Лабораторная работа №6.8 по дисциплине: Физика (спец. главы) Тема: «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников». Вариант 0 (10, 20 и т.д.)

Цена:
250 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 47C4EA3A-55B6-4FA3-852C-DEF6722E09C4.doc [ 239 KB ]
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.

2. Теоретическое введение
3. Описание лабораторной установки
4. Выполнение задания
Сила тока равна 10,0мА
Вывод:

5. Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln(σ) от 1/Т?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.

Список литературы

Дополнительная информация

Зачет без замечаний!
Дата сдачи: апрель 2017 г.
Преподаватель: Стрельцов А.И.
Помогу с другим вариантом.

Выполняю работы на заказ по следующим специальностям:
МТС, АЭС, МРМ, ПОВТиАС, ПМ, ФиК и др.
E-mail: help-sibguti@yandex.ru

Похожие материалы

Физика(спец. главы). Работа лабораторная №6.8. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
ПОЛНОЕ ОПИСАНИЕ РАБОТЫ НА СКРИНШОТАХ! Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
СибГУТИ Физика Работа Лабораторная
User SemenovSam : 3 мая 2016
100 руб.
Физика(спец. главы). Работа лабораторная №6.8. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Вариант 09 Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
Физика Работа
User Саша78 : 9 апреля 2020
100 руб.
Лабораторная работа №6.8 по дисциплине: Физика (спец. главы) Тема: «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников». Вариант №6
1. Цель работы: Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны. 2. Теоретическое введение 3. Описание лабораторной установки 4. Выполнение задания Сила тока для варианта No6 равна 7,0 мА Вывод 5. Контрольные вопросы 1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника. 2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln(σ) от 1/Т? 3. Вывести фор
ДО СИБГУТИ Физика Работа Лабораторная
User Учеба "Под ключ" : 29 декабря 2016
250 руб.
promo
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
******* Не известно Физика Работа Лабораторная
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8 «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников» 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
СибГУТИ Физика Работа Лабораторная
User chita261 : 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Теоретические сведения и ход работы: В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно, |q+| = |q-| = e и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n Тогда (2)
СибГУТИ Работа Лабораторная Физика. Физика математическая
User Murlishka : 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10 Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы: Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
СибГУТИ Физика и энергетика Работа Лабораторная
User AndrewZ54 : 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны 2. Теоретическое введение Электропроводность материалов определяется выражением: где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
СибГУТИ Работа Лабораторная Физика. Физика математическая
User qawsedrftgyhujik : 15 декабря 2010
70 руб.

Другие работы

Учет расчетов с поставщиками и подрядчиками в ОАО "Славгородская пивоварня"
СОДЕРЖАНИЕ Введение I. Теоретические аспекты учета расчетов с поставщиками и подрядчиками 1.1 Характеристика понятия дебиторской и кредиторской задолженности 1.2 Виды и формы расчетов с поставщиками и покупателями по товарным и нетоварным операциям 1.3 Нормативная база, разрешающая расчеты с поставщиками и подрядчиками. Сроки расчетов исковой давности 1.4 Порядок списания просроченной задолженности 1.5 Ведение документального учета расчетов с поставщиками и подрядчиками II. Особенности ведения у
Бухгалтерский учет и аудит Работа
User Aronitue9 : 9 ноября 2012
19 руб.
Лабораторная работа № 2 по дисциплине: «Физика». Тема: “Определение удельного заряда электрона методом магнетрона”
Тема: “Определение удельного заряда электрона методом магнетрона”. Цель работы: Познакомиться с законами движения заряженных частиц в электрическом и магнитном полях, определить удельный заряд электрона с помощью цилиндрического магнетрона. Выводы по выполненной работе: В выполненной лабораторной работе исследовано действие магнитного поля, создаваемого обмоткой соленоида, на движение электронов в электромагнитном поле магнетрона. Для этого экспериментально сняты показания зависимости тока ано
СибГУТИ Работа Лабораторная Физика. Физика математическая
User Пешеход : 19 февраля 2012
20 руб.
Организация памяти. Организация систем адресации и команд
1. Организация памяти. 2. Организация систем адресации и команд 3. Заключение 4. Список использованной литературы Организация памяти Системная память. Обычно под системной понимают лишь оперативную память. На са­мом деле работоспособность всей компьютерной системы зависит от характеристик подсистемы памяти в целом. Подсистема памяти охватывает: оперативную память как таковую; кэш-память первого уровня, расположенную в ядре МП; кэш-память второго уровня (в н
Информатика Работа
User evelin : 5 октября 2013
15 руб.
Многоканальные телекоммуникационные системы.Лабораторная работа №2
«Методы объединения цифровых потоков» Цель работы 1.Исследование принципов объединения цифровых потоков; 2.Исследование возникновения временных сдвигов и неоднородностей Задание к работе Решить задачу. Рассчитать число информационных символов между временными сдвигами и период временного сдвига, а также период неоднородности согласно данных варианта. Определите, какое согласование скоростей потребуется для устранения возникшей неоднородности. Для варианта №3: ТЗ = 59 мкс; Тсч =45 мкс;
Многоканальные системы электросвязи СибГУТИ Работа Лабораторная
User kisska7733 : 3 сентября 2014
80 руб.
up Наверх