Лабораторная работа № 6.8 по дисциплине: Физика (часть 2-я). Тема: Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Вариант №7

Цена:
240 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 1867DC30-4158-43E7-B623-8791AFF5B795.docx [ 116 KB ]
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Вариант No7
Сила тока, мА = 7,8

Тема: Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников.

1. Цель работы.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.

4. Задание
1. Установить силу тока через образец в соответствии с вариантом. Записать силу тока в отчет по лабораторной работе.
2. Изменяйте температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. 3. Полученные данные занесите в таблицу в отчете по лабораторной работе.
3. Вычислить по формуле (10) электропроводности образца при всех температурах. Прологарифмировать полученные значения электропроводности.
4. Вычислите абсолютные температуры образца Т= t+273, К. Все данные занесите в таблицу измерений.
5. Построить график зависимости lns от 1/ Т.
6. На графике выбрать две точки в диапазоне температур от 400С до 800С. Определить для этих точек по графику величины lns и 1/ T и вычислить по формуле (8) ширину запрещенной зоны полупроводника.

6. Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln(σ) от 1/Т?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.

Дополнительная информация

Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физика (часть 2)
Вид работы: Лабораторная работа 2
Оценка:Зачет
Дата оценки: 17.05.2017
Рецензия:Уважаемый , Ваша лабораторная работа # 4 проверена. Экспериментальный результат правильный. В ответах на контрольные вопросы ошибки не найдены.

Работа зачтена.
Стрельцов Александр Иванович

Помогу с выполнением других работ и дисциплин.
E-mail: sneroy20@gmail.com

Похожие материалы

Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Вариант 09 Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
Физика Работа
User Саша78 : 9 апреля 2020
100 руб.
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
******* Не известно Физика Работа Лабораторная
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8 «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников» 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
СибГУТИ Физика Работа Лабораторная
User chita261 : 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Теоретические сведения и ход работы: В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно, |q+| = |q-| = e и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n Тогда (2)
СибГУТИ Работа Лабораторная Физика. Физика математическая
User Murlishka : 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10 Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы: Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
СибГУТИ Физика и энергетика Работа Лабораторная
User AndrewZ54 : 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны 2. Теоретическое введение Электропроводность материалов определяется выражением: где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
СибГУТИ Работа Лабораторная Физика. Физика математическая
User qawsedrftgyhujik : 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны ВЫВОД В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( ) Контрольные вопросы 1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника. 2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
СибГУТИ Физика. Физика математическая Работа Контрольная
User DenKnyaz : 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
СибГУТИ Работа Лабораторная Физика. Физика математическая
User vereney : 25 ноября 2010
30 руб.

Другие работы

Релейная защита
Задание 1. Максимальная токовая защита с независимой характеристикой выдержки времени Произвести расчёт защиты, установленной на выключателе Q1. Изобразить схему и составить спецификацию. Таблица 1 - Исходные данные Максимальный рабочий ток линии W1 Iраб.макс. = 720 А Коэффициент запуска kЗ =1,3 Время срабатывания защиты №2 tc.з.2=2,0 с Минимальные токи трехфазных коротких замыканий в точках К1, К2, К3 Iк.мин.(1) = 4000 А Iк.мин.(2) = 3000 А Iк.мин.(3) = 2500 А Оперативный ток постоянный Опера
Радиотехника и радиосвязь Работа Курсовая
User Liya38 : 6 марта 2015
80 руб.
Релейная защита
Проект двухэтажного загородного дома.
Проект двухэтажного загородного дома. Автокад.
Чертежи Архитектура
User DiKey : 17 мая 2020
300 руб.
Проект двухэтажного загородного дома.
Автогенераторы
1. Цель работы Изучение и компьютерное моделирование работы LC-автогенератора с трансформаторной обратной связью. В работе необходимо исследовать условия самовозбуждения автогенератора, а также научиться определять амплитуду напряжения на выходе автогенератора в стационарном режиме. 2. Подготовка к выполнению работы При подготовке к работе необходимо изучить схему LC-автогенератора, явление возникновения колебаний в LC-автогенераторе, условия самовозбуждения, мягкий и жесткий режимы самовозб
СибГУТИ Моделирование систем управления Работа Лабораторная
User sergunya_c : 15 сентября 2009
Экзаменационная работа по дисциплине: Теория языков программирования и методы трансляции. Билет №19
Билет №19 1) Грамматика в нормальной форме Хомского, преобразование грамматики к виду БНФ. Проиллюстрировать на примере (пример должен быть свой). 2) Генерация кода и приемы оптимизации. Проиллюстрировать на примерах (примеры должны быть свои). 3) Дан преобразователь с магазинной памятью P = ({q}, {a, +, *}, {+, *, E},{a, +, *}, б, q, E, {q}), где б определяется равенствами: б(q, *, E) = {(q, EE*, Л)} б(q, Л, +) = {(q, Л, +)} б(q, a, E) = {(q, Л, a)} б(q, +, E) = {(q, EE+, Л)} б(q, Л, *)
ДО СИБГУТИ Теория языков программирования и методы трансляции Работа Экзаменационная
User SibGOODy : 31 августа 2018
700 руб.
promo
up Наверх