Лабораторная работа №6.8 по дисциплине: Физика (спец. главы) Тема: «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников». Вариант 0 (10, 20 и т.д.)
Состав работы
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Теоретическое введение
3. Описание лабораторной установки
4. Выполнение задания
Сила тока равна 10,0мА
Вывод:
5. Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln(σ) от 1/Т?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Список литературы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Теоретическое введение
3. Описание лабораторной установки
4. Выполнение задания
Сила тока равна 10,0мА
Вывод:
5. Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln(σ) от 1/Т?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Список литературы
Дополнительная информация
Зачет без замечаний!
Дата сдачи: апрель 2017 г.
Преподаватель: Стрельцов А.И.
Помогу с другим вариантом.
Выполняю работы на заказ по следующим специальностям:
МТС, АЭС, МРМ, ПОВТиАС, ПМ, ФиК и др.
E-mail: help-sibguti@yandex.ru
Дата сдачи: апрель 2017 г.
Преподаватель: Стрельцов А.И.
Помогу с другим вариантом.
Выполняю работы на заказ по следующим специальностям:
МТС, АЭС, МРМ, ПОВТиАС, ПМ, ФиК и др.
E-mail: help-sibguti@yandex.ru
Похожие материалы
Физика(спец. главы). Работа лабораторная №6.8. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
SemenovSam
: 3 мая 2016
ПОЛНОЕ ОПИСАНИЕ РАБОТЫ НА СКРИНШОТАХ!
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
100 руб.
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Саша78
: 9 апреля 2020
Вариант 09
Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
100 руб.
Лабораторная работа №6.8 по дисциплине: Физика (спец. главы) Тема: «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников». Вариант №6
Учеба "Под ключ"
: 29 декабря 2016
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Теоретическое введение
3. Описание лабораторной установки
4. Выполнение задания
Сила тока для варианта No6 равна 7,0 мА
Вывод
5. Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln(σ) от 1/Т?
3. Вывести фор
250 руб.
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
70 руб.
Другие работы
Разработка агрегатного атделения АТП на 242 автомобиля МАЗ-105
Maxagen
: 8 июня 2019
Курсовая работа: Разработка агрегатного атделения АТП на 242 автомобиля МАЗ-105;
Исходные данные:
Наименование проектируемого объекта –Агрегатный участок
Модель автомобиля – МАЗ-105
Количество автомобилей – 242
Условия эксплуатации:
-дорожное покрытие – асфальтобетонное
-условия движения – Большой город
-тип рельефа – Гористый
Климатические условия – холодный
Среднесуточный пробег – 154 км
Пробег с
Оптические средства сопряжения (ДВ5.1) Билет №4. Год сдачи 2021
Alexandr1305
: 29 ноября 2021
Зачетная работа по предмету Оптические средства сопряжения
Билет No4
1. В одноканальной оптической системе передачи со стандартным интерфейсом SDH (G.957) S16.2 рассчитать максимальную и минимальную дистанции передачи на волне 1310нм при ширине спектральной линии излучателя 1нм, максимальном уровне мощности передатчика 0дБм и его минимальном значение -2дБм, чувствительности приемника -18дБм, пороге перегрузки 0дБм. Максимальная хроматическая дисперсия не должна превышать 1600пс/нм. Оптическая
200 руб.
Гидромеханика РГУ нефти и газа им. И. М. Губкина Гидростатика Задача 19 Вариант 3
Z24
: 6 декабря 2025
Решите задачу 17 при условии, что слева жидкости нет и газ заполняет весь отсек.
Задача 17
Герметически закрытый сосуд разделен перегородкой на два отсека. В перегородке сделано треугольное отверстие, закрытое крышкой. Крышка крепится к перегородке болтами. Над жидкостью в отсеках находится газ под разным давлением, измеряемым с помощью мановакуумметров. Показания мановакуумметров равны рм1 и рм2, разность уровней жидкости в отсеках равна h0. Определить результирующую силу давления на крыш
150 руб.
Механика материалов и конструкций ПГУ 2018 Задача 7 Схема 4 Вариант 42094
Z24
: 15 ноября 2025
Для стальной балки, нагруженной в соответствии с расчетной схемой, из условия прочности по нормальным напряжениям подобрать размеры поперечного сечения.
Расчет выполнить для четырех вариантов поперечного сечения:
– двутавр;
– прямоугольное с соотношением сторон ;
– круглое сплошное с внешним диаметром D;
– кольцевое с соотношением диаметров .
Выбрать наиболее рациональное поперечное сечение и для него построить эпюры нормальных и касательных напряжений в опасных поперечных сече
500 руб.