2017
Рецензия:Уважаемый , Ваша лабораторная работа # 4 проверена. Экспериментальный результат правильный. В ответах на контрольные вопросы ошибки не найдены.
Работа зачтена.
Стрельцов Александр Иванович
Помогу с выполнением других работ и дисциплин.
E-mail: sneroy20@gmail.com
Похожие материалы
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Саша78
: 9 апреля 2020
Вариант 09
Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
100 руб.
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
30 руб.
Другие работы
Зачет По дисциплине: Технологические основы отрасли. Вариант №1
love14
: 6 июня 2013
1 вариант
Задание 1. Понятие о модуляции и манипуляции. Виды модуляции и их сравнительный анализ.
Задание 2. Общие свойства радиоволн
Распространение радиоволн в земном пространстве зависит от свойств поверхности земли и свойств атмосферы.
Задание 3. Структурная схема супергетеродинного радиоприемника.
150 руб.
Конструирование и расчет элементов железобетонных конструкций многоэтажного здания (без подвала) с наружными каменными стенами и внутренним железобетонным каркасом
alfFRED
: 28 августа 2013
1. Компоновка конструктивной схемы сборного перекрытия
Выбираем поперечное расположение ригелей относительно длины здания, за счет чего достигается повышение жесткости, что необходимо в зданиях с большими проемами. На средних опорах ригели опираются на консоли колонн, а по краям заделываются в несущие стены. Принимаем прямоугольную форму сечения ригеля как наиболее простую для расчета.
Исходя из технико-экономического анализа, выбираем продольное расположение плит относительно длины здания, чт
5 руб.
Отчет по учебно-ознакомительной практике на очистных сооружениях
ДО Сибгути
: 15 марта 2013
СОДЕРЖАНИЕ
1. Характеристика предприятия..........................................................3
2. Технологическая схема очистки сточных вод......................................3
3. Сооружения грубой механической очистки........................................4
3.1. Решетка...................................................................................4
3.2.Песколовка, песковые бункера.......................................................5
3.2.1.Режим отмывки выгрузки осадка...........
115 руб.
Проверка соблюдения требований пожарной безопасности при проектировании электрооборудования мокрого газгольдера с метаном
GnobYTEL
: 1 сентября 2012
Содержание курсовой работы
Введение.
Глава 1. Характеристика технологического процесса и окружающей среды.
1.1. Краткое описание технологического процесса.
1.2. Определение физико-химических свойств вещества, обращающегося в производстве.
1.3. Определение и обоснование класса зоны по ПУЭ.
1.4. Определение категории и группы взрывоопасной смеси.
Глава 2. Расшифровка маркировки и проверка соответствия запроектированного электрооборудования классу зоны по ПУЭ.
2.1. Электродвигатели.
2.2. Электриче
20 руб.