Лабораторная работа №6.8 по дисциплине: Физика (спец. главы) Тема: «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников». Вариант 0 (10, 20 и т.д.)
-
Категории:
ДО СИБГУТИ, Физика. Спецглавы., Работа Лабораторная
-
Добавлен:
30.06.2017
-
Размер:
239 KB
-
Покупок:
2
-
Добавил:
Учеба "Под ключ"
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
47C4EA3A-55B6-4FA3-852C-DEF6722E09C4.doc
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Теоретическое введение
3. Описание лабораторной установки
4. Выполнение задания
Сила тока равна 10,0мА
Вывод:
5. Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln(σ) от 1/Т?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Список литературы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Теоретическое введение
3. Описание лабораторной установки
4. Выполнение задания
Сила тока равна 10,0мА
Вывод:
5. Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln(σ) от 1/Т?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Список литературы
Дополнительная информация
Зачет без замечаний!
Дата сдачи: апрель 2017 г.
Преподаватель: Стрельцов А.И.
Помогу с другим вариантом.
Выполняю работы на заказ по следующим специальностям:
МТС, АЭС, МРМ, ПОВТиАС, ПМ, ФиК и др.
E-mail: help-sibguti@yandex.ru
Дата сдачи: апрель 2017 г.
Преподаватель: Стрельцов А.И.
Помогу с другим вариантом.
Выполняю работы на заказ по следующим специальностям:
МТС, АЭС, МРМ, ПОВТиАС, ПМ, ФиК и др.
E-mail: help-sibguti@yandex.ru
Похожие материалы
Физика(спец. главы). Работа лабораторная №6.8. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
SemenovSam
: 3 мая 2016
ПОЛНОЕ ОПИСАНИЕ РАБОТЫ НА СКРИНШОТАХ!
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
SemenovSam
: 3 мая 2016
100 руб.
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Саша78
: 9 апреля 2020
Вариант 09
Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
Саша78
: 9 апреля 2020
100 руб.
Лабораторная работа №6.8 по дисциплине: Физика (спец. главы) Тема: «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников». Вариант №6
Учеба "Под ключ"
: 29 декабря 2016
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Теоретическое введение
3. Описание лабораторной установки
4. Выполнение задания
Сила тока для варианта No6 равна 7,0 мА
Вывод
5. Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln(σ) от 1/Т?
3. Вывести фор
Учеба "Под ключ"
: 29 декабря 2016
250 руб.
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
chita261
: 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
Murlishka
: 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
AndrewZ54
: 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
70 руб.
Другие работы
Сепарационно-измерительная емкость ИУ«Мера 40-1-400»-Чертеж-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
lelya.nakonechnyy.92@mail.ru
: 16 апреля 2018
Сепарационно-измерительная емкость ИУ«Мера 40-1-400»-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Чертеж-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
lelya.nakonechnyy.92@mail.ru
: 16 апреля 2018
553 руб.
Разработка технологического процесса восстановления шестерни полуоси
konstruktor_ns
: 1 февраля 2017
ШЕСТЕРНЯ ПОЛУОСИ, ВОССТАНОВЛЕНИЕ, ЖЕЛЕЗНЕНИЕ, РЕМОНТНЫЙ ЧЕРТЕЖ, МАРШРУТНАЯ КАРТА, ОПЕРАЦИОНАЯ КАРТА, КАРТА ЭСКИЗОВ
Целью выполнения курсовой работы по дисциплине «Основы технологии производства и ремонт автомобилей» является закрепление теоретических знаний и получение студентами практических навыков разоаботки технологического процесса изготовления и восстановления деталей.
konstruktor_ns
: 1 февраля 2017
250 руб.
Кредитно денежная политика государства
alfFRED
: 27 октября 2013
Я считаю, что проблема проведения кредитно-денежной политики в нашей стране является актуальной. Опыт России показал, что все меры, применяемые на Западе, не могут быть эффективными в условиях, когда реальная экономика в целом, и прежде всего, её производственная часть, находится в состоянии глубокого упадка. Необходимо выработать меры применимые к экономике нашей страны.
В настоящее время экономика России находится в кризисной ситуации, для её преодоления необходимы решительные меры. Правитель
alfFRED
: 27 октября 2013
10 руб.
Кейс Saas Маркетинг
studypro2
: 3 апреля 2017
Кейс «Продать и обогнать»: проблемы внедрения технологии SaaSв России.
Ситуация: Для первых ЭВМ разрабатывалось исключительно заказное программное обеспечение. Развитие вычислительной техники предоставило возможность использовать типовые решения с «настройкой под заказчика», появилось понятие «коробочный софт». Созрели предпосылки для инфраструктуры программного обеспечения: не редкость, когда у одного пользователя более одного компьютера (настольный офисный, домашний, ноутбук, планшет), и все
studypro2
: 3 апреля 2017
350 руб.
