Лабораторная работа №6.8 по дисциплине: Физика (спец. главы) Тема: «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников». Вариант 0 (10, 20 и т.д.)
-
Категории:
ДО СИБГУТИ, Физика. Спецглавы., Работа Лабораторная
-
Добавлен:
30.06.2017
-
Размер:
239 KB
-
Покупок:
2
-
Добавил:
Учеба "Под ключ"
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
47C4EA3A-55B6-4FA3-852C-DEF6722E09C4.doc
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Теоретическое введение
3. Описание лабораторной установки
4. Выполнение задания
Сила тока равна 10,0мА
Вывод:
5. Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln(σ) от 1/Т?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Список литературы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Теоретическое введение
3. Описание лабораторной установки
4. Выполнение задания
Сила тока равна 10,0мА
Вывод:
5. Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln(σ) от 1/Т?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Список литературы
Дополнительная информация
Зачет без замечаний!
Дата сдачи: апрель 2017 г.
Преподаватель: Стрельцов А.И.
Помогу с другим вариантом.
Выполняю работы на заказ по следующим специальностям:
МТС, АЭС, МРМ, ПОВТиАС, ПМ, ФиК и др.
E-mail: help-sibguti@yandex.ru
Дата сдачи: апрель 2017 г.
Преподаватель: Стрельцов А.И.
Помогу с другим вариантом.
Выполняю работы на заказ по следующим специальностям:
МТС, АЭС, МРМ, ПОВТиАС, ПМ, ФиК и др.
E-mail: help-sibguti@yandex.ru
Похожие материалы
Физика(спец. главы). Работа лабораторная №6.8. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
SemenovSam
: 3 мая 2016
ПОЛНОЕ ОПИСАНИЕ РАБОТЫ НА СКРИНШОТАХ!
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
SemenovSam
: 3 мая 2016
100 руб.
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Саша78
: 9 апреля 2020
Вариант 09
Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
Саша78
: 9 апреля 2020
100 руб.
Лабораторная работа №6.8 по дисциплине: Физика (спец. главы) Тема: «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников». Вариант №6
Учеба "Под ключ"
: 29 декабря 2016
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Теоретическое введение
3. Описание лабораторной установки
4. Выполнение задания
Сила тока для варианта No6 равна 7,0 мА
Вывод
5. Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln(σ) от 1/Т?
3. Вывести фор
Учеба "Под ключ"
: 29 декабря 2016
250 руб.
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
chita261
: 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
Murlishka
: 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
AndrewZ54
: 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
70 руб.
Другие работы
Анализ форм и систем оплаты труда
OstVER
: 17 сентября 2012
Содержание
Введение………………………………………………………………………….……….3
1 Теоретические основы оплаты труда………………………………………………….5
1.1 Понятие и сущность оплаты труда……………………………………………….….5
1.2 Виды стимулирования труда…………………………………………………..……..8
1.3 Основные формы и системы заработной платы………………………….………..17
1.4 Нетрадиционные формы оплаты труда…………………………………….………26
2 Анализ форм и систем оплаты труда на ОПС «Почта России» в г.Заринске……...32
2.1 Характеристика и структура ОПС «Почта России» в г.Заринске………………...32
OstVER
: 17 сентября 2012
Гидромашины и компрессоры
Aronitue9
: 15 января 2012
Вычисление коэффициента и степени неравномерности подачи поршневого (плунжерного) насоса.
Проверка условия всасывания поршневого насоса.
Гидравлический расчет насосной установки для перекачки нефти.
Расчёт и построение характеристики турбины турбобура.
Расчет и построение схемы объемного гидропривода возвратно-поступательного движения.
Aronitue9
: 15 января 2012
20 руб.
Теоретическая механика ДВГУПС 2014 Задача С1 Рисунок 1 Номер условия 3
Z24
: 22 января 2026
Однородная балка весом G, расположенная в вертикальной плоскости (табл. С1, рис. С1.0–С1.9), закреплена в точке А шарнирно, а в точке В прикреплена к вертикальному стержню с шарнирами на концах. На балку действуют: пара сил с моментом М = 20 кН·м, равномерно распределенная нагрузка с интенсивностью q и сила Fi , значение и точка приложения которой указаны в табл. C1. Расстояния между точками A, B, C, D, E, H, K, L равны a = 0,4 м.
Определить реакции связей в точках А, В, вызываемые де
Z24
: 22 января 2026
200 руб.
Системы связи с подвижными объектами. Курсовая работа. Вариант №6
SibGUTI2
: 24 марта 2018
Исходные данные
Вариант
6
Используемый стандарт
IEEE 802.11a
Тип местности
крупный город
Угол диаграммы направленности антенны БС
65
Высота подвеса антенны БС, м
48
Модель расчёта
Уолфиш-Икегами
Потери в фидере антенны БС – 6,2 дБ/100 м
Потери в дуплексоре антенны БС – 1,5 дБ
Потери в комбайнере антенны БС – 3 дБ
Задачи:
1. Привести краткую характеристику заданного стандарта: технические параметры, топологии, принципы функционирования;
2. Выбрать оборудование базовой (БС) и абонентской
SibGUTI2
: 24 марта 2018
200 руб.
